共模扼流线圈制造技术

提供一种共模扼流线圈。共模扼流线圈的第一、第二线圈的卷绕数分别为两匝以上。第一线圈包括：第一、第二环状导体，分别形成在不同的层；层间连接导体，连接第一、第二环状导体，第二环状导体的内外径为第一环状导体的内外径以下。第二线圈包括：第三、第四环状导体，分别形成在不同的层；层间连接导体，连接第三、第四环状导体，第三、第一环状导体在同一层且配置在第一环状导体的外侧，第四、第二环状导体在同一层且配置在第二环状导体的内侧。第一、第二环状导体中的至少一方的数目为多个，第一、第二环状导体在层叠方向上交替地配置，第三、第四环状导体中的至少一方的数目为多个，第三、第四环状导体在层叠方向上交替地配置。

common mode choke

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】共模扼流线圈
本技术涉及例如应用于高频信号的传输线路的共模扼流线圈。
技术介绍
例如，在高速串行接口中，使用在一对信号线路(＝平衡线路)中传输相位相差180°的信号的“差动传输方式”。在差动传输方式中，因为在平衡线路中辐射噪声、外部噪声被抵消，因此不易受到这些噪声造成的影响。但是，根据使用环境，基于信号线路的非对称性会产生共模的噪声电流。为了抑制这样的共模噪声，使用共模扼流线圈。通常，共模扼流线圈构成为具备朝相同方向卷绕的两个线圈的小型的层叠型芯片部件。在此，两个线圈在层叠坯体的内部在层叠方向上排列。此外，特别是，作为减小寄生电容并且适合于小型化的共模滤波器，示出专利文献1。在先技术文献专利文献专利文献1：日本技术注册第3093443号公报
技术实现思路
技术要解决的课题在专利文献1所示的共模滤波器中，交替地层叠正极线圈和负极线圈，且配置为正极线圈和负极线圈不重叠。因此，可抑制在正极线圈与负极线圈之间产生的寄生电容。但是，因为不能将正极线圈和负极线圈做成为对称形状，所以难以使正极线圈和负极线圈的电感相等。若正极线圈和负极线圈的电感不同，则通过该共模滤波器会产生常规模式信号与共模噪声之间的变换。本技术的目的在于，提供一种能够抑制在第一线圈与第二线圈之间产生的寄生电容并且小型化，且能够使第一线圈与第二线圈的电感近似的共模扼流线圈。用于解决课题的技术方案(1)本技术的共模扼流线圈具有：坯体，层叠了多个基材；以及第一线圈和第二线圈，设置在所述坯体内，并相互进行磁场耦合，所述共模扼流线圈的特征在于，所述第一线圈以及所述第二线圈的卷绕数分别为两匝以上，所述第一线圈包括：第一环状导体以及第二环状导体，分别形成在不同的层；以及层间连接导体，对所述第一环状导体和所述第二环状导体进行连接，所述第二环状导体的内外径为所述第一环状导体的内外径以下，所述第二线圈包括：第三环状导体以及第四环状导体，分别形成在不同的层；以及层间连接导体，对所述第三环状导体和所述第四环状导体进行连接，所述第三环状导体与所述第一环状导体在同一层且配置在所述第一环状导体的外侧，所述第四环状导体与所述第二环状导体在同一层且配置在所述第二环状导体的内侧，所述第一环状导体和所述第二环状导体中的至少一方的数目为多个，所述第一环状导体与所述第二环状导体在层叠方向上交替地配置，所述第三环状导体和所述第四环状导体中的至少一方的数目为多个，所述第三环状导体与所述第四环状导体在层叠方向上交替地配置。通过上述结构，能够使第一线圈与第二线圈的电感近似，且可抑制在第一线圈和第二线圈间产生的寄生电容。由此，第一线圈以及第二线圈的卷绕数能够分别设为两匝以上，可得到具有给定的大的自感的第一线圈以及第二线圈。此外，可提高第一线圈与第二线圈的耦合系数。(2)优选地，所述第二环状导体的外径小于所述第一环状导体的内径。由此，能够有效地抑制在第三环状导体与第一环状导体之间产生的寄生电容。因此，能够抑制自谐振频率的下降，能够直到高频带为止利用为共模扼流线圈。(3)优选地，在上述(1)或(2)中，若分别用a表示所述第一环状导体与所述第三环状导体的线间距离以及所述第二环状导体与所述第四环状导体的线间距离、用c表示在层叠方向上相邻的第一环状导体与第一环状导体的层间距离或者在层叠方向上相邻的第三环状导体与第三环状导体的层间距离、用d表示所述第一环状导体与所述第二环状导体的线间距离，则处于a＜c且a≥d的关系。由此，可抑制在第一环状导体与第二环状导体之间产生的寄生电容，能够抑制第一线圈的自谐振频率的下降，能够直到高频带为止利用为共模扼流线圈。而且，通过a≥d，从而第一线圈的自感与第二线圈的自感相比不会变得过小。此外，通过a＜c，从而能够提高第一线圈L1以及第二线圈L2的自谐振频率，能够直到高频带为止利用为共模扼流线圈。(4)优选地，在上述(1)或(2)中，所述基材为非磁性体片材。由此，由导磁率的频率依赖性造成的高频带中的损耗小，因此能够在宽频带中实现低损耗的共模扼流线圈。技术效果根据本技术，可得到能够抑制在第一线圈与第二线圈之间产生的寄生电容并且小型化、且能够使第一线圈与第二线圈的电感更接近的共模扼流线圈。附图说明图1是示出第一实施方式涉及的共模扼流线圈101的各基材的导体图案等的分解俯视图。图2是图1中的X-X部分处的共模扼流线圈101的剖视图。图3是将本实施方式的共模扼流线圈101表示为集总常数电路的电路图。图4是示出第二实施方式涉及的共模扼流线圈102的各基材的导体图案等的分解俯视图。图5是图4中的X-X部分处的共模扼流线圈102的剖视图。图6是示出第三实施方式涉及的共模扼流线圈103的各基材的导体图案等的分解俯视图。图7是示出第四实施方式涉及的共模扼流线圈104的各基材的导体图案等的分解俯视图。具体实施方式下面，参照图并举出几个具体的例子来示出用于实施本技术的多个方式。在各图中，对同一部位标注同一附图标记。考虑到要点的说明或理解的容易性，方便起见，将实施方式分开示出，但是能够进行在不同的实施方式中示出的结构的部分性置换或组合。在第二实施方式以后，省略关于与第一实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。特别是，对于同样的结构带来的同样的作用效果，不在每个实施方式中依次提及。《第一实施方式》图1是示出第一实施方式涉及的共模扼流线圈101的各基材的导体图案等的分解俯视图。图2是图1中的X-X部分处的共模扼流线圈101的剖视图。共模扼流线圈101具备：层叠了非磁性体的基材1a、1b、1c的层叠坯体10；以及设置在层叠坯体10内并相互进行磁场耦合的后述的第一线圈和第二线圈。在基材1a形成有第一环状导体11a、第三环状导体13a，在基材1b形成有第二环状导体12b、第四环状导体14b，在基材1c形成有第一环状导体11c、第三环状导体13c。此外，在基材1a形成有层间连接导体21a、22a，在基材1b形成有层间连接导体21b、22b。第一线圈包括：形成在基材1a的第一环状导体11a、形成在基材1b的第二环状导体12b、及形成在基材1c的第一环状导体11c；以及对第一环状导体11a、11c和第二环状导体12b进行连接的层间连接导体21a、21b。此外，第二线圈包括：形成在基材1a的第三环状导体13a、形成在基材1b的第四环状导体14b、及形成在基材1c的第三环状导体13c；以及对第三环状导体13a、13c和第四环状导体14b进行连接的层间连接导体22a、22b。在基材1a中，第三环状导体13a与第一环状导体11a在同一层且配置在第一环状导体11a的外侧，在基材1c中，第三环状导体13c与第一环状导体11c在同一层且配置在第一环状导体11c的外侧。此外，在基材1b中，第四环状导体14b与第二环状导体12b在同一层且配置在第二环状导体12b的内侧。第一环状导体11a、11c与第二环状导体12b的环内外径大致相等。第一环状导体11a的第一端经由端面电极3a，此外，第三环状导体13a的第一端经由端面电极3b而引出到层叠坯体10的一个主面(安装面)。同样地，第一环状导体11c的第一端经由端面电极4a，此外，第三环状导体13c的第一端经由端面电极4b而引出到层叠坯体10的一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种共模扼流线圈，具有：坯体，层叠了多个基材；以及第一线圈和第二线圈，设置在所述坯体内，并相互进行磁场耦合，所述共模扼流线圈的特征在于，所述第一线圈以及所述第二线圈的卷绕数分别为两匝以上，所述第一线圈包括：第一环状导体以及第二环状导体，分别形成在不同的层；以及层间连接导体，对所述第一环状导体和所述第二环状导体进行连接，所述第二环状导体的内外径为所述第一环状导体的内外径以下，所述第二线圈包括：第三环状导体以及第四环状导体，分别形成在不同的层；以及层间连接导体，对所述第三环状导体和所述第四环状导体进行连接，所述第三环状导体与所述第一环状导体在同一层且配置在所述第一环状导体的外侧，所述第四环状导体与所述第二环状导体在同一层且配置在所述第二环状导体的内侧，所述第一环状导体和所述第二环状导体中的至少一方的数目为多个，所述第一环状导体与所述第二环状导体在层叠方向上交替地配置，所述第三环状导体和所述第四环状导体中的至少一方的数目为多个，所述第三环状导体与所述第四环状导体在层叠方向上交替地配置。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.10.16 JP 2015-2046121.一种共模扼流线圈，具有：坯体，层叠了多个基材；以及第一线圈和第二线圈，设置在所述坯体内，并相互进行磁场耦合，所述共模扼流线圈的特征在于，所述第一线圈以及所述第二线圈的卷绕数分别为两匝以上，所述第一线圈包括：第一环状导体以及第二环状导体，分别形成在不同的层；以及层间连接导体，对所述第一环状导体和所述第二环状导体进行连接，所述第二环状导体的内外径为所述第一环状导体的内外径以下，所述第二线圈包括：第三环状导体以及第四环状导体，分别形成在不同的层；以及层间连接导体，对所述第三环状导体和所述第四环状导体进行连接，所述第三环状导体与所述第一环状导体在同一层且配置在所述第一环状导体的外侧，所述第四环状导体与所述第二环状导体在同一层且配置在所述第二环状导体的内侧，所述第一环...

【专利技术属性】
技术研发人员：植木纪行，加藤登，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：日本,JP