氧化硅的制备方法、包含该氧化硅的负极活性材料、负极和二次电池技术

本发明专利技术提供氧化硅的制备方法、包含所述氧化硅的负极活性材料、负极和二次电池。所述氧化硅的制备方法包括：将硅和二氧化硅混合并放入反应室内；降低反应室的压力以获得高真空度，同时将所述反应室内的温度升高到反应温度；以及在还原气氛下使硅和二氧化硅的混合物反应；其中所述高真空度在10

【技术实现步骤摘要】
氧化硅的制备方法、包含该氧化硅的负极活性材料、负极和二次电池本专利技术专利申请是基于申请日为2013年10月15日，专利技术名称为“氧化硅的制备方法”，申请号为201380004034.1的中国专利申请的分案申请。
本专利技术涉及一种氧化硅的制备方法，通过该法可以控制氧化硅中氧的量。
技术介绍
锂二次电池是一种能量储存装置，其中，电能储存在电池中，同时，在放电过程中，锂离子从负极向正极移动，而在充电过程中，锂离子从正极向负极移动。当与其他电池相比时，锂二次电池具有更高的能量密度和更低的自放电率，因此，锂二次电池广泛地用于各种行业。锂二次电池的部件可以分为正极、负极、电解质和隔膜。在早期的锂二次电池中，锂金属用作负极活性材料。然而，由于当重复充放电时可能发生安全问题，所以，锂金属已经被碳基材料(例如，石墨)取代。由于碳基负极活性材料具有类似于锂金属的与锂离子的电化学反应电位，并且在锂离子连续的嵌入和脱嵌过程中晶体结构的变化较小，因此，连续充放电成为可能。因此，能够提供优异的充放电寿命。然而，由于锂二次电池市场最近从移动设备中使用的小型锂二次电池扩展到车辆中使用的大型二次电池，故需要开发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化硅的制备方法，所述方法包括：将硅和二氧化硅混合并放入反应室内；降低所述反应室的压力以获得高真空度，同时将所述反应室的温度升高到反应温度；以及在还原气氛下使硅和二氧化硅的混合物反应，其中所述高真空度在10‑4托到10‑1托的范围内，其中维持所述高真空度直到硅和二氧化硅的反应结束。

【技术特征摘要】
2012.10.16 KR 10-2012-0114839;2013.10.14 KR 10-2011.一种氧化硅的制备方法，所述方法包括：将硅和二氧化硅混合并放入反应室内；降低所述反应室的压力以获得高真空度，同时将所述反应室的温度升高到反应温度；以及在还原气氛下使硅和二氧化硅的混合物反应，其中所述高真空度在10-4托到10-1托的范围内，其中维持所述高真空度直到硅和二氧化硅的反应结束。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述还原气氛通过能够产生还原气氛的气体形成，并且在所述反应室内的压力达到高真空度后向所述反应室内通入所述能够产生还原气氛的气体。3.根据权利要求2所述的方法，其中以1标准立方厘米每分钟到1000标准立方厘米每分钟的流速向所述反应室内通入所述能够产生还原气氛的气体。4.根据权利要求2所述的方法，其中所述能够产生还原气氛的气体包括从H2、NH3和CO所构成的组里选择的一种或多种，或者惰性气...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑相允，郑汉纳，朴哲凞，金贤撤，林炳圭，
申请(专利权)人：LG化学株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR