半导体层制造技术

一种半导体层包含第一结晶部分与第二结晶部分。第一结晶部分由半熔融态的第一部分结晶形成，第二结晶部分由熔融态的第二部分结晶形成。半熔融态的第一部分与熔融态的第二部分是由闪光灯透过第一光罩照射第一部分与第二部分而形成。第一光罩包含部分透光区域与透光区域，部分透光区域对应于第一部分，透光区域对应于第二部分。第二结晶部分是由第一部分与第二部分的接面开始结晶化第二部分而形成。第一结晶部分是第一部分的晶格重新排列而形成。利用闪光灯搭配光罩照射而达成较大面积的结晶，且半导体层的不同部分可具有不同的结晶特性。

Semiconductor Layer

A semiconductor layer comprises a first crystalline portion and a second crystalline portion. The first crystalline part is formed by the first part of the semi-melt state, and the second part is formed by the second part of the melt state. The first part of the semi-molten state and the second part of the molten state are formed by the flash illuminating the first part and the second part through the first hood. The first hood contains part of the light transmission area and the light transmission area, part of the light transmission area corresponds to the first part, and the light transmission area corresponds to the second part. The second crystallization part is formed from the interface between the first part and the second part, which begins to crystallize the second part. The first crystalline part is formed by rearranging the lattices of the first part. A large area of crystallization can be achieved by flash lamp and light shield irradiation, and different parts of the semiconductor layer can have different crystallization characteristics.

【技术实现步骤摘要】
半导体层
本揭示内容是关于一种半导体技术，且特别是关于一种半导体层。
技术介绍
为了结晶化半导体，一般而言考虑到基板的内受温度，准分子激光退火(ExcimerLaserAnnealing，ELA)的制程是目前较常采用的技术。然而，线扫描(Linearscanning)的准分子激光退火受限于激光光点的尺寸而无法一次处理大面积的区域，并且由于每一个激光光点的功率不稳定，造成均匀性不佳而容易产生斑(Mura)的问题。因此，产能与基板的面积难以提高，生产成本居高不下之外，结晶品质与晶粒尺寸亦不理想。
技术实现思路
为了提高用于制作半导体元件的结晶部分的结晶品质与晶粒尺寸，本揭示内容是提供一种半导体层，其包含第一结晶部分与第二结晶部分。第一结晶部分由半熔融态(Semi-fusion)的第一部分结晶形成，第二结晶部分由熔融态(Fusion)的第二部分结晶形成。半熔融态的第一部分与熔融态的第二部分是由闪光灯(Flashlamp)透过第一光罩照射第一部分与第二部分而形成。第一光罩包含部分透光(Semi-transparent)区域与透光区域，部分透光区域对应于第一部分，透光区域对应于第二部分。第一部分邻近第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体层，其特征在于，该半导体层包含：一第一结晶部分，由一半熔融态的一第一部分结晶形成；以及一第二结晶部分，由一熔融态的一第二部分结晶形成，其中该半熔融态的该第一部分与该熔融态的该第二部分是由一闪光灯透过一第一光罩照射该第一部分与该第二部分而形成，该第一光罩包含一部分透光区域与一透光区域，该部分透光区域对应于该第一部分，该透光区域对应于该第二部分，该第一部分邻近该第二部分；该第二结晶部分是由该第一部分与该第二部分的一接面开始结晶化该第二部分而形成，该第一结晶部分是该第一部分的晶格重新排列而形成。

【技术特征摘要】
1.一种半导体层，其特征在于，该半导体层包含：一第一结晶部分，由一半熔融态的一第一部分结晶形成；以及一第二结晶部分，由一熔融态的一第二部分结晶形成，其中该半熔融态的该第一部分与该熔融态的该第二部分是由一闪光灯透过一第一光罩照射该第一部分与该第二部分而形成，该第一光罩包含一部分透光区域与一透光区域，该部分透光区域对应于该第一部分，该透光区域对应于该第二部分，该第一部分邻近该第二部分；该第二结晶部分是由该第一部分与该第二部分的一接面开始结晶化该第二部分而形成，该第一结晶部分是该第...

【专利技术属性】
技术研发人员：林建宏，刘振宇，
申请(专利权)人：宸鸿光电科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71