The present invention relates to a quantum dot light-emitting device. The quantum dot light-emitting layer comprises a cadmium-based quantum dot material and a cadmium-free quantum dot material. Using a certain proportion of cadmium-based quantum dots and cadmium-free quantum dots as mixed luminescent materials in quantum dot light-emitting layer can greatly reduce the content of Cd element in quantum dot light-emitting devices and ensure the luminescent performance of devices. The invention also relates to the preparation method of the quantum dot light emitting device.
【技术实现步骤摘要】
量子点发光器件及其制备方法
本申请属于显示
，具体涉及一种量子点发光器件及其制备方法。
技术介绍
量子点是一种纳米级别的半导体材料，其直径常在2～20nm之间。通过对这种纳米半导体材料施加一定的电场或光激发，它们便会发出特定频率的光，而发出的光的频率会随着这种半导体的尺寸的改变而变化，所以通过调节这种纳米半导体的尺寸就可以控制其发出的光的颜色。除此之外，量子点还具有色纯度高、发光波长可调、易合成加工等优异性质，因而被广泛应用于量子点发光二极管等光电器件中。量子点发光二极管的发光中心由量子点构成，目前用于电致发光二极管的量子点材料主要是CdSe、CdTe等镉系量子点，这些镉系量子点具有诸如发光谱易调节、半峰宽窄等优点，而被研究的最多。但重金属镉元素对人体和自然环境均存在一定的毒性和污染，含镉量子点不能使用于涉及人体或动植物的任何应用中，所以降低量子点发光器件中的镉含量成为重要解决问题之一。
技术实现思路
针对上述技术问题，本申请提供一种量子点发光器件及其制备方法。根据本申请的第一方面，提供了一种量子点发光器件，包括量子点发光层，所述量子点发光层包括镉系量子点材料及...
【技术保护点】
1.一种量子点发光器件，包括量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层包括镉系量子点材料及无镉量子点材料。
【技术特征摘要】
1.一种量子点发光器件，包括量子点发光层，其特征在于，所述量子点发光层包括镉系量子点材料及无镉量子点材料。2.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述镉系量子点材料与无镉量子点材料的质量比为1：(0.1～10)。3.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述镉系量子点材料及无镉量子点材料均是红光量子点或绿光量子点中的任意一种。4.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述镉系量子点材料为单一发光峰位的镉系量子点，所述无镉量子点材料为单一发光峰位的无镉量子点。5.根据权利要求4所述的量子点发光器件，其特征在于，所述镉系量子点材料与无镉量子点材料的发光峰位差值小于15nm。6.根据权利要求1所述的量子点发光器件，其特征在于，所述镉系量子点材料的半峰宽低于无镉量子点材料的半峰宽。7.根据权利要求6所述的量子点发光器件，其特征在于，所述镉系量子点材料的半峰...
【专利技术属性】
技术研发人员：王红琴，葛婕，张健，王允军，
申请(专利权)人：苏州星烁纳米科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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