本实用新型专利技术公开了一种单晶硅片自动去胶的水热装置，属于硅片生产技术领域，解决了在硅片加工过程中，加工后的硅片上残存有粘胶渍、废屑以及灰尘等异物而影响硅片后续性能的技术问题。它包括装置底座、水热脱胶组件、升降托架组件以及排风组件；水热脱胶组件包括设置在装置底座上方的水热槽以及用于对水热槽内液体加热的加热装置，所述水热槽上连接有正面及上方敞开设置的围壁结构；所述围壁结构的一侧侧壁上连接有升降托架组件，所述升降托架组件包括用于放置待脱胶硅片的放置架结构以及升降电机。本实用新型专利技术提供的单晶硅片自动去胶水热装置，能够更好的用于清除硅片加工后其上残存的粘胶渍、废屑以及灰尘等异物，工作效率高，使用方便。使用方便。使用方便。
【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅片自动去胶的水热装置
[0001]本技术涉及硅片生产
，具体涉及一种单晶硅片自动去胶的水热装置。
技术介绍
[0002]单晶硅片加工工艺单晶硅片加工工艺主要为：切断
→
外径滚圆
→
切片
→
倒角
→
研磨
→
腐蚀、清洗等。
①
切断：是指在晶体生长完成后，沿垂直与晶体生长的方向切去晶体硅头尾无用的部分，即头部的籽晶和放肩部分以及尾部的收尾部分。通常利用外圆切割机进行切割。外圆切割机刀片边缘为金刚石涂层。
②
外径滚圆：在直拉单晶硅中，由于晶体生长方时的热振动，热冲击等原因，晶体表面都不是非常平滑的，也就是说整根单晶硅的直径有一定偏差起伏；而且晶体生长完成后的单晶硅棒表面存在扁平的棱线，需要进一步加工，使得整根单晶硅棒的直径达到统一，以便于在后续的材料和加工工艺中操作。
③
切片：在单晶硅滚圆工序完成后，需要对单晶硅棒切片。
④
倒角：将单晶硅棒切割成晶片，晶片锐利边需要休整成圆弧形，主要防止晶片边缘破裂及晶格缺陷产生。
⑤
研磨：切片后，在硅片的表面产生线痕，需要通过研磨除去切片所造成的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅的翘曲度、平坦度与平行度，达到一个抛光处理的过程规格。
⑥
腐蚀，清洗：切片后，硅片表面有机械损伤层，近表面晶体的晶格不完整，而且硅片表面有金属粒子等杂质污染。在单晶硅片加工过程中很多步骤需要用到清洗，清洗的目的在于清除晶片表面所有的污染源。
[0003]在硅片的切片过程中，为了防止切割过程中硅片发生位移导致切割不精确或者损伤材料，影响精度和效果，需要将硅棒粘接到板上固定，然后进行切割。在切割完成后，硅片上会残存有粘胶渍、废屑和灰尘等异物，如果不清除会影响后续加工，导致硅片的性能大大下降。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种单晶硅片自动去胶的水热装置，以解决硅片加工过程中，加工后的硅片上残存有粘胶渍、废屑以及灰尘等异物而影响硅片后续性能的技术问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供了以下技术方案：
[0006]本技术提供的一种单晶硅片自动去胶的水热装置，包括装置底座、水热脱胶组件、升降托架组件以及排风组件；所述水热脱胶组件包括设置在装置底座上方的水热槽以及用于对水热槽内液体加热的加热装置，所述水热槽上连接有正面及上方敞开设置的围壁结构；所述围壁结构的一侧侧壁上连接有升降托架组件，所述升降托架组件包括用于放置待脱胶硅片的放置架结构以及升降电机；所述围壁结构上端连接有所述排风组件。
[0007]可选的或优选的，所述加热装置为水热槽下方或周围设置的单个或多个加热棒。
[0008]可选的或优选的，所述水热槽内通入的液体为水或胶溶解剂。
[0009]可选的或优选的，所述放置架结构包括横向设置的托架以及与托架连接的支撑
架；所述托架通过支撑架与升降电机连接。
[0010]可选的或优选的，所述排风组件包括集气罩以及与集气罩连接的排风管；所述集气罩设置在所述围壁结构上端，集气罩的顶部连接有排风管的一端。
[0011]可选的或优选的，所述排风管的另一端连接有集气或空气净化装置。
[0012]基于上述技术方案，本技术实施例至少可以产生如下技术效果：
[0013]本技术提供的单晶硅片自动去胶的水热装置，通过升降托架组件将待脱胶硅片置于水热槽中，经水热槽内液体浸泡以及加热棒加热后，实现对硅片上粘胶渍、废屑以及灰尘等异物的去除，进而保持硅片的良好性能。
附图说明
[0014]图1是本技术实施例的正视图；
[0015]图2是本技术实施例沿A
‑
A方向的剖面示意图；
[0016]图3是本技术实施例沿B
‑
B方向的剖面示意图。
[0017]图中：1、托架；2、水热槽；3、加热棒；4、装置底座；5、升降电机；6、支撑架；7、排风管；8、集气罩。
具体实施方式
[0018]下面将结合本技术实施例中的附图；对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述；显然；所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例；而不是全部的实施例，基于本技术中的实施例；本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例都属于本技术保护的范围。
[0019]请参阅图1至图3，一种单晶硅片自动去胶的水热装置，包括装置底座4、水热脱胶组件、升降托架组件以及排风组件；所述水热脱胶组件包括设置在装置底座4上方的水热槽2以及用于对水热槽2内液体加热的加热装置，所述水热槽2上连接有正面及上方敞开设置的围壁结构；所述围壁结构的一侧侧壁上连接有升降托架组件，所述升降托架组件包括用于放置待脱胶硅片的放置架结构以及升降电机5；所述围壁结构上端连接有所述排风组件。
[0020]作为可选的实施方式，所述加热装置为水热槽2下方或周围设置的单个或多个加热棒3。
[0021]本实施例中，所述水热槽2下方的装置底座4内设置有两个用于水热槽2内液体加热的加热棒3。
[0022]作为可选的实施方式，所述水热槽2内通入的液体为水或胶溶解剂。
[0023]本实施例中，所述水热槽2内通入的液体为水。
[0024]作为可选的实施方式，所述放置架结构包括横向设置的托架1以及与托架1连接的支撑架6；所述托架1通过支撑架6与升降电机5连接。
[0025]本实施例中，所述支撑架6与托架1呈L型结构，所述托架1水平设置在水热槽2的上方，托架1设置为矩形；所述托架的一边固定连接有支撑架6；所述围壁结构中设有升降电机5的一侧上开设有通槽，所述支撑架6通过通槽与升降电机5连接，从而通过升降电机5实现托架1及支撑架6的上下移动，进而使待去胶的硅棒实现放置、水热去胶、去胶完毕后取出的工作过程。
[0026]作为可选的实施方式，所述排风组件包括集气罩8以及与集气罩8连接的排风管7；所述集气罩8设置在所述围壁结构上端，集气罩8的顶部连接有排风管7的一端。
[0027]作为可选的实施方式，所述排风管7的另一端连接有集气或气体净化装置。
[0028]本实施例中，在该单晶硅片自动去胶的水热装置上方设置有集排气装置以及集气或净化装置的目的在于，在加热除胶的过程中可能会存在产生有毒有害气体的情况，出于对操作装置的现场工作人员以及环境保护的考虑，设置有该集排气装置，提高了装置的安全及环保性能。
[0029]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“设置有”、“套设/接”、“连接”等，应做广义理解，例如“连接”，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅片自动去胶的水热装置，包括装置底座（4），其特征在于，还包括水热脱胶组件、升降托架组件以及排风组件；所述水热脱胶组件包括设置在装置底座（4）上方的水热槽（2）以及用于对水热槽（2）内液体加热的加热装置，所述水热槽（2）上连接有正面及上方敞开设置的围壁结构；所述围壁结构的一侧侧壁上连接有升降托架组件，所述升降托架组件包括用于放置待脱胶硅片的放置架结构以及升降电机（5）；所述围壁结构上端连接有所述排风组件。2.根据权利要求1所述的单晶硅片自动去胶的水热装置，其特征在于，所述加热装置为水热槽（2）下方或周围设置的单个或多个加热棒（3）。3.根据权利要求1所述的单晶硅片自动去胶的水...
【专利技术属性】
技术研发人员：代刚，贾涛，傅昭林，
申请(专利权)人：成都青洋电子材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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