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一种基于输出电流存储的跨导放大器失调消除结构制造技术

技术编号:14115890 阅读:82 留言:0更新日期:2016-12-07 18:09
本发明专利技术公开了一种基于输出电流存储的跨导放大器失调消除结构,包括跨导放大器、一个电容C1和输出失调电流消除结构;跨导放大器为一经典跨导放大器,电容C1连接在NMOS管MN5和MN6的栅极之间;输出失调电流消除结构包括正相输入支路上的开关SW2、负向输入支路上的开关SW3、正负输入端之间的开关SW4和负向输入通路上的开关SW5;开关SW3采用低电荷注入的开关结构。在输入端短接的条件下,先通过输出电流存储结构对失调电流进行采样存储,之后在正常工作时,通过预先存储的失调电流和工作时的信号电流做减法,消除信号中失调成分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及模拟集成电路领域,特别涉及一种可用于传感器和数字模拟混合信号电路中跨导放大器输出电流失调消除结构。
技术介绍
各类传感器通过将自然界中的光信号,声信号,压力信号等各种信号转化为电信号,经过后级电路处理后变成人们可以处理的电信号,大大提高了人们认识自然、改造自然的能力。而传感器信号读出领域最初获得的电信号常常是模拟信号,需要经过适当的电路处理放大才能够被后续电路识别。因此对微弱电信号的降噪和放大方法一直是传感器读出电路研究热点。在SOI二极管型红外图像探测器中,二极管工作在正偏状态下,光学系统将红外辐射传递到探测器表面,造成探测器温度升高,利用二极管的IV特性随温度变化的特点获得电压变化ΔV,如图1所示。在读出电路中输入级往往采用跨导放大器模块,先将ΔV转变成电流信号ΔI,再进行积分,获得放大后的可处理信号,最终经过模数转换器量化输出。然而最初获得的电压信号ΔV较微弱,相对信号ΔV,输入级跨导放大器自身失调电压较大,会减少后续电路输出动态范围中真实信号成分所占比例,造成电路输出范围和噪声特性严重下降。因此,需要采用跨导放大器失调消除方法,降低跨导放大器失调,提升电路性能本文档来自技高网...
一种<a href="http://www.xjishu.com/zhuanli/61/201610565518.html" title="一种基于输出电流存储的跨导放大器失调消除结构原文来自X技术">基于输出电流存储的跨导放大器失调消除结构</a>

【技术保护点】
一种基于输出电流存储的跨导放大器失调消除结构,包括差分输入跨导放大器,所述差分输入跨导放大器包含尾电流PMOS管MP5,由PMOS管MP1和MP2PMOS管构成的PMOS输入对管,共源共栅的PMOS管MP3和PMOS管MP4,由NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5和NMOS管MN6共源共栅连接的负载管;其特征在于:跨导放大器电路还包括一个失调存储电容C1和输出失调电流消除结构;所述失调存储电容C1左极板连接NMOS管MN5的栅极,所述失调存储电容C1右极板连接NMOS管MN6的栅极;所述输出失调电流消除结构包括四个开关,四个开关包括正相输入支路上的开关SW2、负向输入支路上的开...

【技术特征摘要】
1.一种基于输出电流存储的跨导放大器失调消除结构,包括差分输入跨导放大器,所述差分输入跨导放大器包含尾电流PMOS管MP5,由PMOS管MP1和MP2PMOS管构成的PMOS输入对管,共源共栅的PMOS管MP3和PMOS管MP4,由NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5和NMOS管MN6共源共栅连接的负载管;其特征在于:跨导放大器电路还包括一个失调存储电容C1和输出失调电流消除结构;所述失调存储电容C1左极板连接NMOS管MN5的栅极,所述失调存储电容C1右极板连接NMOS管MN6的栅极;所述输出失调电流消除结构包括四个开关,四个开关包括正相输入支路上的开关SW2、负向输入支路上的开关SW3、正负输入端之间的开关SW4和负向输入通路上的开关SW5;所述开关SW2连接NMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵毅强赵公元辛睿山
申请(专利权)人:天津大学
类型:发明
国别省市:天津;12

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