电压测量方法及电压测量电路技术

本发明专利技术提供一种电压测量方法及电压测量电路，涉及半导体技术领域。该方法包括：根据所述NMOS管的栅极的电位，获取第一电压和第二电压，所述第一电压和所述第二电压为所述NMOS管的栅极的电位处于不同状态时，所述第一分压电阻和所述第二分压电阻之间的电位；根据所述第一电压、所述第二电压和至少两个所述分压电阻进行计算，得到所述发光二极管两端的当前电压。通过在不同连接状态所对应的不同电压测量电路中，分别获取第一电压和第二电压，并结合电压测量电路中各个分压电阻对应的参数值进行计算，得到发光二极管两端的当前电压，避免了在发光二极管工作时添加分压电阻进行检测的情况，提高了获取当前电压的准确性和灵活性。

【技术实现步骤摘要】
电压测量方法及电压测量电路
本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种电压测量方法及电压测量电路。
技术介绍
在通过发光二极管进行照明的过程中，发光二极管会随着使用时长的增加而出现老化，造成发光二极管的亮度衰减。因此，需要检测发光二极管中PN结的电压，从而根据检测得到的电压对发光二极管的亮度进行补偿。相关技术中，如图1-a所示，NMOS(Negativechannel-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金属氧化物半导体)晶体管(NMOS管)M1的漏极与发光二极管L1的N极通过电阻(R11和R12)连接，NMOS管M1的源极与地电位连接，发光二极管L1的P极与电源电压连接、N极与电流源I1连接，以便通过电流源I1对发光二极管L1进行驱动，当NMOS管M1的栅极与高电平连接时，NMOS管M1导通，可以通过如图1-a所示的电路检测得到发光二极管L1的N极与地电位之间的第一电压，并通过与图1-a所示的电路类似的如图1-b所示的电路检测得到发光二极管L1的P极与地电位之间的第二电压，从而得到发光二极管L1的P极与N极之间的电压。但是，在发光二极管L1实际工作过程中，并不存在相连接的两个电阻，从而导致测量的发光二极管L1中PN结的电压不准确。
技术实现思路
本专利技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种电压测量方法及电压测量电路，以解决测量的发光二极管中PN结的电压不准确的问题。为实现上述目的，本专利技术实施例采用的技术方案如下：第一方面，本专利技术实施例提供了一种电压测量方法，应用于电压测量电路，所述电压测量电路包括发光二极管、N型场效应晶体NMOS管和至少两个分压电阻，所述至少两个分压电阻包括第一分压电阻和第二分压电阻，所述第一分压电阻和所述第二分压电阻串联连接；所述方法包括：根据所述NMOS管的栅极的电位，获取第一电压和第二电压，所述第一电压和所述第二电压为所述NMOS管的栅极的电位处于不同状态时，所述第一分压电阻和所述第二分压电阻之间的电位；根据所述第一电压、所述第二电压和至少两个所述分压电阻进行计算，得到所述发光二极管两端的当前电压。可选的，所述根据所述NMOS管的栅极的电位，获取第一电压，包括：将所述NMOS管的栅极与电源电压连接；获取所述第一电压。可选的，所述根据所述NMOS管的栅极的电位，获取第二电压，包括：将所述NMOS管的栅极与所述发光二极管的N极连接；获取所述第二电压。可选的，所述根据所述第一电压、所述第二电压和至少两个所述分压电阻进行计算，得到所述发光二极管两端的当前电压，包括：根据所述第一分压电阻的参数值和所述第二分压电阻的参数值进行计算，得到比例参数；根据所述第一电压、所述第二电压和所述比例参数进行计算，得到所述当前电压。可选的，所述根据所述第一分压电阻的参数值和所述第二分压电阻的参数值进行计算，得到比例参数，包括：获取所述第一分压电阻的参数值与所述第二分压电阻的参数值之间的和值；将所述和值与所述第一分压电阻的参数值之间的商值作为所述比例参数。可选的，所述根据所述第一电压、所述第二电压和所述比例参数进行计算，得到所述当前电压，包括：获取所述第一电压和所述第二电压之间的差值；将所述差值和所述比例参数之间的乘积，作为所述当前电压。可选的，所述根据所述NMOS管的栅极的电位，获取第一电压和第二电压，包括：通过模数转换器，根据所述NMOS管的栅极的电位，获取所述第一电压和所述第二电压。可选的，在所述根据所述第一电压、所述第二电压和至少两个所述分压电阻进行计算，得到所述发光二极管两端的当前电压之后，所述方法还包括：获取预先设置的补偿对应关系；根据所述当前电压和所述补偿对应关系，对流过所述发光二极管的电流进行调整，使得所述发光二极管的亮度提高。可选的，所述根据所述当前电压和所述补偿对应关系，对流过所述发光二极管的电流进行调整，包括：根据所述当前电压和所述补偿对应关系，确定目标电流；根据所述目标电流对流过所述发光二极管的电流进行调整。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种电压测量电路，所述电压测量电路包括：发光二极管、NMOS管、至少两个分压电阻、电流源和控制模块；所述至少两个分压电阻包括第一分压电阻和第二分压电阻，所述第一分压电阻第一端和所述第二分压电阻的第二端连接，所述第一分压电阻第二端与地电位连接；所述发光二极管的P极与电源电压连接，所述发光二极管的N极与所述电流源的正极连接，所述电流源的负极与所述地电位连接；所述NMOS管的源极与所述第二分压电阻的第一端连接，所述NMOS管的漏极与所述电源电压连接；所述控制模块包括至少三个开关，每个开关的第一端均与所述NMOS管的栅极连接；所述至少三个开关包括第一开关、第二开关和第三开关，所述第一开关的第二端与所述电源电压连接，所述第二开关的第二端与所述发光二极管的N极连接，所述第三开关的第二端与所述地电位连接。本专利技术的有益效果是：本专利技术实施例通过在NMOS管的栅极的电位处于不同状态时，获取第一分压电阻和第二分压电阻之间的分别对应的第一电压和第二电压，并根据第一电压、第二电压和至少两个分压电阻进行计算，得到发光二极管两端的当前电压。通过在不同连接状态所对应的不同电压测量电路中，分别获取第一电压和第二电压，并结合电压测量电路中各个分压电阻对应的参数值进行计算，得到发光二极管两端的当前电压，避免了在发光二极管工作时添加分压电阻进行检测的情况，提高了获取当前电压的准确性和灵活性。进一步地，也可以避免为了保持发光二极管电流在检测与非检测时保持一致，使得分压电阻始终有电流流过而造成的功耗增加的问题，减小了获取当前电压所消耗的功耗。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本专利技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。图1-a为相关技术中提供的一种检测发光二极管中PN结的电压的电路示意图；图1-b为相关技术中提供的另一种检测发光二极管中PN结的电压的电路示意图；图2为本专利技术一实施例提供的电压测量方法的流程示意图；图3为本专利技术一实施例提供的电压测量电路的示意图；图4为本专利技术另一实施例提供的电压测量方法的流程示意图；图5为本专利技术另一实施例提供的电压测量电路的示意图；图6为本专利技术又一实施例提供的电压测量电路的示意图；图7为本专利技术又一实施例提供的电压测量电路的示意图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。图2为本专利技术一实施例提供的电压测量方法的流程示意图，应用于电压测量电路，如图2所示，该方法包括：步骤201、根据NMOS管的栅极的电位，获取第一电压和第二电压。其中，第一电压和第二电压为NMOS管的栅极的电位处于不同状态时，第一分压电阻和第二分压电阻之间的电位。如图3所示，本专利技术所涉及的电压测量电路可以包括发光二极管L3、NMOS管M3、至少两个分压电阻、电流源I3和控制模块，该至少两个分压电阻包括第一分压电阻R31本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电压测量方法，其特征在于，应用于电压测量电路，所述电压测量电路包括发光二极管、N型场效应晶体NMOS管和至少两个分压电阻，所述至少两个分压电阻包括第一分压电阻和第二分压电阻，所述第一分压电阻和所述第二分压电阻串联连接；所述方法包括：根据所述NMOS管的栅极的电位，获取第一电压和第二电压，所述第一电压和所述第二电压为所述NMOS管的栅极的电位处于不同状态时，所述第一分压电阻和所述第二分压电阻之间的电位；根据所述第一电压、所述第二电压和至少两个所述分压电阻进行计算，得到所述发光二极管两端的当前电压。

【技术特征摘要】
1.一种电压测量方法，其特征在于，应用于电压测量电路，所述电压测量电路包括发光二极管、N型场效应晶体NMOS管和至少两个分压电阻，所述至少两个分压电阻包括第一分压电阻和第二分压电阻，所述第一分压电阻和所述第二分压电阻串联连接；所述方法包括：根据所述NMOS管的栅极的电位，获取第一电压和第二电压，所述第一电压和所述第二电压为所述NMOS管的栅极的电位处于不同状态时，所述第一分压电阻和所述第二分压电阻之间的电位；根据所述第一电压、所述第二电压和至少两个所述分压电阻进行计算，得到所述发光二极管两端的当前电压。2.如权利要求1所述的电压测量方法，其特征在于，所述根据所述NMOS管的栅极的电位，获取第一电压，包括：将所述NMOS管的栅极与电源电压连接；获取所述第一电压。3.如权利要求1所述的电压测量方法，其特征在于，所述根据所述NMOS管的栅极的电位，获取第二电压，包括：将所述NMOS管的栅极与所述发光二极管的N极连接；获取所述第二电压。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一电压、所述第二电压和至少两个所述分压电阻进行计算，得到所述发光二极管两端的当前电压，包括：根据所述第一分压电阻的参数值和所述第二分压电阻的参数值进行计算，得到比例参数；根据所述第一电压、所述第二电压和所述比例参数进行计算，得到所述当前电压。5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一分压电阻的参数值和所述第二分压电阻的参数值进行计算，得到比例参数，包括：获取所述第一分压电阻的参数值与所述第二分压电阻的参数值之间的和值；将所述和值与所述第一分压电阻的参数值之间的商值作为所述比例参数。6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一电压、所述第二电压和所述比例参数进行计算，得到所述当前电压，包括：获取所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：费俊驰，竺际隆，张军，庄健，潘吉快，黄裕伟，
申请(专利权)人：无锡英迪芯微电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32