基板处理装置及用于该基板处理装置的移送带制造方法及图纸

本发明专利技术涉及基板处理装置及用于该基板处理装置的移送带，进行基板研磨工序的基板处理装置包括移送带，所述移送带包括：第一带层，其能沿着规定路径循环旋转，在外表面放置基板；第二带层，其具有低于第一带层的压缩率，形成在第一带层的内表面，由此可以获得提高基板处理效率、提高研磨稳定性及研磨均匀度的有利效果。

Substrate processing device and transfer belt for the substrate processing device

The invention relates to a base plate processing device and a transfer belt for the base plate processing device. The base plate processing device for the base plate grinding process includes a transfer belt. The transfer belt comprises a first belt layer, which can rotate circularly along a prescribed path and place a base plate on the outer surface. The second belt layer, which has a compression rate lower than the first belt layer, is formed on the inner surface of the first belt layer, thereby, a transfer belt can be formed on the inner surface of the first belt layer. In order to improve the substrate treatment efficiency, grinding stability and uniformity of the favorable effect.

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置及用于该基板处理装置的移送带
本专利技术涉及基板处理装置，更具体而言，涉及一种能够提高大面积基板的处理效率，提高研磨稳定性及研磨均匀度的基板处理装置。
技术介绍
最近，随着对信息显示装置关心的高涨，对要利用能携带的信息介质的要求也正在提高，同时正在重点进行对替代原有显示装置的阴极射线管(CathodeRayTube；CRT)的轻薄型平板显示装置(FlatPanelDisplay；FPD)的研究及商业化。在这种平板显示装置领域，迄今轻巧而耗电少的液晶显示装置(LiquidCrystalDisplayDevice；LCD)是最受瞩目的显示装置，但液晶显示装置不是发光元件而是受光元件，在亮度、对比度(contrastratio)及视角等方面存在缺点，因此正在开展对能够克服这种缺点的新显示装置的活跃开发。其中，作为最近倍受瞩目的新一代显示装置之一，有有机发光显示装置(OLED:OrganicLightEmittingDisplay)。一般而言，在显示装置中使用强度及透过性优秀的玻璃基板，最近，显示装置指向紧凑化及高像素(high-pixel)，因而应准备与此相应的玻璃基板。作为一个示例，作为OLED工序之一，在向非晶硅(a-Si)照射激光而结晶成多晶硅(poly-Si)的ELA(EximerLaserAnnealing，准分子激光晶化)工序中，在多晶硅结晶的同时，表面会发生凸起，这种凸起可能发生不均衡现象(mura-effects)，因此，玻璃基板应进行研磨处理，以便去除凸起。为此，最近进行了旨在高效研磨基板表面的多种研究，但还远远不够，要求对此进行开发。
技术实现思路
所要解决的技术问题本专利技术目的在于提供一种能够提高基板处理效率、提高研磨稳定性及研磨均匀度的基板处理装置及用于该基板处理装置的移送带。特别是本专利技术目的在于，在研磨工序中，稳定地保持基板的配置状态，使得研磨完成的基板可以顺利移送。另外，本专利技术目的在于，使得能够缩短处理基板需要的时间，提高生产率及收率。另外，本专利技术目的在于，使得能够连续供应、处理基板，能够提高生产率及收率。另外，本专利技术目的在于，使得能够简化设备，节省制造费用。解决技术问题的方案根据旨在达成所述本专利技术目的的本专利技术优选实施例，在研磨工序中，使得稳定地保持移送带的配置状态，借助于此，能够提高基板的处理效率，提高研磨稳定性及研磨均匀度。有益效果综上所述，根据本专利技术，可以获得提高研磨稳定性及研磨均匀度的有利效果。特别是根据本专利技术，可以获得在研磨工序中，稳定地保持基板的配置状态，使得研磨完成的基板可以顺利移送的有利效果。另外，根据本专利技术，可以获得缩短处理基板需要的时间、提高生产率及收率的有利效果。另外，根据本专利技术，可以获得能够连续供应、处理基板，提高生产率及收率的有利效果。另外，根据本专利技术，可以获得能够简化设备、节省制造费用，提高空间利用性的有利效果。附图说明图1是示出本专利技术的基板处理装置的结构的俯视图，图2是用于说明本专利技术的基板处理装置的立体图，图3是用于说明本专利技术的基板处理装置的侧视图，图4至图6是用于说明本专利技术的基板处理装置的基板加载工序的图，图7是用于说明本专利技术的基板处理装置的固定单元的图，图8是用于说明本专利技术的基板处理用移送带的图，图9是用于说明本专利技术的基板处理装置的研磨单元的研磨路径的俯视图，图10是用于说明本专利技术的基板处理装置的移送带的第一带层的图，图11是用于说明本专利技术的基板处理装置的移送带的第三带层的图，图12是用于说明本专利技术的基板处理装置的提升单元的图，图13及图14是用于说明本专利技术的基板处理装置的基板卸载工序的图，图15及图16是用于说明本专利技术的基板处理装置的带连接器的图，图17是用于说明本专利技术的基板处理装置的移送带另一实施例的图。附图标记10：基板处理装置100：加载部110：加载移送辊120：加载控制部200：研磨部210：移送带210a：第二带层210b：第一带层210c：第三带层212：辊单元212a：第一辊212b：第二辊214：护圈214a：基板容纳部220：基板支撑部230：研磨单元232：研磨垫240：提升单元242：导辊244：升降部250：固定单元252：加压构件260：带连接器262：第一连接构件264：第二连接构件266：紧固构件263：紧固孔300：卸载部310：卸载移送辊320：卸载控制部具体实施方式下面参照附图，更详细地说明本专利技术的优选实施例，但本专利技术并非由实施例限制或限定。作为参考，在本说明中，相同的附图标记指实质上相同的要素，在这种规则下，可以引用其他附图中记载的内容进行说明，可以省略本领域技术人员判断为不言而喻的或反复的内容。参照图1至图17，本专利技术的基板处理装置10包括：移送带210，其包括第一带层210b和第二带层210a，所述第一带层210b能沿规定路径循环旋转，在外表面放置基板W，所述第二带层210a具有低于第一带层210b的压缩率，在第一带层210b的内表面形成；基板支撑部220，其配置于移送带210的内部，将移送带210置于之间并支撑基板W底面；研磨单元230，其研磨基板W的上面。这是为了提高基板W的基板处理效率，提高研磨准确度及研磨均匀度。即，在研磨放置于移送带210的基板方面，如果不保持基板配置于目标研磨位置(进行研磨的位置)的状态，则存在基板的研磨准确度和研磨均匀度降低的问题。特别是为了将基板准确地研磨为目标厚度，重要的是使基板准确地放置于移送带210，但是在研磨工序中，如果放置于移送带210的基板的位置错位，则存在难以准确地研磨基板的问题。另外，如果在基板与移送带210之间(或移送带与基板支撑部之间)流入异物，则发生异物导致的基板W高度偏差(异物导致基板特定部位局部凸出)，因而存在基板W研磨均匀度降低的问题。但是，本专利技术包括第一带层210b和第二带层210a而形成移送带210，所述第一带层210b具有较高的压缩率，能够提高对基板的摩擦系数，抑制滑动，第二带层210a具有较低的压缩率；借助于此，在研磨工序中，可以获得抑制基板相对于移送带210的非正常晃动、提高基板研磨稳定性及研磨均匀度的有利效果。进一步而言，在本专利技术中，即使异物流入基板W与移送带210之间，与异物的厚度相应，在异物所在部分，第一带层210b也可以被压下，因而能够消除异物导致的基板W高度偏差(基板的特定部位因异物而局部凸出)，可以获得使基板W特定部位局部凸出导致的研磨均匀度降低实现最小化的有利效果。另外，以往为了使供应给加载部的基板加载到研磨部，需要利用另外的拾起装置(例如，基板吸附装置)，在加载部拾起基板后，再将基板放置于研磨部，因此，加载基板需要的时间为数秒至数十秒左右，存在处理时间增加的问题。进一步地，以往为了使研磨完成的基板卸载到卸载部，需要利用另外的拾起装置(例如，基板吸附装置)，在研磨部拾起基板后，再将基板放置于卸载部，因而卸载基板需要的时间为数秒至数十秒左右，存在处理时间增加的问题。但是，本专利技术在供应给加载部100的基板W利用循环旋转的移送带210直接移送的状态下，执行对基板W的研磨工序，使得基板W在移送带210上直接移送到卸载部300，借助于此，可以获得简化基板W的处理工序、缩短处理时间的有利效果。另外，本专利技术使得在基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理用移送带，在对基板的研磨工序中用于放置所述基板，其特征在于，包括：第一带层，其能沿着规定路径循环旋转，在外表面放置所述基板；第二带层，其具有低于所述第一带层的压缩率，形成在所述第一带层的内表面，并与支撑所述基板底面的基板支撑部接触。

【技术特征摘要】
2017.11.14 KR 10-2017-01514571.一种基板处理用移送带，在对基板的研磨工序中用于放置所述基板，其特征在于，包括：第一带层，其能沿着规定路径循环旋转，在外表面放置所述基板；第二带层，其具有低于所述第一带层的压缩率，形成在所述第一带层的内表面，并与支撑所述基板底面的基板支撑部接触。2.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第一带层的压缩率为20％至50％。3.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第一带层形成为多孔性结构体，该多孔性结构体具有露出于外表面的第一气孔。4.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第一带层包含工程塑料。5.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第一带层包含硅树脂。6.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第一带层形成为多孔性结构体，该多孔性结构体具有露出于外表面的第一气孔。7.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第一带层由聚氨酯形成，具有0.5mm至1.0mm的厚度。8.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第二带层具有高于所述第一带层的硬度(AskerC)。9.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第二带层包含工程塑料。10.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第二带层包含无纺布。11.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第二带层包含硅树脂。12.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第二带层以0.1mm至2mm的厚度形成。13.根据权利要求1所述的基板处理用移送带，其特征在于，包括：第三带层，其形成在所述第二带层的内表面，供所述基板支撑部接触内表面，提高对所述基板支撑部的摩擦系数，以抑制滑动。14.根据权利要求13所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第三带层具有低于所述第一带层的压缩率。15.根据权利要求13所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第三带层形成为多孔性结构体，该多孔性结构体具有露出于内表面的第三气孔。16.根据权利要求15所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第三带层具有高于所述第一带层的密度(g/㎝3)，露出于所述第三带层的内表面的所述第三气孔的气孔密度低于露出于所述第一带层外表面的第一气孔的气孔密度。17.根据权利要求13所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第三带层包含聚氨酯。18.根据权利要求13所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第三带层包含工程塑料。19.根据权利要求13所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第三带层包含硅树脂。20.根据权利要求13所述的基板处理用移送带，其特征在于，所述第三带层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李气雨，崔宇喆，
申请(专利权)人：凯斯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR