含有铵自由基阳离子的有机发光二极管制造技术

本发明专利技术提供一种有机发光二极管，其包括衬底、阳极层、任选的一个或多个空穴注入层、一个或多个空穴传输层、任选的一个或多个电子阻挡层、发射层、任选的一个或多个空穴阻挡层、任选的一个或多个电子传输层、电子注入层和阴极，其中所述空穴注入层，或所述空穴传输层，或所述空穴注入层以及所述空穴传输层，或充当空穴注入层以及空穴传输层的层包括一种聚合物，所述聚合物包括一个或多个具有结构(S1)的三芳基铵自由基阳离子，其中R

Organic Light Emitting Diodes Containing Ammonium Free Radical Cations

The invention provides an organic light emitting diode, which comprises a substrate, an anode layer, an optional one or more hole injection layers, one or more hole transmission layers, an optional one or more electronic barrier layers, a emitting layer, an optional one or more hole barrier layers, an optional one or more electronic transmission layers, an optional electron injection layer. A layer and a cathode comprising a polymer comprising one or more triaryl ammonium radical cations having a structure (S1), of which R.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】含有铵自由基阳离子的有机发光二极管许多光电装置为多层组合物。举例来说，有机发光二极管(OLED)通常含有多个层，除其它层以外，尤其包含发射层和空穴传输层(HTL)或空穴注入层(HIL)中的一个或两个。产生HTL或HIL的所需方法为涂覆HTL或HIL材料于溶剂中的溶液的层且接着蒸发所述溶剂。在适用于将通过此类溶液方法涂覆的HTL或HIL的组合物中，需要组合物具有以下特征中的一个或多个。组合物应易于传输空穴；组合物应易于溶解于一种或多种有机溶剂中；组合物应能够通过首先沉积含有组合物和溶剂的溶液的层且接着蒸发所述溶剂而沉积于层中；组合物的层在干燥时应对通过一种或多种烃溶剂去除具抗性；组合物的部分不应易于迁移的光电装置的其它层中。当使用此类组合物制得OLED时，需要OLED具有高效率和/或在低驱动电压下操作。A.Yamamori等人于《应用物理学快报(AppliedPhysicsLetters)》，第72卷，第2147-2149页(1998)中描述含有基质聚碳酸酯聚合物和不共价键结至基质聚合物的掺杂剂分子三(4-溴乙基)铵六氯锑酸盐(TBAHA)的空穴传输层。认为在掺杂剂不键结的此类层中，掺杂剂易迁移至光电装置的其它层，如发射层。以下为本专利技术的陈述。本专利技术的第一方面为一种包括聚合物的组合物，所述聚合物包括一个或多个具有结构(S1)的三芳基铵自由基阳离子：其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的每一个独立地为H或氚或有机基团，其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的两个或更多个任选地彼此连接以形成环结构；且A-为阴离子，其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的一个或多个共价键结至聚合物。本专利技术的第二方面为一种有机发光二极管，其包括阳极层、任选的一个或多个空穴注入层、一个或多个空穴传输层、任选的一个或多个电子阻挡层、发射层、任选的一个或多个空穴阻挡层、任选的一个或多个电子传输层、电子注入层和阴极，其中空穴注入层或空穴传输层或空穴注入层以及空穴传输层或充当空穴注入层以及空穴传输层的层包括如第一方面中所述的聚合物。以下为图式简要说明。图1展示使用本专利技术组合物制得的OLED的一个实施例。以下为本专利技术的详细描述。如本文所用，除非上下文另作明确指示，否则以下术语具有所指定的定义。如本文所述的术语“烷氧基”是指其中至少一个氢原子经氧原子O取代的烷基。如本文所述的术语“烷基”是指通过自烷基烃分子删除一个氢原子而衍生自烷基烃分子的有机基团。当化学基团在本文中称为“烷基”时，其意味着所述化学基团为烷基。烷基可为直链、分支链、环状或其组合。如本文所用的术语“经取代的烷基”是指其中至少一个氢原子经包括至少一个杂原子的取代基取代的烷基。杂原子包含(但不限于)O、N、P和S。取代基包含(但不限于)卤基、OR′、NR′2、PR′2、P(＝O)R′2、SiR′3；其中每个R′独立地为C1-C20烃基。“阳极”将空穴注入至发射层或位于发射层与阳极之间的层，如空穴注入层或空穴传输层中。将阳极安置于衬底上。阳极通常由金属、金属氧化物、金属卤化物、导电聚合物或其组合制成。如本文所述的术语“芳基”是指通过自芳族烃分子删除一个氢原子而衍生自芳族烃分子的有机基团。芳基可为单环和/或稠环系统，其每个环适当地含有5至7个、优选5至6个原子。也包含其中两个或更多个芳基经由单键组合的结构。特定实例包含(但不限于)苯基、甲苯基、萘基、联苯基、蒽基、茚基、芴基、苯并芴基、菲基、联伸三苯基、芘基、苝基、屈基、稠四苯基、芴蒽基和其类似基团。萘基可为1-萘基或2-萘基，蒽基可为1-蒽基、2-蒽基或9-蒽基，且芴基可为1-芴基、2-芴基、3-芴基、4-芴基和9-芴基中的任一个。如本文所用的术语“经取代的芳基”是指其中至少一个氢原子经包括至少一个杂原子的取代基取代或包括至少一个经取代或未经取代的烷基的取代基或其任何组合的芳基。杂原子包含(但不限于)O、N、P和S。取代基包含(但不限于)卤基、OR′、NR′2、PR′2、P(＝O)R′2、SiR′3其中每个R′独立地为C1-C20烃基。“经取代的芳基”的此定义适用于任何含有芳族环的基团，如苯基、咔唑基、吲哚基、芴基和联苯基。如本文所述的术语“芳氧基”是指其中至少一个氢原子经氧原子O置换的芳基。如本文所述的术语“胺”是指具有一个或多个胺氮原子的化合物。胺氮原子为作为结构R41NH2、R41R42NH或R41R42R43N的一部分的氮原子，其中R41、R42和R43中的每一个经烷基芳基取代或未经取代。R41、R42和R43可为独立基团，或R41、R42和R43中的任何两个或更多个可彼此连接以形成一个或多个芳环或一个或多个脂环或其组合。胺可恰好具有一个胺氮原子或可具有两个或更多个胺氮原子。具有一个或多个芳环的胺为芳族胺。如本文所用，且本领域的技术人员将理解，术语“阻挡层”意指所述层提供显著抑制一种类型的电荷载流子和/或激子传输通过装置的障壁，而无需表明所述层必定完全阻挡所有电荷载流子和/或激子。装置中存在此类阻挡层可导致相比于缺乏阻挡层的类似装置的较高效率。此外，阻挡层可用于将发射限于OLED的所需区域。阻挡层(如果存在)一般存在于发射层的任一侧上。电子阻挡可以不同方式实现，包含例如通过使用LUMO能阶显著高于发射层的LUMO能阶的阻挡层。LUMO能阶的较大差异导致优选电子阻挡特性。适用于阻挡层的材料取决于发射层的材料。主要进行电子阻挡的层为电子阻挡层(EBL)。电子阻挡可在其它层，例如空穴传输层(HTL)中发生。空穴阻挡可以不同方式实现，包含例如通过使用HOMO能阶显著低于发射层的HOMO能阶的阻挡层。HOMO能阶的较大差异导致优选空穴阻挡特性。适用于阻挡层的材料取决于发射层的材料。主要进行空穴阻挡的层为空穴阻挡层(HBL)。空穴阻挡可发生于其它层，例如电子传输层(ETL)中。阻挡层也可用于通过使用三重态能阶显著高于EML掺杂剂或EML主体的三重态能阶的阻挡层而阻止激子扩散出发射层。适用于阻挡层的材料取决于发射层的组成。“阴极”将电子注入至发射层或位于发射层与阴极之间的层，如电子注入层或电子传输层。阴极通常由金属、金属氧化物、金属卤化物、导电聚合物或其组合制成。“掺杂剂”和类似术语是指以按层重量计的相对较小量，通常10重量％或更小存在于层中的材料。掺杂剂通常以统计方式分布在整个层中。呈现掺杂剂以向所述层提供所需电特性。本文中的术语“掺杂剂”是指并非聚合物的分子。“电子注入层”或“EIL”和类似术语为改进自阴极注入至电子传输层的电子的注入的层。“电子传输层(或“ETL”)”和类似术语是指由展现包含以下的特性的材料制得的层：有效传输自阴极或EIL注入的电子的高电子迁移率和将那些电子有利地注入至空穴阻挡层或发射层中。“电子伏特”或“eV”为通过横跨一伏特的电势差移动的单个电子的电荷获得(或损失)的能量的量。“发射层”和类似术语为位于电极(阳极与阴极)之间且作为主发光源的层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光二极管，其包含阳极层、任选的一个或多个空穴注入层、一个或多个空穴传输层、任选的一个或多个电子阻挡层、发光层、任选的一个或多个空穴阻挡层、任选的一个或多个电子传输层、电子注入层和阴极，其中所述空穴注入层，或所述空穴传输层，或所述空穴注入层以及所述空穴传输层，或充当空穴注入层以及空穴传输层的层包括一种聚合物，所述聚合物包括一个或多个具有结构(S1)的三芳基铵自由基阳离子：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.04 US 62/4175391.一种有机发光二极管，其包含阳极层、任选的一个或多个空穴注入层、一个或多个空穴传输层、任选的一个或多个电子阻挡层、发光层、任选的一个或多个空穴阻挡层、任选的一个或多个电子传输层、电子注入层和阴极，其中所述空穴注入层，或所述空穴传输层，或所述空穴注入层以及所述空穴传输层，或充当空穴注入层以及空穴传输层的层包括一种聚合物，所述聚合物包括一个或多个具有结构(S1)的三芳基铵自由基阳离子：其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的每一个独立地选自由以下组成的群组：氢、氚、卤素、胺基、羟基、磺酸酯基、硝基和有机基团，其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的两个或更多个任选地彼此连接以形成环结构；其中R11、R12、R13、R14、R15、R21、R22、R23、R24、R25、R31、R32、R33、R34和R35中的一个或多个共价键结至所述聚合物，且其中A-为阴离子。2.根据权利要求1所述的二极管，其中所述二极管包括充当空穴注入层和空穴传输层的双功能层，且其中所述二极管不包括任何额外空穴注入层或空穴传输层，且其中所述双功能层包括聚合物，所述聚合物包括一个或多个具有结构(S1)的三芳基铵自由基阳离子。3.根据权利要求2所述的二极管，其中所述二极管另外包括一个或多个电子阻挡层。4.根据权利要求1所述的二极管，其中所述聚合物为乙烯基聚合物或共轭聚合物。5.根据权利要求1所述的二极管，其中所述聚合物另外包括一个或多个三芳基胺结构(S2)：其中R11、R...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·D·格里格，L·P·斯宾塞，J·W·克雷默，D·D·德沃尔，B·古德费洛，刘淳，S·穆克霍培德海耶，T·H·彼得森，W·H·H·伍德沃德，A·N·索科洛夫，
申请(专利权)人：陶氏环球技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国,US