半导体存储装置制造方法及图纸

实施方式提供一种能够谋求可靠性的提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备衬底、控制器、半导体存储器零件、第1及第2电容器、以及跨接元件。所述衬底具有导体图案。所述导体图案包含：第1导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第1电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第1电容器；及第2导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第2电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第2电容器。所述第1导体部与所述第2导体部相互分离，并且利用所述跨接元件相互电连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储装置[相关申请]本申请享有以日本专利申请2017-238103号(申请日：2017年12月12日)作为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体存储装置。
技术介绍
已知有具备衬底、控制器及半导体存储器零件的半导体存储装置。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种能够谋求可靠性的提高的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备衬底、控制器、半导体存储器零件、第1及第2电容器、以及跨接元件。所述衬底具有第1区域、第2区域、及位于所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域，并且具有导体图案。所述控制器安装在所述第1区域。所述半导体存储器零件安装在所述第2区域，且由所述控制器控制。所述第1及第2电容器安装在所述第3区域，且在从所述第1区域朝向所述第2区域的第1方向上排列。所述跨接元件安装在所述第3区域。所述导体图案包含：第1导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第1电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第1电容器；及第2导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第2电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第2电容器。所述第1导体部与所述第2导体部在所述第1方向上相互分离，并且利用所述跨接元件相互电连接。附图说明图1是表示第1实施方式的半导体存储装置的图。图2是表示第1实施方式的半导体存储装置的功能构成的一部分的框图。图3是表示第1实施方式的半导体存储装置的导体图案的一部分的图。图4A是将图3中所示的由F4A线包围的区域放大表示的俯视图。图4B是将图3中所示的由F4B线包围的区域放大表示的俯视图。图5是图4中所示的半导体存储装置的沿F5-F5线的剖视图。图6是表示第1实施方式的多个电容器的电连接关系的图。图7是示意性地表示从第1实施方式的控制器朝向NAND(Not-And，与非)的热的流动的图。图8A是表示第2实施方式的衬底的第1面侧的导体图案的一部分的俯视图。图8B是表示第2实施方式的衬底的第2面侧的导体图案的一部分的俯视图。图9是表示第2实施方式的多个电容器的电连接关系的图。图10A是表示第3实施方式的衬底的第1面侧的导体图案的一部分的俯视图。图10B是表示第3实施方式的衬底的第2面侧的导体图案的一部分的俯视图。图11是表示第3实施方式的多个电容器的电连接关系的图。图12A是表示第4实施方式的衬底的第1面侧的导体图案的一部分的俯视图。图12B是表示第4实施方式的衬底的第2面侧的导体图案的一部分的俯视图。图13A是表示第5实施方式的衬底的第1面侧的导体图案的一部分的俯视图。图13B是表示第5实施方式的衬底的第2面侧的导体图案的一部分的俯视图。具体实施方式以下，参照附图对实施方式的半导体存储装置进行说明。此外，在以下的说明中，对具有相同或类似的功能的构成标注相同的符号。而且，有时省略这些构成的重复的说明。此处，先对本案中要使用的若干用语的意义进行说明。在本案中“排列”并不限定于以两个对象物的中央部彼此相对的方式排列的情况，也包含以两个对象物的一部分彼此相对(即以彼此错开的状态相对)的方式排列的情况。另外，“排列”也包含在彼此之间，隔开空间而排列的情况。“在衬底的厚度方向上重叠”意指在沿衬底的厚度方向观察的情况下，两个对象物的假想性的投影像彼此重叠，也包含两个对象物彼此不直接地相接的情况。另外，“重叠”也包含至少局部地重叠的情况。另外，先对+X方向、-X方向、+Y方向、-Y方向、+Z方向、及-Z方向进行定义。+X方向、-X方向、+Y方向、及-Y方向是沿下述衬底10的第1面10a的方向。+X方向是从衬底10的第1区域31朝向第2区域32的方向，例如是长方形状的衬底10的长度方向。+X方向是“第1方向”的一例。-X方向是与+X方向相反的方向。在不将+X方向与-X方向进行区别的情况下，简称为“X方向”。+Y方向及-Y方向是与X方向交叉的(例如大致正交的)方向，例如是衬底10的宽度方向。+Y方向是从衬底10的中央部朝向衬底10的一侧部26a的方向。+Y方向是“第2方向”的一例。-Y方向是与+Y方向相反的方向。在不将+Y方向与-Y方向进行区别的情况下，简称为“Y方向”。+Z方向及-Z方向是与X方向及Y方向交叉的(例如大致正交的)方向，例如是衬底10的厚度方向。+Z方向是从衬底10的第2面10b朝向第1面10a的方向。-Z方向是与+Z方向相反的方向。在不将+Z方向与-Z方向进行区别的情况下，简称为“Z方向”。(第1实施方式)参照图1至图7，对第1实施方式的半导体存储装置1进行说明。半导体存储装置1例如是像SSD(SolidStateDrive，固态驱动器)那样的存储装置。半导体存储装置1例如安装在服务器装置或个人计算机等信息处理装置，且被用作信息处理装置的存储区域。但是，能够利用半导体存储装置1的装置并不限定于所述例。半导体存储装置1能够广泛地用于各种信息处理装置。此外，以下，将供安装半导体存储装置1的信息处理装置称为“主机装置”。图1是表示半导体存储装置1的图。图1中的上部表示半导体存储装置1的正面(前表面)。图1中的下部表示半导体存储装置1的背面。半导体存储装置1例如具有衬底10、控制器11、DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)12、多个NAND型闪存13(以下，称为“NAND13”)、多个电容器14、多个跨接(jumper)元件15、温度传感器16、电源供给单元17、电容器充电放电控制电路18、及电容器电容测定电路19。衬底(配线衬底、印刷衬底)10具有绝缘体21、及设置在绝缘体21的导体图案22(参照图5)。衬底10例如是多层衬底，但并不限定于此。衬底10具有第1端部23a、及位于与第1端部23a相反之侧的第2端部23b。第1端部23a是-X方向侧的端部。第1端部23a具有插入到主机装置的插槽的端子部(连接器)24。端子部24包含在衬底10的表面露出的多个端子24a。通过端子部24插入到主机装置的插槽，而半导体存储装置1电连接在主机装置。半导体存储装置1从作为外部电源的主机装置接收电力供给。半导体存储装置1基于从主机装置接收的各种指令，进行数据的写入或读出、删除等。衬底10具有第1侧部26a、及位于与第1侧部26a相反之侧的第2侧部26b。第1侧部26a是在衬底10的+Y方向侧的端部在X方向上延伸的侧部。第2侧部26b是在衬底10的-Y方向侧的端部在X方向上延伸的侧部。衬底10具有第1面10a、及位于与第1面10a相反之侧的第2面10b。第1面10a及第2面10b是供安装各种电子零件的安装面。另外，衬底10具有第1至第3区域31～33。但是，第1至第3区域31～33是为了方便说明而区分出的区域，也可以在衬底10的表面不存在明确的区别。第1区域31是在第1至第3区域31～33之中最接近于衬底10的第1端部23a的区域。第2区域32是在第1至第3区域31～33之中最接近于衬底10的第2端部23b的区域。第3区域33是在X方向上位于第1区域31与第2区域32之间的区域。控制器11在衬底10的第1区域31中安装在例如衬底10的第1面10a。控制器11统括地控制半导体存储装置1的整体。例如，控制器11构成为在一个半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：衬底，具有第1区域、第2区域、及位于所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域，并且具有导体图案；控制器，安装在所述第1区域；半导体存储器零件，安装在所述第2区域，且由所述控制器控制；第1及第2电容器，安装在所述第3区域，且在从所述第1区域朝向所述第2区域的第1方向上排列；及第1跨接元件，安装在所述第3区域；且所述导体图案包含：第1导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第1电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第1电容器；及第2导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第2电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第2电容器；所述第1导体部与所述第2导体部在所述第1方向上相互分离，并且利用所述第1跨接元件相互电连接。

【技术特征摘要】
2017.12.12 JP 2017-2381031.一种半导体存储装置，其特征在于，具备：衬底，具有第1区域、第2区域、及位于所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域，并且具有导体图案；控制器，安装在所述第1区域；半导体存储器零件，安装在所述第2区域，且由所述控制器控制；第1及第2电容器，安装在所述第3区域，且在从所述第1区域朝向所述第2区域的第1方向上排列；及第1跨接元件，安装在所述第3区域；且所述导体图案包含：第1导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第1电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第1电容器；及第2导体部，在所述衬底的厚度方向上与所述第2电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第2电容器；所述第1导体部与所述第2导体部在所述第1方向上相互分离，并且利用所述第1跨接元件相互电连接。2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第1跨接元件是使用焊料而固定在所述衬底的表面。3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，与所述第1方向交叉的第2方向上的所述第1跨接元件的最大宽度比所述第2方向上的所述第1导体部的最大宽度窄，且比所述第2方向上的所述第2导体部的最大宽度窄。4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还具备第3电容器，该第3电容器于与所述第1方向交叉的第2方向上与所述第1电容器排列，所述第1导体部在所述衬底中跨及相对于所述第1电容器的至少一部分在所述衬底的厚度方向上重叠的区域、及相对于所述第3电容器的至少一部分在所述衬底的厚度方向上重叠的区域，且电连接在所述第3电容器。5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第1跨接元件的至少一部分配置在所述第1电容器与所述第3电容器之间。6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其特征在于，还具备第4电容器，该第4电容器在所述第2方向上与所述第2电容器排列，所述第2导体部在所述衬底中跨及相对于所述第2电容器的至少一部分在所述衬底的厚度方向上重叠的区域、及相对于所述第4电容器的至少一部分在所述衬底的厚度方向上重叠的区域，且电连接在所述第4电容器。7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于，所述第1跨接元件的另一部分配置在所述第2电容器与所述第4电容器之间。8.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具备：第5电容器，安装在所述第3区域，且相对于所述第2电容器在所述第1方向上配置在与所述第1电容器相反之侧；及第2跨接元件，安装在所述第3区域；且所述导体图案还包含第3导体部，该第3导体部在所述衬底的厚度方向上与所述第5电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第5电容器，所述第2导体部与所述第3导体部在所述第1方向上相互分离，并且利用所述第2跨接元件相互电连接。9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于还具备：第6及第7电容器，安装在所述第3区域；及第3跨接元件，安装在所述第3区域；且所述衬底具有：第1面，安装着所述第1及第2电容器、以及所述第1跨接元件；及第2面，位于与所述第1面相反之侧，且安装着所述第6及第7电容器、以及所述第3跨接元件；所述导体图案还包含在所述衬底的厚度方向上分别设置在与所述第1及第2导体部不同的位置的第4导体部及第5导体部，该第4导体部在所述衬底的厚度方向上与所述第6电容器的至少一部分重叠且电连接在所述第6电容器...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎贵史，菊地伸一，
申请(专利权)人：东芝存储器株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP