【技术实现步骤摘要】
一种基于跨导运算放大器的浮地磁控忆阻模拟器
本专利技术涉及新型电路元件模拟器构造领域，具体涉及一种基于跨导运算放大器的磁控忆阻模拟器。
技术介绍
1971年，加州大学伯克利分校的蔡少棠教授从电路理论完备性出发，预测除电阻、电容和电感之外，还存在第四种表征电荷和磁通量之间关系的无源基本电路元件，并将其命名为忆阻器(memristor)。2008年惠普实验室在《Nature》杂志发表研究成果，宣布物理实现了具有忆阻器特征的二端器件。惠普实验室的突破引起学术界和工业界的广泛关注，掀起人们对忆阻器研究的热潮。忆阻器是一种非线性电阻，其电阻值能够随输入电流或电压的历史而发生变化，即能够通过电阻值的变化记忆流经的电荷量或磁通量。忆阻器的研究涉及到微电子、凝聚态物理、材料学、电路与系统、计算机和神经生物学等多学科领域，属于新兴交叉学科研究。忆阻器具有结构简单、易集成、高速、低功耗和与CMOS工艺兼容等特点，不仅能满足下一代高密度信息存储和高性能计算机对通用存储器的需求，还能实现非易失状态逻辑运算和类脑神经态运算功能。人们常用忆阻模拟器模拟忆阻的端口电气特性，并将忆阻模拟器应用到...
【技术保护点】
1.一种基于跨导运算放大器的浮地磁控忆阻模拟器，其特征在于，包括端口a、端口b、跨导运算放大器U1、跨导运算放大器U2、电流反馈运算放大器U3、电压反馈运算放大器U4、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R11，所述跨导运算放大器U1的型号为LM13600，所述跨导运算放大器U2的型号为LM13600，所述跨导运算放大器U1的第5脚、第7脚与端口a相连，所述跨导运算放大器U1的第8脚与电阻R5的一端、电阻R6的一端相连，电阻R5的另一端与电源VEE相连，电阻R6的另一端与跨导运算放大器U1的第4...
【技术特征摘要】
1.一种基于跨导运算放大器的浮地磁控忆阻模拟器，其特征在于，包括端口a、端口b、跨导运算放大器U1、跨导运算放大器U2、电流反馈运算放大器U3、电压反馈运算放大器U4、电容C1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10和电阻R11，所述跨导运算放大器U1的型号为LM13600，所述跨导运算放大器U2的型号为LM13600，所述跨导运算放大器U1的第5脚、第7脚与端口a相连，所述跨导运算放大器U1的第8脚与电阻R5的一端、电阻R6的一端相连，电阻R5的另一端与电源VEE相连，电阻R6的另一端与跨导运算放大器U1的第4脚相连，所述跨导运算放大器U1的第4脚与跨导运算放大器U2的第14脚相连，所述跨导运算放大器U1的第3脚与跨导运算放大器U2的第13脚相连，所述电阻R1的两端分别与跨导运算放大器U1的第4脚、跨导运算放大器U2的第13脚相连，所述跨导运算放大器U2的第13脚与电阻R4的一端相连，所述电阻R4的另一端与跨导运算放大器U2的第9脚相连，所述跨导运算放大器U2的第9脚与电阻R3的一端相连，所述电阻R3的另一端与电源VEE相连，所述跨导运算放大器U1的第1脚、跨导运算放大器U2的第16脚均与电阻R2的一端相连，所述电阻R2的另一端与电流反馈运算放大器U3的第6脚相连，所述电流反馈运算放大器U3的第5脚与电容C1的一端相连，所述电容C1的另一端接地，电流反馈运算放大器U3的第2脚与...
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