一种单晶硅片截面打磨用滚磨机制造技术

技术编号:21234467 阅读:91 留言:0更新日期:2019-06-01 00:00
本发明专利技术公开了一种单晶硅片截面打磨用滚磨机,涉及单晶硅片技术领域,包括底座,所述底座的上方固定连接有支架,所述支架的上端固定连接有横杆,所述横杆的侧面固定连接有滑杆。本发明专利技术在使用时,将单晶硅片放置在下托板上的托槽中,然后转动上压板并插入插销,此时压块将单晶硅片压制在托槽中,然后启动驱动电机,摇动摇把,此时摇把通过螺纹杆带动滑块在滑杆上滑动,从而将安装在下托板上的单晶硅片向滚筒的方向移动,进而对单晶硅片截面进行打磨,相比较现有的滚磨机,新型的单晶硅片截面打磨用滚磨机,能够对打磨的深度进行控制,从而提高产品质量,并且单次可以打磨多个单晶硅片,加工效率更高,提高生产效率。

A Rolling Mill for Cross Section Grinding of Single Crystal Silicon Wafers

The invention discloses a rolling mill for cross-section grinding of single crystal silicon wafer, which relates to the technical field of single crystal silicon wafer, including a base, the upper end of which is fixedly connected with a cross bar, and the lateral side of the cross bar is fixedly connected with a slide bar. When the invention is in use, the single crystal silicon wafer is placed in the bracket of the lower bracket, then the upper pressure plate is rotated and inserted into the bolt. At this time, the single crystal silicon wafer is pressed in the bracket by the pressing block, then the driving motor is started, and the rocking handle is shaken. At this time, the rocking handle drives the sliding block to slide on the sliding bar through the screw rod, thereby moving the single crystal silicon wafer mounted on the lower bracket to the direction of the drum, and then to Compared with the existing rolling mill, the new type of rolling mill for single crystal silicon wafer section grinding can control the grinding depth, thus improving product quality, and can grind multiple single crystal silicon wafers at a single time, with higher processing efficiency and higher production efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅片截面打磨用滚磨机
本专利技术涉及单晶硅片
,具体是一种单晶硅片截面打磨用滚磨机。
技术介绍
单晶硅片:硅的单晶体,是一种具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成,单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造,其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域,在军事电子设备中也占有重要地位。在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天,利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能,实现了迈向绿色能源革命的开始。现在,国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段,正在向实际应用阶段过渡,太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围,市场需求量不言而喻。目前市场上使用滚磨机对单晶硅片的截面进行打磨,在使用的时候,需要人工不间断的插入取下,这个滚磨面积更插入的深度有直接关系,导致滚磨截面受到影响,同时人工打磨一次只能打磨一片单晶硅片,加工效率低下。因此,本领域技术人员提供了一种单晶硅片截面打磨用滚磨机,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。专
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种单晶硅片截面打磨用滚磨机,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种单晶硅片截面打磨用滚磨机,包括底座,所述底座的上方固定连接有支架,所述支架的上端固定连接有横杆,所述横杆的侧面固定连接有滑杆,所述横杆的上方固定连接有支块,所述支块转动连接有摇把,所述摇把固定连接有螺纹杆,所述滑杆上滑动连接有滑块,所述螺纹杆的一端转动连接于所述滑块,所述滑块的侧面固定连接有下托板,所述下托板的侧面转动连接有铰链,所述铰链转动连接有上压板,所述底座的上表面安装有驱动电机,所述驱动电机的输出轴传动连接有驱动皮带轮,所述驱动皮带轮传动连接有传动皮带,所述横杆的侧面固定连接有支杆,所述支杆转动连接有滚筒,所述滚筒传动连接有从动皮带轮,所述从动皮带轮传动连接于所述传动皮带,所述驱动电机与外部电源电性连接。作为本专利技术进一步的方案:所述下托板的上表面开设有托槽,所述上压板的下表面设置有压块,所述托槽和压块相适配。作为本专利技术再进一步的方案:所述上压板的左端固定连接有上卡块,所述下托板的左端固定连接有下卡块,所述下卡块和上卡块相适配。作为本专利技术再进一步的方案:所述下卡块销接有插销,所述上卡块的侧面开设有孔洞,所述孔洞和所述插销相适配。作为本专利技术再进一步的方案:所述托槽的数量为五个,每个所述托槽之间等距分布。作为本专利技术再进一步的方案:所述压块的数量为五个,每个所述压块之间等距分布。作为本专利技术再进一步的方案:所述上压板和下托板的长度相等,所述滑杆的数量为两个,两个所述滑杆之间相平行。作为本专利技术再进一步的方案:所述滑块的两侧开设有滑孔,两个所述滑孔分布和两个所述滑杆相适配。作为本专利技术再进一步的方案:所述底座的下方固定连接有垫脚,所述垫脚的数量为四个,四个所述垫脚分布于所述底座的四个拐角处。作为本专利技术再进一步的方案:所述托槽设置为矩形,且所述托槽靠近所述滚筒的一侧设置为开口。与现有技术相比,本专利技术的有益效果是:本专利技术在使用时,将单晶硅片放置在下托板上的托槽中,然后转动上压板并插入插销,此时压块将单晶硅片压制在托槽中,然后启动驱动电机,摇动摇把,此时摇把通过螺纹杆带动滑块在滑杆上滑动,从而将安装在下托板上的单晶硅片向滚筒的方向移动,进而对单晶硅片截面进行打磨,相比较现有的滚磨机,新型的单晶硅片截面打磨用滚磨机,能够对打磨的深度进行控制,从而提高产品质量,并且单次可以打磨多个单晶硅片,加工效率更高,提高生产效率。附图说明图1为一种单晶硅片截面打磨用滚磨机的结构示意图;图2为一种单晶硅片截面打磨用滚磨机中下托板的结构示意图;图3为一种单晶硅片截面打磨用滚磨机的侧视结构示意图;图4为一种单晶硅片截面打磨用滚磨机中上卡块的结构示意图;图5为一种单晶硅片截面打磨用滚磨机的俯视结构示意图。图中:1、底座;2、支架;3、横杆;4、支块;5、滑块;6、上压板;7、下托板;8、滚筒;9、从动皮带轮;10、支杆;11、传动皮带;12、驱动皮带轮;13、驱动电机;14、垫脚;15、摇把;16、插销;17、压块;18、托槽;19、铰链;20、螺纹杆;21、滑杆;22、上卡块;23、下卡块。具体实施方式请参阅图1~5,本专利技术实施例中,一种单晶硅片截面打磨用滚磨机,包括底座1,底座1的上方固定连接有支架2,支架2的上端固定连接有横杆3,横杆3的侧面固定连接有滑杆21,横杆3的上方固定连接有支块4,支块4转动连接有摇把15,摇把15固定连接有螺纹杆20,滑杆21上滑动连接有滑块5,螺纹杆20的一端转动连接于滑块5,滑块5的侧面固定连接有下托板7,下托板7的侧面转动连接有铰链19,铰链19转动连接有上压板6,底座1的上表面安装有驱动电机13,驱动电机13的输出轴传动连接有驱动皮带轮12,驱动皮带轮12传动连接有传动皮带11,横杆3的侧面固定连接有支杆10,支杆10转动连接有滚筒8,滚筒8传动连接有从动皮带轮9,从动皮带轮9传动连接于传动皮带11,驱动电机13与外部电源电性连接,本专利技术在使用时,在加工前,先将插销16向外拔出,此时插销16脱离孔洞,先将上压板6通过铰链19向上掀起,将单晶硅片放置在下托板7上的托槽18中,然后通过铰链19转动上压板6并插入插销16,此时上卡块22和下卡块23卡合,压块17将单晶硅片压制在托槽18中,然后启动驱动电机13,驱动电机13的输出轴带动驱动皮带轮12转动,驱动皮带轮12通过传动皮带11带动从动皮带轮9转动,从动皮带轮9带动滚筒8转动,摇动摇把15,此时摇把15通过螺纹杆20带动滑块5在滑杆21上滑动,从而将安装在下托板7上的单晶硅片向滚筒8的方向移动,进而对单晶硅片截面进行打磨,通过摇动摇把15即可控制单晶硅片和滚筒8之间的距离,从而给控制打磨的深度,和人工控制打磨深度相比,摇动摇把15更加简单方便,并且能够大大提高精度,相比较现有的滚磨机,新型的单晶硅片截面打磨用滚磨机,能够对打磨的深度进行控制,从而提高产品质量,并且单次可以打磨多个单晶硅片,加工效率更高,提高生产效率。下托板7的上表面开设有托槽18,上压板6的下表面设置有压块17,托槽18和压块17相适配,如图2所示,在使用前,先将上压板6通过铰链19向上掀起,将单晶硅片放置在下托板7上的托槽18中,然后通过铰链19转动上压板6并插入插销16,此时上卡块22和下卡块23卡合,压块17将单晶硅片压制在托槽18中,从而完成对单晶硅片的安装。上压板6的左端固定连接有上卡块22,下托板7的左端固定连接有下卡块23,下卡块23和上卡块22相适配,如图4所示,将单晶硅本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种单晶硅片截面打磨用滚磨机,包括底座(1),其特征在于,所述底座(1)的上方固定连接有支架(2),所述支架(2)的上端固定连接有横杆(3),所述横杆(3)的侧面固定连接有滑杆(21),所述横杆(3)的上方固定连接有支块(4),所述支块(4)转动连接有摇把(15),所述摇把(15)固定连接有螺纹杆(20),所述滑杆(21)上滑动连接有滑块(5),所述螺纹杆(20)的一端转动连接于所述滑块(5),所述滑块(5)的侧面固定连接有下托板(7),所述下托板(7)的侧面转动连接有铰链(19),所述铰链(19)转动连接有上压板(6),所述底座(1)的上表面安装有驱动电机(13),所述驱动电机(13)的输出轴传动连接有驱动皮带轮(12),所述驱动皮带轮(12)传动连接有传动皮带(11),所述横杆(3)的侧面固定连接有支杆(10),所述支杆(10)转动连接有滚筒(8),所述滚筒(8)传动连接有从动皮带轮(9),所述从动皮带轮(9)传动连接于所述传动皮带(11),所述驱动电机(13)与外部电源电性连接。

【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片截面打磨用滚磨机,包括底座(1),其特征在于,所述底座(1)的上方固定连接有支架(2),所述支架(2)的上端固定连接有横杆(3),所述横杆(3)的侧面固定连接有滑杆(21),所述横杆(3)的上方固定连接有支块(4),所述支块(4)转动连接有摇把(15),所述摇把(15)固定连接有螺纹杆(20),所述滑杆(21)上滑动连接有滑块(5),所述螺纹杆(20)的一端转动连接于所述滑块(5),所述滑块(5)的侧面固定连接有下托板(7),所述下托板(7)的侧面转动连接有铰链(19),所述铰链(19)转动连接有上压板(6),所述底座(1)的上表面安装有驱动电机(13),所述驱动电机(13)的输出轴传动连接有驱动皮带轮(12),所述驱动皮带轮(12)传动连接有传动皮带(11),所述横杆(3)的侧面固定连接有支杆(10),所述支杆(10)转动连接有滚筒(8),所述滚筒(8)传动连接有从动皮带轮(9),所述从动皮带轮(9)传动连接于所述传动皮带(11),所述驱动电机(13)与外部电源电性连接。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅片截面打磨用滚磨机,其特征在于,所述下托板(7)的上表面开设有托槽(18),所述上压板(6)的下表面设置有压块(17),所述托槽(18)和压块(17)相适配。3.根据权利要求1所述的一种单晶硅片截面打磨用滚磨机,其特征在于,所述上压板(6)的左端固定连接有上...

【专利技术属性】
技术研发人员:李鹭赵富军傅昭林
申请(专利权)人:成都青洋电子材料有限公司
类型:发明
国别省市:四川,51

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