MOS抗脉冲电流测试电路制造技术

本发明专利技术涉及MOS管测试设备技术领域，具体涉及一种MOS抗脉冲电流测试电路。所述MOS抗脉冲电流测试电路包括：电源电路模块，所述电源电路模块分别与MOS测试电路模块和控制电路模块连接；MOS测试电路模块，所述MOS测试电路模块包括测试MOS管V4，所述测试MOS管V4的栅极连接测试MOS管栅极驱动电路的输出端，所述测试MOS管栅极驱动电路的输入端连接控制电路模块的低电平输出端C‑，所述控制电路模块的低电平输出端C‑输出的低电平能够使得所述测试MOS管栅极驱动电路驱动打开所述测试MOS管V4；控制电路模块，所述控制电路模块包括单片机U3及其外围电路。所述MOS抗脉冲电流测试电路通过抗脉冲保护电路的抗脉冲性能能够防止能够有效地防止整个MOS测试电路模块被烧毁。

【技术实现步骤摘要】
MOS抗脉冲电流测试电路
本专利技术涉及MOS管测试设备
，具体涉及一种MOS抗脉冲电流测试电路。
技术介绍
MOS在各种应用场合都会遇到开机大电流和负载短路时候的电流冲击问题，但是MOS管在这种大电流冲击下，能经受多大电流及多长时间，用者并没有一个量化的参数，MOS管原厂厂家虽然会提供一个的值，但是绝大多数请款下这个值只是简单的利用*4简单得出，测试条件、脉冲宽度条件都不会给出，无法得出量化条件。另外，虽然也可以通过动态热阻曲线图计算得出，但是国内大多数厂家的这张曲线图是通过仿真或其他途径得出，并不是每个产品都是实测值。
技术实现思路
为了解决现有技术中存在的不足，本专利技术提供一种MOS抗脉冲电流测试电路，所述MOS抗脉冲电流测试电路通过抗脉冲保护电路的抗脉冲性能能够防止能够有效地防止整个MOS测试电路模块被烧毁。根据本专利技术提供的技术方案，一种MOS抗脉冲电流测试电路，所述MOS抗脉冲电流测试电路包括：电源电路模块，所述电源电路模块分别与MOS测试电路模块和控制电路模块连接；MOS测试电路模块，所述MOS测试电路模块包括测试MOS管V4，所述测试MOS管V4的栅极连接测试MOS管栅极驱动电路的输出端，所述测试MOS管栅极驱动电路的输入端连接控制电路模块的低电平输出端C-，所述控制电路模块的低电平输出端C-输出的低电平能够使得所述测试MOS管栅极驱动电路驱动打开所述测试MOS管V4；所述测试MOS管V4的漏极连接第十三电阻R13的一端，所述测试MOS管V4的源极接地；所述第十三电阻R13的另一端连接抗脉冲保护电路的输出端；控制电路模块，所述控制电路模块包括单片机U3及其外围电路。进一步地，所述抗脉冲保护电路包括并联的第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3，且所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3并联的源极为所述抗脉冲保护电路的输出端；所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3的栅极共同连接保护MOS管栅极驱动电路的输出端。进一步地，所述测试MOS管栅极驱动电路包括：第九电阻R9，第十一电阻R11，第十五电阻R15，第十六电阻R16，第十九电阻R19，第三三极管Q3，第五三极管Q5，第六三极管Q6；所述第九电阻R9的一端连接15v电源和第三三极管Q3的发射极，所述第三三极管Q3的集电极连接第十一电阻R11的一端，所述第十一电阻R11的另一端连接第十九电阻R19的一端，所述第十九电阻R19的另一端为所述驱动电路的输出端，用于连接所述测试MOS管的栅极。所述第九电阻R9的另一端和第三三极管Q3的基极分别连接第五三极管Q5的集电极，所述第五三极管Q5的基极连接5v电源，第五三极管Q5的发射极连接所述控制电路模块的低电平输出端C-以及第十六电阻R16的一端，所述第十六电阻R16的另一端连接第六三极管Q6的基极，所述第六三极管Q6的集电极连接在第十一电阻R11和第十九电阻R19之间，第六三极管Q6的发射极接地。进一步地，所述测试MOS管栅极驱动电路包括：第九电阻R9，第十一电阻R11，第十五电阻R15，第十六电阻R16，第十九电阻R19，第三三极管Q3，第五三极管Q5，第六三极管Q6；所述第九电阻R9的一端连接15v电源和第三三极管Q3的发射极，所述第三三极管Q3的集电极连接第十一电阻R11的一端，所述第十一电阻R11的另一端连接第十九电阻R19的一端，所述第十九电阻R19的另一端为所述驱动电路的输出端，用于连接所述测试MOS管的栅极。所述第九电阻R9的另一端和第三三极管Q3的基极分别连接第五三极管Q5的集电极，所述第五三极管Q5的基极连接5v电源，第五三极管Q5的发射极连接所述控制电路模块的低电平输出端C-以及第十六电阻R16的一端，所述第十六电阻R16的另一端连接第六三极管Q6的基极，所述第六三极管Q6的集电极连接在第十一电阻R11和第十九电阻R19之间，第六三极管Q6的发射极接地。进一步地，所述电源电路模块包括电源集成芯片U1和电源调整芯片U2及其外围电路，所述外围电路包括第一电阻R1，第一电容C1，第二电容C2，第三电容C3，第四电容C4，第五电容C5，第六电容C6，第一二极管D1，第二二极管D2，第五二极管D5；所述第一电容C1的正极分别连接电源集成芯片U1的输出端DRAIN端和第一电阻R1，并且所述第一电容C1的正极输出电源给第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3的漏极，所述第一电容C1的负极接地，第一电阻R1的另一端连接第一二极管D1的输入端，第一二极管D1的负极接地；所述电源集成芯片U1的电源输出端VCC分别连接第二二极管D2的输出端和第二电容C2的正极，所述第二电容C2的负极连接第一电感L1的一端和电源集成芯片U1的接地端GND，第一电感L1的第一端连接第二二极管D2的输入端；电源调整芯片U2的输入端分别连接第三电容C3的正极和第四电容C4的一端，所述第三电容C3的负极和第四电容C4的另一端连接第五二极管D5的输入端，所述第五二极管D5的输出端连接电源集成芯片U1的接地端GND，所述电源调整芯片U2的输出端连接第五电容C5的正极和第六电容C6的一端，所述第五电容C5的负极和第六电容C6的另一端连接电源调整芯片U2的接地端。从以上所述可以看出，本专利技术提供的MOS抗脉冲电流测试电路，与现有技术相比具备以下优点：第一，由于第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3选取规格的电流能力远大于测试MOS管V4，且由于是三管并联，电流余量非常大，在实际使用中是不会出现电流无法关闭的情况；第二，即使测试MOS管V4发生击穿后，第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3能够进行关闭，从而断开电流回路防止使测试MOS管V4击穿后持续大电流烧毁第十三电阻R13。附图说明图1为本专利技术的电路结构示意图。100.电源电路模块，200.MOS测试电路模块，210.测试MOS管栅极驱动电路，220.抗脉冲保护电路，230.保护MOS管栅极驱动电路，300.控制电路模块。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术进一步详细说明。其中相同的零部件用相同的附图标记表示。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向。使用的词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。一种MOS抗脉冲电流测试电路，如图1所示，包括：电源电路模块100，所述电源电路模块100分别与MOS测试电路模块200和控制电路模块300连接，用于MOS测试电路模块200提供电压，给所述控制电路模块300提供电压。MOS测试电路模块200，所述MOS测试电路模块200包括测试MOS管V4，所述测试MOS管V4的栅极连接测试MOS管栅极驱动电路210的输出端，所述测试MOS管栅极驱动电路210的输入端连接控制电路模块300的低电平输出端C-，所述控制电路模块300的低电平输出端C-输出的低电平能够使得所述测试MOS管栅极驱动电路210驱动打开所述测试MOS管V4；控制电路模块300，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOS抗脉冲电流测试电路，其特征在于，所述MOS抗脉冲电流测试电路包括：电源电路模块(100)，所述电源电路模块(100)分别与MOS测试电路模块(200)和控制电路模块(300)连接；MOS测试电路模块(200)，所述MOS测试电路模块(200)包括测试MOS管V4，所述测试MOS管V4的栅极连接测试MOS管栅极驱动电路(210)的输出端，所述测试MOS管栅极驱动电路(210)的输入端连接控制电路模块(300)的低电平输出端C‑，所述控制电路模块(300)的低电平输出端C‑输出的低电平能够使得所述测试MOS管栅极驱动电路(210)驱动打开所述测试MOS管V4；所述测试MOS管V4的漏极连接第十三电阻R13的一端，所述测试MOS管V4的源极接地；所述第十三电阻R13的另一端连接抗脉冲保护电路(220)的输出端控制电路模块(300)，所述控制电路模块(300)包括单片机U3及其外围电路。

【技术特征摘要】
1.一种MOS抗脉冲电流测试电路，其特征在于，所述MOS抗脉冲电流测试电路包括：电源电路模块(100)，所述电源电路模块(100)分别与MOS测试电路模块(200)和控制电路模块(300)连接；MOS测试电路模块(200)，所述MOS测试电路模块(200)包括测试MOS管V4，所述测试MOS管V4的栅极连接测试MOS管栅极驱动电路(210)的输出端，所述测试MOS管栅极驱动电路(210)的输入端连接控制电路模块(300)的低电平输出端C-，所述控制电路模块(300)的低电平输出端C-输出的低电平能够使得所述测试MOS管栅极驱动电路(210)驱动打开所述测试MOS管V4；所述测试MOS管V4的漏极连接第十三电阻R13的一端，所述测试MOS管V4的源极接地；所述第十三电阻R13的另一端连接抗脉冲保护电路(220)的输出端控制电路模块(300)，所述控制电路模块(300)包括单片机U3及其外围电路。2.如权利要求1所述的MOS抗脉冲电流测试电路，其特征在于，所述抗脉冲保护电路(220)包括并联的第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3，且所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3并联的源极为所述抗脉冲保护电路(220)的输出端；所述第一保护MOS管V1、第一保护MOS管V2和第一保护MOS管V3的栅极共同连接保护MOS管栅极驱动电路(230)的输出端。3.如权利要求2所述的MOS抗脉冲电流测试电路，其特征在于，所述测试MOS管栅极驱动电路(210)包括：第九电阻R9，第十一电阻R11，第十五电阻R15，第十六电阻R16，第十九电阻R19，第三三极管Q3，第五三极管Q5，第六三极管Q6；所述第九电阻R9的一端连接15v电源和第三三极管Q3的发射极，所述第三三极管Q3的集电极连接第十一电阻R11的一端，所述第十一电阻R11的另一端连接第十九电阻R19的一端，所述第十九电阻R19的另一端为所述驱动电路的输出端，用于连接所述测试MOS管的栅极。所述第九电阻R9的另一端和第三三极管Q3的基极分别连接第五三极管Q5的集电极，所述第五三极管Q5的基极连接5v电源，第五三极管Q5的发射极连接所述控制电路模块(300)的低电平输出端C-以及第十六电阻R16的一端，所述第十六电阻R16的另一端连接第六三极管Q6的基极，所述第六三极管Q6的集电极连接在第十一电阻R11和第十九电阻R19之间，...

【专利技术属性】
技术研发人员：范东东，
申请(专利权)人：无锡台翔电子技术发展有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32