高导电率一氧化硅的生产设备及方法技术

本发明专利技术提供一种高导电率一氧化硅的生产设备及方法，涉及纳米材料制备技术领域，所述设备包括反应装置、与所述反应装置管路连通的真空泵、与所述反应装置管路连通的掺杂物生成装置和与所述掺杂物生成装置管路连通的掺杂源供给部，所述反应装置内部设有迂回的流体通道，所述反应装置上设有蒸汽入口；掺杂是一种气态掺杂过程，所得到的掺杂后的一氧化硅颗粒大小均匀，掺杂效果均匀，大大提高了电子导电率。

Production Equipment and Method of High Conductivity Silicon Monoxide

The invention provides a production equipment and method of high conductivity silicon monoxide, which relates to the technical field of nanomaterial preparation. The equipment includes a reaction device, a vacuum pump connected with the reaction device pipeline, a doping generator connected with the reaction device pipeline and a doping source supply connected with the doping generator pipeline. The reaction device is internally provided with a doping source supply unit. The reaction device is equipped with a steam inlet. Doping is a gaseous doping process. The doped silica particles are uniform in size and doping effect, which greatly improves the electronic conductivity.

【技术实现步骤摘要】
高导电率一氧化硅的生产设备及方法
本专利技术涉及纳米材料制备
，具体涉及一种高导电率一氧化硅的生产设备及方法。
技术介绍
目前锂离子电池负极材料以碳系材料为主，其中包括天然石墨与人造石墨，但其较低的理论容量(372mAh/g)，已经不再适应锂离子电池对高容量、小体积的发展要求。因此，人们迫切需要开发一种能够替代石墨材料的高容量型锂离子电池用负极材料。在诸多的可替代材料中，硅材料因具有较高比容量(理论值为4200mAh/g)，成为替代天然石墨与人造石墨的极具潜力的一种材料。一氧化硅用于锂离子电池负极，具备较高的理论比容量，但一氧化硅本身电阻率大，使得电池可逆容量迅速衰减，在高倍率下尤为严重。现有技术中提高一氧化硅电导率的方法通常在其表面引入机械与导电性能优良的碳材料或者导电聚合物，然而一氧化硅本身的电子电导率并没有提高，制约了其在锂离子领域的应用。因此有效提高一氧化硅的导电率，避免可逆容量迅速衰减成为当前丞待解决的问题。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种高导电率一氧化硅的生产设备及方法，制备得到的一氧化硅导电率得到有效提高，解决了一氧化硅电阻率大的问题。为实现以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高导电率一氧化硅的生产设备，其特征在于，包括反应装置、与所述反应装置管路连通的真空泵、与所述反应装置管路连通的掺杂物生成装置和与所述掺杂物生成装置管路连通的掺杂源供给部，所述反应装置内部设有迂回的流体通道，所述反应装置上设有蒸汽入口。

【技术特征摘要】
1.一种高导电率一氧化硅的生产设备，其特征在于，包括反应装置、与所述反应装置管路连通的真空泵、与所述反应装置管路连通的掺杂物生成装置和与所述掺杂物生成装置管路连通的掺杂源供给部，所述反应装置内部设有迂回的流体通道，所述反应装置上设有蒸汽入口。2.如权利要求1所述的高导电率一氧化硅的生产设备，其特征在于，还包括生成一氧化硅蒸汽的供给装置和尾气处理装置，所述供给装置通过所述蒸汽入口与所述反应装置连通，所述尾气处理装置与所述真空泵管路连通。3.如权利要求1所述的高导电率一氧化硅的生产设备，其特征在于，所述掺杂源供给部包括氧气支路、稀释气支路和载气支路，所述载气支路上设有掺杂源装置。4.如权利要求1所述的高导电率一氧化硅的生产设备，其特征在于，所述反应装置内部设有若干隔板，所述流体通道由所述若干隔板交错形成。5.如权利要求2所述的高导电率一氧化硅的生产设备，其特征在于，所述流体通道第一端为进气口，第二端为排气口，所述掺杂物生成装置与所述进气口连通，所述蒸汽入口对应设于所述进气口处，所述真空泵与所述排气口连通。6.一种高导电率一氧化硅的生产方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将反应物装填进所述掺杂源装置内，关闭所述掺杂源供给部与掺杂物生成装置之间的管路连通，将所述生产设备抽真空处理；S2、调节所述反应装置内部温度至预设温度A并保温，调节所述掺杂物生成装置内部温度至预设温度B并保温；S3、向所述反应装置内通入一氧化硅蒸汽，同时打开所述掺杂源供给部与掺杂物生成装置之间的管路连通，将所述反应物通入所述掺杂物生成装置内进行反应生成掺杂物，所述掺杂物随后进入所述反应装置与一氧化硅蒸汽反应；S4、停止一氧化硅蒸汽的通入，停止掺杂物生成装置内部保温...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈青华，肖旦，房冰，
申请(专利权)人：杭州致德新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33