一种高成球率的球形二氧化硅的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高成球率的球形二氧化硅的制备方法，包括步骤：S1，提供粒径为1‑70μm的方石英；S2，利用天然气和氧气产生火焰形成火焰场，沿着方石英的输送方向，该火焰场包括温度介于1700‑1800℃的第一火焰场和温度介于1900‑2000℃的第二火焰场，20‑90wt％的方石英在第一火焰场内熔融形成熔融石英，该熔融石英和剩余的方石英在第二火焰场内通过表面张力形成液态球；S3，快速冷却定型；S4，对不同粒径的二氧化硅颗粒进行分级。通过上述制备方法，本发明专利技术所生成的球形二氧化硅的成球率可以达到70％‑90％，从而降低生产成本。

A Method of Preparing Spherical Silica with High Spherical Formation Rate

The invention relates to a preparation method of spherical silica with high spherical spherical spherical spherical formation rate, including steps: S1, providing square quartz with a particle size of 1 70 um; S2, using natural gas and oxygen to generate flame to form a flame field along the direction of transmission of square quartz, which includes the first flame field with a temperature of 1700 1800 and the second flame field with a temperature of 1900 2000 wt%. In the first flame field, fused quartz melts to form fused quartz. The fused quartz and the remaining quartz form liquid spheres through surface tension in the second flame field; S3, rapid cooling and stereotyping; S4, classifying silica particles of different sizes. By the above preparation method, the spherical silica produced by the invention can reach 70%90% of the spherical silica, thereby reducing the production cost.

【技术实现步骤摘要】
一种高成球率的球形二氧化硅的制备方法
本专利技术涉及球形二氧化硅的制备，更具体地涉及一种高成球率的球形二氧化硅的制备方法。
技术介绍
二氧化硅常被用作填料并用于封装集成电路。当塑封料的填料中所含的球形二氧化硅的含量越高时，其填充性、流动性和绝缘性能都将获得提高，并最终提高封装器件的热传导率和机械强度，并降低封装器件的热膨胀率和吸湿率，减小封装时对集成电路的损伤。因此，球形二氧化硅常被用作高端塑封料中的填料。专利申请CN200810121382.8公开了一种球形二氧化硅的制备方法，利用天然气和氧气产生火焰，使角形二氧化硅被该火焰熔融，在自由落体时通过表面的张力形成球形，其后经过冷却步骤，二氧化硅在冷却的过程中逐渐定型，最终经过风力分级，选择分出不同粒径的二氧化硅颗粒。其中，角形二氧化硅为一种α相石英。研究表明，通过上述方法获得的球形二氧化硅的成球率不高于50％。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的球形二氧化硅的成球率较低的问题，本专利技术旨在提供一种高成球率的球形二氧化硅的制备方法。本专利技术所述的高成球率的球形二氧化硅的制备方法，包括步骤：S1，提供粒径为1-70μm的方石英；S2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高成球率的球形二氧化硅的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1，提供粒径为1‑70μm的方石英；S2，利用天然气和氧气产生火焰形成火焰场，沿着方石英的输送方向，该火焰场包括温度介于1700‑1800℃的第一火焰场和温度介于1900‑2000℃的第二火焰场，20‑90wt％的方石英在第一火焰场内熔融形成熔融石英，该熔融石英和剩余的方石英在第二火焰场内通过表面张力形成液态球；S3，快速冷却定型；S4，对不同粒径的二氧化硅颗粒进行分级。

【技术特征摘要】
1.一种高成球率的球形二氧化硅的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1，提供粒径为1-70μm的方石英；S2，利用天然气和氧气产生火焰形成火焰场，沿着方石英的输送方向，该火焰场包括温度介于1700-1800℃的第一火焰场和温度介于1900-2000℃的第二火焰场，20-90wt％的方石英在第一火焰场内熔融形成熔融石英，该熔融石英和剩余的方石英在第二火焰场内通过表面张力形成液态球；S3，快速冷却定型；S4，对不同粒径的二氧化硅颗粒进行分级。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，10-80wt％的方石英在第一火焰场中保持未熔融状态。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在第二火焰场，熔融石英和在第一火焰场中保持未熔融状态的方石英形成混合物，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李文，陈树真，敖洲，陈晓飞，袁灿，陈淑艳，
申请(专利权)人：浙江华飞电子基材有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33