The invention relates to a preparation method of high purity nanometer silicon monoxide, belonging to the technical field of silicon monoxide preparation. In the invention, silicon oxide powder is vacuum dried for 1 to 12 hours at the temperature of 60-120 C, argon is injected into the plasma furnace to discharge air from the plasma furnace, argon is continuously injected into the plasma furnace as protective gas and carrier gas, and vacuum dried silicon oxide powder is gasified by feeding into the powder feeder, and high purity nano-scale oxidation is obtained by condensation. Silicon. The invention can reduce the preparation cost of high-purity nano-silica, reduce the emission of three wastes, form a good resource utilization and environmental protection; high-purity nano-silica can be directly applied in the fields of coating, fine ceramic preparation, lithium-ion battery negative material, etc.
【技术实现步骤摘要】
一种高纯纳米一氧化硅的制备方法
本专利技术涉及一种高纯纳米一氧化硅的制备方法，属于一氧化硅制备
技术介绍
一氧化硅是一种宽带隙半导体光学材料，广泛用于真空镀膜。一氧化硅是已经被研究应用的材料中理论比容量较高的负极材料，容量可达到1400mAh/g，因其具有高的比容量及优异的循环性能而受到人们的广泛关注,有望作为锂离子电池石墨化碳材料的替代产品。目前，制备一氧化硅粉末的方法有3种。第一种是利用碳与二氧化硅在高温条件下进行反应制备一氧化硅。第二种是利用氢气与二氧化硅在高温条件下进行反应制备一氧化硅，此方法比较危险，一般不适合大规模工业化生产。第三种是利用硅粉与二氧化硅粉在高温及真空条件下进行反应制备一氧化硅，此方法是目前制备一氧化硅的主要方法，此方法反应耗时长、能耗高。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术存在的问题，提供一种高纯纳米一氧化硅的制备方法，本专利技术能降低高纯纳米一氧化硅的制备成本，减少三废的排放，形成良好的资源利用及环境保护。一种高纯纳米一氧化硅的制备方法，具体步骤如下：（1）将一氧化硅粉末置于温度为60~120℃条件下真空干燥处理1~12h；（...
【技术保护点】
1.一种高纯纳米一氧化硅的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）将一氧化硅粉末置于温度为60~120℃条件下真空干燥处理1~12h；（2）将氩气通入等离子体炉内排出等离子炉中的空气；（3）持续将氩气通入等离子体炉内作为保护气和载气，并将步骤（1）中真空干燥处理的一氧化硅粉末通过进粉器进料使一氧化硅粉气化，冷凝即得高纯纳米一氧化硅。
【技术特征摘要】
1.一种高纯纳米一氧化硅的制备方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）将一氧化硅粉末置于温度为60~120℃条件下真空干燥处理1~12h；（2）将氩气通入等离子体炉内排出等离子炉中的空气；（3）持续将氩气通入等离子体炉内作为保护气和载气，并将步骤（1）中真空干燥处理的一氧化硅粉末通过进粉器进料使一氧化硅粉气化，冷凝即得高纯纳米一氧化硅。2.根据权利要求1所述高纯纳米一...
【专利技术属性】
技术研发人员：马文会，陈新亮，万小涵，李绍元，魏奎先，伍继君，雷云，于洁，谢克强，杨斌，戴永年，
申请(专利权)人：昆明理工大学，
类型：发明
国别省市：云南,53
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