A method for purity measurement of semiconductor single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) is provided, which includes: forming a solution of semiconductor SWCNTs using a sample of semiconductor SWCNTs; measuring the absorption spectrum of the solution of semiconductor SWCNTs; and determining the purity of the sample of semiconductor SWCNTs based on the extreme value of the absorption spectrum.
【技术实现步骤摘要】
半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法
本公开涉及半导体性单壁碳纳米管，具体涉及半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法。
技术介绍
由于碳纳米管具有一维结构和独特的电学性能，所以自发现后就引起了科学界的广泛关注，现已开展了将碳纳米管应用于电子器件、场发射技术、生物载药、储氢技术等诸多领域的研究工作。碳纳米管可分为单壁碳纳米管和多壁碳纳米管，其中单壁碳纳米管作为优良的一维纳米材料，因其具有较高的载流子迀移率而被用作制造场效应晶体管、薄膜晶体管等电子器件，有望取代硅材料而成为下一代微电子器件的关键材料。根据导电性质，碳纳米管还可分为金属性碳纳米管和半导体性碳纳米管。高纯度半导体性单壁碳纳米管对于碳纳米管在电子器件上的应用具有重要的意义。然而，相关技术中的测量半导体性单壁碳纳米管的方法存在精度不够、工艺复杂、流程复杂等问题。
技术实现思路
根据本公开的一个方面，提供了一种半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法，包括：使用半导体性单壁碳纳米管样品形成半导体性单壁碳纳米管溶液；测量半导体性单壁碳纳米管溶液的吸收光谱；以及基于吸收光谱中的极值确定出半导体性单壁碳纳米管样品的纯度。根据本公开的...
【技术保护点】
1.半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法，其特征在于，所述方法包括：使用半导体性单壁碳纳米管样品形成半导体性单壁碳纳米管溶液；测量所述半导体性单壁碳纳米管溶液的吸收光谱；以及基于所述吸收光谱中的极值确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度。
【技术特征摘要】
1.半导体性单壁碳纳米管的纯度测量方法，其特征在于，所述方法包括：使用半导体性单壁碳纳米管样品形成半导体性单壁碳纳米管溶液；测量所述半导体性单壁碳纳米管溶液的吸收光谱；以及基于所述吸收光谱中的极值确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述吸收光谱中的极值确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度的步骤还包括：通过所述吸收光谱计算出第一吸光度比值；以及基于所述第一吸光度比值，确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度，所述第一吸光度比值为所述吸收光谱中S22区中的吸光度最大值或S11区中的吸光度最大值与M11区中的吸光度最小值之间的比值。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述吸收光谱中的极值确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度的步骤还包括：通过所述吸收光谱计算出第二吸光度比值；以及基于所述第二吸光度比值，确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度，所述第二吸光度比值为所述吸收光谱中S22区中的吸光度最大值与所述S22区中除所述吸光度最大值之外的吸光度极大值之间的比值，或所述吸收光谱中S11区中的吸光度最大值与所述S11区中除所述吸光度最大值之外的吸光度极大值之间的比值。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，所述使用半导体性单壁碳纳米管样品形成半导体性单壁碳纳米管溶液的步骤包括：将所述半导体性单壁碳纳米管样品溶解在水或有机溶剂中，以形成所述半导体性单壁碳纳米管溶液。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述基于所述第一吸光度比值，确定出所述半导体性单壁碳纳米管样品的纯度的步骤包括：基于预先确定的所述第一吸光度比值与半导体性单壁碳纳米管的纯度的对应关系，确定出与所述第一吸光度比值相对应的所述半导体性单壁碳纳米管的纯度。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩杰，
申请(专利权)人：北京华碳元芯电子科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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