有机发光显示阵列结构制造技术

本揭示提供一种有机发光显示阵列结构。所述有机发光显示阵列结构包括多个像素单元。每个所述像素单元包括第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管的栅极绝缘层厚度大于所述第二薄膜晶体管的栅极绝缘层厚度。

Organic Light Emitting Display Array Structure

This disclosure provides an organic light-emitting display array structure. The organic light-emitting display array structure comprises a plurality of pixel units. Each of the pixel units includes a first thin film transistor and a second thin film transistor. The gate insulating layer thickness of the first thin film transistor is larger than that of the second thin film transistor.

【技术实现步骤摘要】
有机发光显示阵列结构
本揭示涉及显示
，特别涉及一种有机发光显示阵列结构。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极管(Activematrixorganiclightemittingdiode,AMOLED)屏幕是采用驱动薄膜晶体管来控制有机发光二极管像素发光的光电显示器件。屏幕的灰阶是通过驱动薄膜晶体管的栅极电压来控制。为了获得良好的显示效果，需要保证栅极电压工作在合适的工作电压范围内。亚阈值摆幅(Sub-thresholdSwing,SS)是用来表征驱动薄膜晶体管工作时栅极电压对导通电流大小的控制能力的物理量。对驱动薄膜晶体管而言，希望获得适当大的亚阈值摆幅。而对于其他薄膜晶体管来说，作为开关薄膜晶体管，需要快的响应速度，因此需要尽量小的亚阈值摆幅。但如何提供具有差异化的驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管是个难题。故，有需要提供一种有机发光显示阵列结构，以解决现有技术存在的问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题，本揭示的一目的在于提供一种有机发光显示阵列结构，能差异化控制驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的电学特性，有利于提高画面显示效果。为达成上述目的，本揭示提供一种有机发光显示阵列结构，包括多个像素单元。每个所述像素单元包括第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管的栅极绝缘层厚度大于所述第二薄膜晶体管的栅极绝缘层厚度。于本揭示其中的一实施例中所述的第一薄膜晶体管是驱动有机发光像素的驱动薄膜晶体管。所述第二薄膜晶体管是开关薄膜晶体管。于本揭示其中的一实施例中所述的有机发光显示阵列结构由下至上包括一衬底；一设置于所述衬底上的无机层；一设置于所述无机层上的图案化多晶硅层；一覆盖所述图案化多晶硅层的第一闸极绝缘层；一设于所述第一闸极绝缘层上的图案化第一金属层；一覆盖所述图案化第一金属层的第二闸极绝缘层；以及一设置于所述第二闸极绝缘层上的图案化第二金属层。所述第一薄膜晶体管的闸极位于所述图案化第二金属层。所述第二薄膜晶体管的闸极位于所述图案化第一金属层。所述第一薄膜晶体管的沟道与所述第二薄膜晶体管的沟道均位于所述图案化多晶硅层。于本揭示其中的一实施例中所述的图案化第一金属层和所述图案化第二金属层的材质相同，包括钛、钼、钨、或其组合。于本揭示其中的一实施例中所述的有机发光显示阵列结构更包括第一无机绝缘层覆盖所述图案化第二金属层；第一有机绝缘层设置于所述第一无机绝缘层上；图案化第三金属层设置于所述第一有机绝缘层上；第二无机绝缘层覆盖所述图案化第三金属层；第二有机绝缘层设置于所述第二无机绝缘层上；图案化第四金属层设置于所述第二有机绝缘层上；以及有机平坦层覆盖所述图案化第四金属层。于本揭示其中的一实施例中所述的图案化第三金属层和所述图案化第四金属层的材质相同，包括铝、或铜。于本揭示其中的一实施例中所述的有机发光显示阵列结构更包括一电容器设置于所述第一薄膜晶体管的上方。所述电容器的下基板位于所述图案化第三金属层。所述电容器的上基板位于所述图案化第四金属层。于本揭示其中的一实施例中所述的第二有机绝缘层具有一开孔。所述电容器的所述上基板设置于所述开孔中。本揭示还提供一种有机发光显示阵列结构，包括多个像素单元。每个所述像素单元包括第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管。所述第一薄膜晶体管的亚阈值摆幅大于所述第二薄膜晶体管的亚阈值摆幅。于本揭示其中的一实施例中所述的第一薄膜晶体管是驱动有机发光像素的驱动薄膜晶体管。所述第二薄膜晶体管是开关薄膜晶体管。于本揭示其中的一实施例中所述的有机发光显示阵列结构由下至上包括一衬底；一设置于所述衬底上的无机层；一设置于所述无机层上的图案化多晶硅层；一覆盖所述图案化多晶硅层的第一闸极绝缘层；一设于所述第一闸极绝缘层上的图案化第一金属层；一覆盖所述图案化第一金属层的第二闸极绝缘层；以及一设置于所述第二闸极绝缘层上的图案化第二金属层。所述第一薄膜晶体管的闸极位于所述图案化第二金属层。所述第二薄膜晶体管的闸极位于所述图案化第一金属层。所述第一薄膜晶体管的沟道与所述第二薄膜晶体管的沟道均位于所述图案化多晶硅层。于本揭示其中的一实施例中所述的图案化第一金属层和所述图案化第二金属层的材质相同，包括钛、钼、钨、或其组合。于本揭示其中的一实施例中所述的有机发光显示阵列结构更包括第一无机绝缘层覆盖所述图案化第二金属层；第一有机绝缘层设置于所述第一无机绝缘层上；图案化第三金属层设置于所述第一有机绝缘层上；第二无机绝缘层覆盖所述图案化第三金属层；第二有机绝缘层设置于所述第二无机绝缘层上；图案化第四金属层设置于所述第二有机绝缘层上；以及有机平坦层覆盖所述图案化第四金属层。于本揭示其中的一实施例中所述的图案化第三金属层和所述图案化第四金属层的材质相同，包括铝、或铜。于本揭示其中的一实施例中所述的有机发光显示阵列结构更包括一电容器设置于所述第一薄膜晶体管的上方。所述电容器的下基板位于所述图案化第三金属层。所述电容器的上基板位于所述图案化第四金属层。于本揭示其中的一实施例中所述的第二有机绝缘层具有一开孔。所述电容器的所述上基板设置于所述开孔中。由于本揭示的实施例的有机发光显示阵列结构中，所述第一薄膜晶体管的闸极位于所述图案化第二金属层。所述第二薄膜晶体管的闸极位于所述图案化第一金属层。因此，所述第一薄膜晶体管的闸极氧化层厚度与所述第二薄膜晶体管的闸极氧化层厚度不同，能差异化控制驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的电学特性，有利于提高画面显示效果。为让本揭示的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：【附图说明】图1显示根据本揭示的一实施例的阵列结构的局部剖面结构示意图；图2显示根据本揭示的一实施例的有机发光显示面板的结构示意图；以及图3显示根据本揭示的一实施例的像素单元的电路结构示意图。【具体实施方式】为了让本揭示的上述及其他目的、特征、优点能更明显易懂，下文将特举本揭示优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。再者，本揭示所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧层、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本揭示，而非用以限制本揭示。在图中，结构相似的单元是以相同标号表示。参照图1、2及3，有机发光显示面板结构1000，包括一有机发光显示阵列结构100、一闸极驱动电路300以及一源极驱动电路200。闸极驱动电路300以及源极驱动电路200用以驱动有机发光显示阵列结构100。本揭示提供一种有机发光显示阵列结构100包括多个像素单元10。每个所述像素单元10包括第一薄膜晶体管TFT1及第二薄膜晶体管TFT2。所述第一薄膜晶体管TFT1的栅极绝缘层厚度大于所述第二薄膜晶体管TFT2的栅极绝缘层厚度。于本揭示其中的一实施例中所述的第一薄膜晶体管TFT1是驱动有机发光像素的驱动薄膜晶体管。所述第二薄膜晶体管TFT2是开关薄膜晶体管。于本揭示其中的一实施例中所述的有机发光显示阵列结构100由下至上包括一衬底FS、一设置于所述衬底FS上的无机层Bb、一设置于所述无机层Bb上的图案化多晶硅层Po、一覆盖所述图案化多晶硅层Po的第一闸极绝缘层GI1、一设于所述第一闸极绝缘层GI本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光显示阵列结构，其特征在于，包括：多个像素单元，每个所述像素单元包括:第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管的栅极绝缘层厚度大于所述第二薄膜晶体管的栅极绝缘层厚度。

【技术特征摘要】
1.一种有机发光显示阵列结构，其特征在于，包括：多个像素单元，每个所述像素单元包括:第一薄膜晶体管以及第二薄膜晶体管，其中，所述第一薄膜晶体管的栅极绝缘层厚度大于所述第二薄膜晶体管的栅极绝缘层厚度。2.如权利要求1所述的有机发光显示阵列结构，其特征在于，所述第一薄膜晶体管是驱动有机发光像素的驱动薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管是开关薄膜晶体管。3.如权利要求2所述的有机发光显示阵列结构，其特征在于，所述有机发光显示阵列结构由下至上包括：一衬底；一设置于所述衬底上的无机层；一设置于所述无机层上的图案化多晶硅层；一覆盖所述图案化多晶硅层的第一闸极绝缘层；一设于所述第一闸极绝缘层上的图案化第一金属层；一覆盖所述图案化第一金属层的第二闸极绝缘层；以及一设置于所述第二闸极绝缘层上的图案化第二金属层，其中，所述第一薄膜晶体管的闸极位于所述图案化第二金属层，所述第二薄膜晶体管的闸极位于所述图案化第一金属层，所述第一薄膜晶体管的沟道与所述第二薄膜晶体管的沟道均位于所述图案化多晶硅层。4.如权利要求3所述的有机发光显示阵列结构，其特征在于，所述图案化第一金属层和所述图案化第二金属层的材质相同，包括钛、钼、钨、或其组合。5.如权利要求3所述的有机发光显示阵列结构，其特征在于，更包括第一无机绝缘层覆盖所述图案化第二金属层；第一有机绝缘层设置于所述第一无机绝缘层上；图案化第三金属层设置于所述第一有机绝缘层上；第二无机绝缘层覆盖所述图案化第三金属层；第二有机绝缘层设置于所述第二无机绝缘层上；图案化第四金属层设置于所述第二有机绝缘层上；以及有机平坦层覆盖所述图案化第四金属层。6.如权利要求5所述的有机发光显示阵列结构，其特征在于，所述图案化第三金属层和所述图案化第四金属层的材质相同，包括铝、或铜。7.如权利要求5所述的有机发光显示阵列结构，其特征在于，更包括一电容器设置于所述第一薄膜晶体管的上方，其中所述电容器的下基板位于所述图案化第三金属层，所述电容器的上基板位于所述图案化第四金属层。8.权利要求7所述的有机发光显示阵列结构，其特征在于，所述第二有机绝缘层具有一开孔，所述电容器的所述上基板设置于所述开孔中。9.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：王威，黄情，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42