一种系统电源自复位电路技术方案

本实用新型专利技术公开了一种系统电源自复位电路，包括P沟道场效应管、第一N沟道场效应管和第二N沟道场效应管，P沟道场效应管S端分别连接V‑BAT端和电阻R1一端，P沟道场效应管G端分别连接第一N沟道场效应管D端和电阻R1另一端，P沟道场效应管D端分别连接CPU处理器和V‑SYS端，本实用新型专利技术结构设计新颖，具有电源自复位功能，不再需要尺寸相对较大的机械开关和手动复位的人员。

A Self-reset Circuit for System Power Supply

The utility model discloses a system power supply self-reset circuit, which comprises a P-channel field effect transistor, a first N-channel field effect transistor and a second N-channel field effect transistor. The S-terminal of the P-channel field effect transistor is connected to one end of V_BAT and a resistance R1 respectively, the G-terminal of the P-channel field effect transistor is connected to the D-terminal of the first N-channel field effect transistor and the other end of the resistance R1 respectively, and the D-terminal of the P-channel field effect transistor is connected to the CPU processor The SYS end of the utility model has novel structure design, self-resetting function of power supply, and no longer requires relatively large mechanical switches and manual reset personnel.

【技术实现步骤摘要】
一种系统电源自复位电路
本技术涉及复位电路
，具体为一种系统电源自复位电路。
技术介绍
有一些小型电子设备，处理器运行一段时间后，为了清除内部部分功能块的异常，需要系统电源下电再上电一次进行电源自复位。目前主要有2种实现方案：(1)人为强行断开电源，(2)增加机械开关，这2种方案的局限性主要体现在需要人为介入。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种系统电源自复位电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种系统电源自复位电路,包括P沟道场效应管、第一N沟道场效应管和第二N沟道场效应管，所述P沟道场效应管S端分别连接V-BAT端和电阻R1一端，所述P沟道场效应管G端分别连接第一N沟道场效应管D端和第一电阻另一端，所述P沟道场效应管D端分别连接CPU处理器和V-SYS端，所述第一N沟道场效应管S端接地，G端分别连接第三电阻一端、第二N沟道场效应管D端和第二电阻一端，所述第三电阻另一端接地，所述第二电阻另一端连接V-BAT端。优选的，所述第二N沟道场效应管S端接地，G端分别连接电容一端、第四电阻一端和二极管负极，所述电容另一端接地，所述第四电阻另一端接地。优选的，所述二极管正极连接第五电阻一端，所述第五电阻另一端连接CPU处理器的PWR-RESET端，所述CPU处理器接地。与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术结构设计新颖，具有电源自复位功能，不再需要尺寸相对较大的机械开关和手动复位的人员。附图说明图1为本技术电路原理图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参阅图1，本技术提供一种技术方案：一种系统电源自复位电路,包括P沟道场效应管Q1、第一N沟道场效应管Q2和第二N沟道场效应管Q3，所述P沟道场效应管Q1S端分别连接V-BAT端和第一电阻R1一端，所述P沟道场效应管Q1G端分别连接第一N沟道场效应管Q2D端和第一电阻R1另一端，所述P沟道场效应管Q1D端分别连接CPU处理器1和V-SYS端，所述第一N沟道场效应管Q2S端接地，G端分别连接第三电阻R3一端、第二N沟道场效应管Q2D端和第二电阻R2一端，所述第三电阻R3另一端接地，所述第二电阻R2另一端连接V-BAT端；第二N沟道场效应管Q3S端接地，G端分别连接电容C1一端、第四电阻R4一端和二极管D1负极，所述电容C1另一端接地，所述第四电阻R4另一端接地；二极管D1正极连接第五电阻R5一端，所述第五电阻R5另一端连接CPU处理器的PWR-RESET端，所述CPU处理器1接地。其中，V_BAT为主电源输入正，可以源自电池或者直流电源；V_SYS为系统电源正，供通用的CPU处理器使用；PWR_RESET为CPU处理器的电源复位输出口；第一电阻R1和第二电阻R2为上拉功能电阻，第三电阻R3为下拉功能电阻，第五R5为限流功能电阻；Q1为P沟道场效应管，作为电源开关使用，Q2和Q3为N沟道场效应管，作为反向和电平适配使用；二极管D1，第四电阻R4和电容C1作为延时保持电路使用。工作原理：P沟道场效应管Q1和第一N沟道场效应管Q2配合作为电子开关，可以断开和接通主电源到系统电源的供电。第二N沟道场效应管Q3实现电平反向功能，当第二N沟道场效应管Q3的栅极G为低电平时，第二N沟道场效应管Q3截止，第二N沟道场效应管Q3的漏极D为高电平，连接第二N沟道场效应管Q3漏极D的第一N沟道场效应管Q2栅极G也为高电平，第一N沟道场效应管Q2导通，第一N沟道场效应管Q2的漏极D为低电平，连接第一N沟道场效应管Q2漏极D的P沟道场效应管Q1栅极G为低电平，P沟道场效应管Q1导通，接通主电源到系统电源的供电。所述第二N沟道场效应管Q3的栅极G为高平时，第二N沟道场效应管Q3导通，第二N沟道场效应管Q3的漏极D为低电平，连接第二N沟道场效应管Q3漏极D的第一N沟道场效应管Q2栅极G为低电平，第一N沟道场效应管Q2截止，第一N沟道场效应管Q2的漏极D为高电平，连接第一N沟道场效应管Q2漏极D的P沟道场效应管Q1栅极G为高电平，P沟道场效应管Q1截止，断开主电源到系统电源的供电。所述二极管D1，第四电阻R4和电容C1构成延时保持电路，当CPU处理器需要自主复位电源时，从PWR_RESET口输出高电平脉冲送到第二N沟道场效应管Q3的栅极G后，根据前述逻辑，P沟道场效应管Q1截止，断开CPU系统电源V_SYS的供电，CPU将无法保持PWR_RESET持续的高电平，随着V_SYS的降低，CPU因断电复位，PWR_RESET口的电平也会变低，单向导电的二极管D1用于防止电容C1上储存的电荷不会从CPU的PWR_RESET口泄漏，通过设定第四电阻R4和电容C1的值，可以设定第二N沟道场效应管Q3高电平的延时保持时长，进一步确定系统电源V_SYS的断开时长。第四电阻R4和电容C1的延时保持时间结束后，第二N沟道场效应管Q3的栅极G变为低电平，P沟道场效应管Q1导通，重新接通系统电源的供电，CPU处理器重新上电，从而实现了系统电源的自复位功能。综上所述，本技术结构设计新颖，具有电源自复位功能，不再需要尺寸相对较大的机械开关和手动复位的人员。尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种系统电源自复位电路,包括P沟道场效应管(Q1)、第一N沟道场效应管(Q2)和第二N沟道场效应管(Q3)，其特征在于：所述P沟道场效应管(Q1)S端分别连接V‑BAT端和第一电阻(R1)一端，所述P沟道场效应管(Q1)G端分别连接第一N沟道场效应管(Q2)D端和第一电阻(R1)另一端，所述P沟道场效应管(Q1)D端分别连接CPU处理器(1)和V‑SYS端，所述第一N沟道场效应管(Q2)S端接地，G端分别连接第三电阻(R3)一端、第二N沟道场效应管(Q2)D端和第二电阻(R2)一端，所述第三电阻(R3)另一端接地，所述第二电阻(R2)另一端连接V‑BAT端。

【技术特征摘要】
1.一种系统电源自复位电路,包括P沟道场效应管(Q1)、第一N沟道场效应管(Q2)和第二N沟道场效应管(Q3)，其特征在于：所述P沟道场效应管(Q1)S端分别连接V-BAT端和第一电阻(R1)一端，所述P沟道场效应管(Q1)G端分别连接第一N沟道场效应管(Q2)D端和第一电阻(R1)另一端，所述P沟道场效应管(Q1)D端分别连接CPU处理器(1)和V-SYS端，所述第一N沟道场效应管(Q2)S端接地，G端分别连接第三电阻(R3)一端、第二N沟道场效应管(Q2)D端和第二电阻(R2)一端，所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑海，
申请(专利权)人：上海尧远通信科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31