The 78 pairs of rod polycrystalline silicon reduction furnace provided by the new type includes skirt 1, chassis 2, furnace body intake pipeline 3, furnace body 4, jacket 5, furnace body cooling water outlet 6, silicon core 7, mirror 8, furnace body cooling water inlet 9, chassis intake pipeline 10, chassis exhaust pipeline 11, chassis cooling water outlet 12, electrode base 13, chassis cooling water inlet 14. The gas concentration distribution regulating pipeline system comprises a furnace body intake pipeline 3 for injecting reactive gas and a chassis intake pipeline 10 for injecting reactive gas; a furnace body intake pipeline 3 for allowing the reaction gas to enter the reaction chamber from top to bottom; the chassis intake pipeline enables the reaction gas to enter the reaction chamber from bottom to top; both pipelines are co-regulated. The uniform distribution around the silicon core 7 improves the growth rate of the upper part of the silicon rod, which is similar to the growth rate of the lower part of the silicon rod, ensures the uniformity of the silicon rod and improves the product quality.
【技术实现步骤摘要】
一种78对棒多晶硅还原炉
本技术专利涉及气相沉积反应还原炉,尤其涉及多晶硅气相沉积反应还原炉。
技术介绍
多晶硅具有半导体性质,是极为重要的优良半导体材料,多晶硅材料中微量的杂质既可大大影响其导电性,为得到高纯度的多晶硅单质,国际上目前使用最广的方法是改良西门子法,其核心设备为还原炉,还原炉中三氯氢硅和氢气发生沉积反应生成高纯度多晶硅。改良西门子法是将高纯的氢气和高纯度的硅的反应物(多为硅卤化物)作为原料,按一定比例通入到反应容器内(即多晶硅还原炉),在高温下,氢气与三氯氢硅的反应物生成硅,形成的多晶硅会沉积在硅芯上。随着化学反应的继续,硅芯直径增大,一般直径到达150-180mm,即为所需产品。现有多晶硅还原炉存在结构设计缺陷,使得设备内反应物浓度不均,造成沉积反应的速率不同,生产中容易发生“倒棒”、“夹层”等问题,降低硅棒的品质。多晶硅还原炉生产为间歇式生产,除了反应阶段外,硅芯安装、硅棒取出及配管密封等需要大量时间。反应过程中所需的温度由硅芯通电提供,大量能量通过辐射热的形式被还原炉内壁吸收通过冷却水排出。根据多晶硅反应的特点,提高单台设备产能、提高设备可靠性、降低能耗成为当前需要急需解决的课题。
技术实现思路
本技术的主要目的,在于提供一种78对棒多晶硅还原炉。对还原炉设备的反应物进料、排气方式、电极座布置及设备内部材料进行优化设计,达到提高还原炉单台生产效率、降低综合能耗的目的。本技术的78对棒多晶硅还原炉,包括:一炉体,内设有反应腔体,硅芯位于所述反应腔体内;一底盘座,位于炉体底部且与所述反应腔体连接,所述底盘座上设有多个进气口、多个排气管口和78对电 ...
【技术保护点】
1.一种78对棒多晶硅还原炉,其特征在于,包括:一炉体,内设有反应腔体,硅芯位于所述反应腔体内;一底盘座,位于所述炉体底部且与所述反应腔体连接,所述底盘座上设有多个进气口、多个排气管口和78对电极座,所述硅芯与所述电极座电性连接;一气体浓度分布调节管路系统,包括一注入反应气体的炉体进气管路以及注入反应气体的底盘进气管路;所述炉体进气管路与所述反应腔体连通,且所述炉体进气管路的出气口位于所述硅芯的上部位置,用以使所述反应气体自上而下进入所述反应腔体内;所述底盘进气管路,具有多个进气支管,每一所述进气支管与所述进气口对应连接,所述进气口与所述反应腔体连通,所述底盘进气管路使得所述反应气体自下而上进入所述反应腔体内;所述反应气体在所述炉体进气管路和所述底盘进气管路共同调节下均匀分布在所述硅芯周围;一底盘排气管路,具有多个排气支管,每一所述排气支管与所述排气管口对应连接,所述排气管口与所述反应腔体连通;一冷却水腔体,设置在所述底盘座上,用于对所述底盘座降温,所述冷却水腔体具有一底盘冷却水出口管和一底盘冷却水进口管,所述底盘冷却水进口管与所述底盘排气管路套接连接,所述底盘排气管路套设在所述冷却水 ...
【技术特征摘要】
1.一种78对棒多晶硅还原炉,其特征在于,包括:一炉体,内设有反应腔体,硅芯位于所述反应腔体内;一底盘座,位于所述炉体底部且与所述反应腔体连接,所述底盘座上设有多个进气口、多个排气管口和78对电极座,所述硅芯与所述电极座电性连接;一气体浓度分布调节管路系统,包括一注入反应气体的炉体进气管路以及注入反应气体的底盘进气管路;所述炉体进气管路与所述反应腔体连通,且所述炉体进气管路的出气口位于所述硅芯的上部位置,用以使所述反应气体自上而下进入所述反应腔体内;所述底盘进气管路,具有多个进气支管,每一所述进气支管与所述进气口对应连接,所述进气口与所述反应腔体连通,所述底盘进气管路使得所述反应气体自下而上进入所述反应腔体内;所述反应气体在所述炉体进气管路和所述底盘进气管路共同调节下均匀分布在所述硅芯周围;一底盘排气管路,具有多个排气支管,每一所述排气支管与所述排气管口对应连接,所述排气管口与所述反应腔体连通;一冷却水腔体,设置在所述底盘座上,用于对所述底盘座降温,所述冷却水...
【专利技术属性】
技术研发人员:张万尧,秦云龙,安亚中,孙中心,周涛,张继春,吴炳珑,冉蔡玲,郭雨,冯小朋,周钰君,张国海,
申请(专利权)人:天华化工机械及自动化研究设计院有限公司,
类型:新型
国别省市:甘肃,62
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