The invention provides a MOS transistor driving circuit for an LED driver chip, which includes: an inverter INV2, a MOS transistor MP4, a MOS transistor MN3, a resistance R3, and a MOS transistor MN4; a logic control signal MOS_ON at the input end of the inverter INV2, a gate connection between the output end and the gate of the MOS transistor MN3, a gate connection between the source and the VCC end of the MOS transistor MP4, a drain connection between the drain of the MOS transistor MN3 and the drain of the MOS transistor MP2, and As the GATE terminal, the gate driving signal Vsnt of the MOS MN4 is connected to the GATE terminal, the drain terminal to the GATE terminal and the source terminal to the GND terminal; the source of the MOS MN3 is used as the output terminal of the driving circuit of the MOS transistor; the source of the resistor R3 is connected to the MN3 source terminal, and the other end is connected to the GND terminal; the gate connecting of the GATE terminal to the M1 of the MOS transistor drives the MOS transistor M1. Its advantage is that it drives MOS transistors reliably and stably, and can control the constant current accuracy of the output current in the full voltage range.
【技术实现步骤摘要】
一种LED驱动电路的MOS管驱动电路及其应用
本专利技术公开了一种升压型LED驱动电路的MOS管驱动电路及其应用。
技术介绍
近年来,高亮度LED照明以高光效、长寿命、高可靠性和无污染等优点正在逐步取代白炽灯、荧光灯等传统光源。现今由于LED照明的飞速发展,原来几十瓦的白炽灯,可在直接用几瓦的LED灯泡替代了,这样就可以节约大量的能源。根据LED的负载特性,不能像普通白炽灯一样,直接用电压源供电,否则电压波动稍增,电流就会增大到将LED烧毁的程度。为了稳定LED的工作电流,保证LED能正常可靠地工作,需要有一种可控恒流源来控制。由于精度高和效率高的优点,临界电流控制模式被常用于开环的输出恒流控制。在临界模式中,LED负载的输出电流Iout由以下公式决定:其中,Ipk是电感的峰值电流,Iva是电感的谷底电流。为了精确控制Iout,在临界模式中,Iva被控制为接近于0。由此Iout的公式可以简化为:因此,如何精确、可靠、稳定地驱动MOS成为LED驱动电路驱动的关键。
技术实现思路
本专利技术要解决的问题在于提供一种LED驱动电路的MOS驱动电路及其应用,可靠和稳定的驱动M ...
【技术保护点】
1.一种LED驱动芯片的MOS管驱动电路,其特征在于:包括,反相器INV2、MOS管MP4、MOS管MN3、电阻R3、MOS管MN4;其中,反相器INV2的输入端接逻辑控制信号MOS_ON,输出端与MOS管MN3的栅极和MOS管MP2的栅极连接;MOS管MP4的源极与VCC端连接;MOS管MN3的漏极和MOS管MP2的漏极连接,连接点作为GATE端;MOS管MN4的栅极接驱动信号Vsnt,漏极接GATE端,源极接GND端;MOS管MN3的源极作为MOS管驱动电路的输出端,电阻R3的一端接MOS管MN3源极,另一端接GND端;GATE端与MOS管M1的栅极连接,驱动MOS管M1。
【技术特征摘要】
1.一种LED驱动芯片的MOS管驱动电路,其特征在于:包括,反相器INV2、MOS管MP4、MOS管MN3、电阻R3、MOS管MN4;其中,反相器INV2的输入端接逻辑控制信号MOS_ON,输出端与MOS管MN3的栅极和MOS管MP2的栅极连接;MOS管MP4的源极与VCC端连接;MOS管MN3的漏极和MOS管MP2的漏极连接,连接点作为GATE端;MOS管MN4的栅极接驱动信号Vsnt,漏极接GATE端,源极接GND端;MOS管MN3的源极作为MOS管驱动电路的输出端,电阻R3的一端接MOS管MN3源极,另一端接GND端;GATE端与MOS管M1的栅极连接,驱动MOS管M1。2.如权利要求1所述的一种LED驱动芯片的MOS管驱动电路,其特征在于:其中,MOS管MP4是P型MOS管;MOS管MN3和MOS管MN4是N型MOS管。3.一种LED驱动芯片,其特征在于:包括过零电流检测电路(K1)、峰值电流检测电路(K2)、逻辑控制电路(K3)、如权利要求1或2所述的MOS管驱动电路(K4)、低压供电电路(K5);低压供电电路(K5)从HV端输入高压,输出低压至VCC端给芯片内部的供电;过零电流检测电路(K1)探测电感电流过零点并输出电流过零信号zcd;峰值电流检测电路(K2)检测和限制电感的峰值电流,并输出峰值电流到达信号Ipk;逻辑控制电路(K3)与过零电流检测电路(K1)连接,输入电流过零信号zcd,还与峰值电流检测电路(K2)连接,输入峰值电流到达信号Ipk,输出与低压供电电路(K5)连接,输出逻辑控制信号MOS_ON;MOS管驱动电路(K4)的一个输出端为GATE端,另一个输出端与过零电流检测电路(K1)连接;电阻R3两端的电压V1被输出到过零电流检测电路(K1)。4.如权利要求3所述的LED驱动芯片,其特征在于:其中,过零电流检测电路(K1)包括,电阻R1、电阻R2、电流源I1、电流源I2、MOS管MN1、MOS管MN2、MOS管MP1、反...
【专利技术属性】
技术研发人员:李应天,张义,
申请(专利权)人:上海源微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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