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本发明涉及一种高纯纳米一氧化硅的制备方法，属于一氧化硅制备技术领域。本发明将一氧化硅粉末置于温度为60~120℃条件下真空干燥处理1~12h；将氩气通入等离子体炉内排出等离子炉中的空气；持续将氩气通入等离子体炉内作为保护气和载气，并将真空干...
该专利属于昆明理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过昆明理工大学授权不得商用。

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