The utility model discloses a slowly varying doping terminal structure, which comprises an epitaxy substrate with a main junction at the upper end of the inner end of the epitaxy substrate, a field limiting ring at the inner upper part of the epitaxy substrate at the outer side of the main junction, an inner connection between the outer side of the main junction and the inner side of the field limiting ring, a continuous layer structure whose depth changes from shallow to deep from the inside to the outside, and an upper part of the epitaxy substrate. A shelter layer is arranged on the side, and a field plate is arranged on the upper side of the shelter layer. The utility model can effectively balance the electric field distribution of the terminal, improve the voltage withstanding efficiency of the terminal, reduce the terminal size and the product withstanding 550V. The terminal size of the product with the technology can be reduced to 80 88um and 650V. The terminal size of the product with the technology can be reduced to 95 105um and 700V. The terminal size of the product with the technology can be reduced to 95 105um and 700V. It can be reduced to 110 um 124 um. At the same time, the terminal has high reliability, simple process and good stability, and can be used in a variety of high-voltage devices.
【技术实现步骤摘要】
一种缓变掺杂终端结构
本专利技术涉及半导体领域,具体涉及一种缓变掺杂终端结构。
技术介绍
当前高压功率器件普遍采用场限环终端或场限环与场板组合形成终端,由于需要的环个数多而使终端的总长度很长,占用面积多,器件成本高。目前,也有些终端在使用缓变结技术的,如同申请号为201510716907.2提供的半导体器件的横向变掺杂结终端结构及其制造方法,其内部还是一个个独立的耐压环结构,只是简单的调整了耐压环大小和间距,仍不够优化,仍需占用较大的面积,器件成本仍高,且每个耐压环上需要独立场版,工艺复杂。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对现有技术存在的不足,提供一种缓变掺杂终端结构。为实现上述目的,本专利技术提供了一种缓变掺杂终端结构,包括外延衬底,所述外延衬底内端上部设有主结,所述主结外侧的外延衬底内上部设有场限环,所述主结的外侧与场限环的内侧连接,所述场限环为从内向外的深度由浅变深的连续层状结构,所述外延衬底的上侧设有掩蔽层,所述掩蔽层的上侧设有场板。作为优选,所述掩蔽层的厚度为至作为优选,所述场板的厚度为至作为优选,所述场限环的最大深度为6至8μm。有益效果:本专利技术结合缓变技术和场版技术,能有效的平衡终端电场分布,提高终端耐压效率,减小终端尺寸,耐压550V的产品,利用该技术的终端尺寸可以减小到80-88um,耐压650V的产品,利用该技术的终端尺寸可以减小到95-105um,耐压700V的产品,利用该技术的终端尺寸可以减小到110um-124um。同时该终端结构可靠性高,工艺简单,稳定性好,并可用于多种高压器件。附图说明图1是在衬底上设置掩蔽层后的结构示意图 ...
【技术保护点】
1.一种缓变掺杂终端结构,包括外延衬底,所述外延衬底内端上部设有主结,所述主结外侧的外延衬底内上部设有场限环,其特征在于,所述主结的外侧与场限环的内侧连接,所述场限环为从内向外的深度由浅变深的连续层状结构,所述外延衬底的上侧设有掩蔽层,所述掩蔽层的上侧设有场板。
【技术特征摘要】
1.一种缓变掺杂终端结构,包括外延衬底,所述外延衬底内端上部设有主结,所述主结外侧的外延衬底内上部设有场限环,其特征在于,所述主结的外侧与场限环的内侧连接,所述场限环为从内向外的深度由浅变深的连续层状结构,所述外延衬底的上侧设有掩蔽层,所述掩蔽层的...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡兴正,陈虞平,刘海波,
申请(专利权)人:南京华瑞微集成电路有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏,32
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