微型发光二极管显示面板制造技术

一种微型发光二极管显示面板，包括基板、多个微型发光二极管以及多个强化结构。所述多个微型发光二极管设置于基板的一侧，其中各个微型发光二极管包括磊晶层与电性连接磊晶层的电极层，且各个电极层位于基板与对应的磊晶层之间。各个微型发光二极管通过对应的电极层电性连接基板。各个电极层包括第一电极与第二电极。所述多个强化结构分别设置于所述多个微型发光二极管与基板之间，且各个强化结构位于对应的第一电极与第二电极之间。各个强化结构的杨氏模量小于对应的电极层的杨氏模量。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管显示面板
本专利技术涉及一种显示面板，尤其涉及一种微型发光二极管显示面板。
技术介绍
微型发光二极管显示器具有低功耗、高亮度、高色彩饱和度、反应速度快以及省电等优点，不仅如此，微型发光二极管显示器还具有材料稳定性佳与无影像残留(imagesticking)等优势。因此，微型发光二极管显示器的显示技术的发展备受关注。就制程上而言，在将微型发光二极管自成长基板转移至驱动电路基板的过程中，需对微型发光二极管进行加热加压，以使微型发光二极管电性接合于驱动电路基板。然而，在此转移过程中，容易造成微型发光二极管损伤，甚至是碎裂，以致于后续制作得到的微型发光二极管显示器的可靠度不佳。
技术实现思路
本专利技术提供一种微型发光二极管显示面板，其具有良好的可靠度。本专利技术一实施例的微型发光二极管显示面板包括基板、多个微型发光二极管以及多个强化结构。所述多个微型发光二极管设置于基板的一侧，其中各个微型发光二极管包括磊晶层与电性连接磊晶层的电极层，且各个电极层位于基板与对应的磊晶层之间。各个微型发光二极管通过对应的电极层电性连接基板，其中各个电极层的厚度与对应的磊晶层的厚度的比值介于0.3至0.5之间，且各个电极层包括分隔设置的第一电极与第二电极。所述多个强化结构分别设置于所述多个微型发光二极管与基板之间，且各个强化结构位于对应的第一电极与第二电极之间，其中各个强化结构的杨氏模量小于对应的电极层的杨氏模量。在本专利技术的一实施例中，上述的各个磊晶层包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层，各个第一型半导体层与对应的第二型半导体层分别位于对应的发光层的相对两侧，其中各个第一电极电性接触对应的第一型半导体层，且各个第二电极通过贯穿对应的第一型半导体层与发光层的导电通孔电性接触对应的第二型半导体层。在本专利技术的一实施例中，上述的各个导电通孔的深度与对应的磊晶层的厚度的比值介于0.15至0.35之间。在本专利技术的一实施例中，上述的各个微型发光二极管的边长介于3至100微米之间，且各个第一电极与对应的第二电极之间的间隙介于1至30微米之间。在本专利技术的一实施例中，上述的各个第一电极与对应的第二电极之间的间隙与对应的微型发光二极管的边长的比值介于0.1至0.25之间。在本专利技术的一实施例中，上述的各个第一电极具有第一内侧面，且各个第二电极具有第二内侧面，各个第一内侧面面向于对应的第二内侧面，且各个强化结构接触对应的第一内侧面与第二内侧面。在本专利技术的一实施例中，上述的基板包括多个支撑结构、多个第一接垫与多个第二接垫，各个第一电极电性接触对应的第一接垫，各个第二电极电性接触对应的第二接垫，且各个支撑结构与对应的强化结构相抵接。在本专利技术的一实施例中，上述的各个微型发光二极管的第一电极具有面对基板的第一接合面，各个强化结构具有面对基板的顶面，各个第一接合面与对应的顶面之间的段差小于等于对应的第一电极的厚度的50％。在本专利技术的一实施例中，上述的各个微型发光二极管的第二电极具有面对基板的第二接合面，各个强化结构的顶面凸出于对应的第一接合面与第二接合面。在本专利技术的一实施例中，上述的基板包括多个第一接垫与多个第二接垫，各个第一电极电性接触对应的第一接垫，各个第二电极电性接触对应的第二接垫，且各个强化结构插入对应的第一接垫与第二接垫之间。在本专利技术的一实施例中，上述的至少其中一个强化结构具有第一高度，且至少另一个强化结构的具有第二高度，第一高度大于第二高度。在本专利技术的一实施例中，上述的各个微型发光二极管的电极层通过接合层电性连接基板。至少其中一个接合层具有第一厚度，且至少另一个接合层具有第二厚度，第一厚度大于第二厚度。基于上述，本专利技术的微型发光二极管显示面板中的多个微型发光二极管上分别设有强化结构，在将所述多个微型发光二极管转移至基板并进行加热加压的过程中，强化结构可起缓冲的效用，故能防止所述多个微型发光二极管于受压时产生破损或碎裂，藉以提高微型发光二极管显示面板的可靠度。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明图1是本专利技术第一实施例的微型发光二极管显示面板的局部剖面示意图。图2是本专利技术第二实施例的微型发光二极管显示面板的局部剖面示意图。图3是本专利技术第三实施例的微型发光二极管显示面板的局部剖面示意图。图4是本专利技术第四实施例的微型发光二极管显示面板的局部剖面示意图。图5是本专利技术第五实施例的微型发光二极管显示面板的局部剖面示意图。符号说明100、100A～100D：微型发光二极管显示面板；110、110a～110d：基板；111：表面；112：接垫对；113：第一接垫；114：第二接垫；115a～115c：支撑结构；120：微型发光二极管；121：磊晶层；122：电极层；123：第一电极；123a：第一内侧面；123b：第一接合面；124：第二电极；124a：第二内侧面；124b：第二接合面；125：接合层；126：第一型半导体层；127：发光层；128：第二型半导体层；129：导电通孔；130、130a～130d：强化结构；131、131a～131d：顶面；d1、d2、d4～d6：厚度；d3：深度；h1～h3：高度；G：间隙；L：边长。具体实施方式图1是本专利技术第一实施例的微型发光二极管显示面板的局部剖面示意图。请参考图1，在本实施例中，微型发光二极管显示面板100包括基板110、多个微型发光二极管120以及多个强化结构130，其中基板110可为设有驱动电路(未示出)的驱动电路基板，基板110的表面111设有与驱动电路(未示出)电性连接的多个接垫对112，且每一个接垫对112包括第一接垫113与第二接垫114。所述多个微型发光二极管120设置于基板110的一侧，即所述多个微型发光二极管120设置于表面111上。各个微型发光二极管120包括磊晶层121与电性连接磊晶层121的电极层122，且各个电极层122位于基板110与对应的磊晶层121之间。各个微型发光二极管120通过对应的电极层122电性连接基板110，其中各个电极层122的厚度d1与对应的磊晶层121的厚度d2的比值介于0.3至0.5之间。倘若各个电极层122的厚度d1过厚，则各个磊晶层121与基板110之间的间隙随之加大，且各个微型发光二极管120的结构强度也随之减弱。另一方面，倘若各个电极层122的厚度d1过薄，则会造成导电效果不佳或电流分布不均匀。各个电极层122包括分隔设置的第一电极123与第二电极124，其中第一电极123对应于第一接垫113设置，且第二电极124对应于第二接垫114设置。在将微型发光二极管120转移至基板110，并使微型发光二极管120电性接合于基板110的过程中，需先于接垫对112上设置焊料，或者是于电极层122上设置焊料，其中焊料的材质可以是铟、锡、金、其他导电金属或导电合金。接着，使第一电极123对准第一接垫113，并使第二电极124对准第二接垫114。接着，使第一电极123通过焊料接触第一接垫113，并使第二电极124通过焊料接触第二接垫114。最后，进行加压加热的步骤，回焊后的焊料可形成接合层125而使微型发光二极管120电性接合于基板110，进一步而言，各个第一电极123通过对应的接合层125电性接触对应的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型发光二极管显示面板，包括：基板；多个微型发光二极管，设置于所述基板的一侧，其中所述多个微型发光二极管的每一个包括磊晶层与电性连接所述磊晶层的电极层，且所述多个电极层的每一个位于所述基板与对应的所述磊晶层之间，所述多个微型发光二极管的每一个通过对应的所述电极层电性连接所述基板，其中所述多个电极层的每一个的厚度与对应的所述磊晶层的厚度的比值介于0.3至0.5之间，且所述多个电极层的每一个包括分隔设置的第一电极与第二电极；以及多个强化结构，分别设置于该些微型发光二极管与基板之间，且所述多个强化结构的每一个位于对应的所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述多个强化结构的每一个的杨氏模量小于对应的所述电极层的杨氏模量。

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管显示面板，包括：基板；多个微型发光二极管，设置于所述基板的一侧，其中所述多个微型发光二极管的每一个包括磊晶层与电性连接所述磊晶层的电极层，且所述多个电极层的每一个位于所述基板与对应的所述磊晶层之间，所述多个微型发光二极管的每一个通过对应的所述电极层电性连接所述基板，其中所述多个电极层的每一个的厚度与对应的所述磊晶层的厚度的比值介于0.3至0.5之间，且所述多个电极层的每一个包括分隔设置的第一电极与第二电极；以及多个强化结构，分别设置于该些微型发光二极管与基板之间，且所述多个强化结构的每一个位于对应的所述第一电极与所述第二电极之间，其中所述多个强化结构的每一个的杨氏模量小于对应的所述电极层的杨氏模量。2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板，其中所述多个磊晶层的每一个包括第一型半导体层、发光层以及第二型半导体层，所述多个第一型半导体层的每一个与对应的所述第二型半导体层分别位于对应的所述发光层的相对两侧，其中所述多个第一电极的每一个电性接触对应的所述第一型半导体层，且所述多个第二电极的每一个通过贯穿对应的所述第一型半导体层与所述发光层的导电通孔电性接触对应的所述第二型半导体层。3.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示面板，其中所述多个导电通孔的每一个的深度与对应的所述磊晶层的厚度的比值介于0.15至0.35之间。4.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板，其中所述多个微型发光二极管的每一个的边长介于3至100微米之间，且所述多个第一电极的每一个与对应的所述第二电极之间的间隙介于1至30微米之间。5.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板，其中所述多个第一电极的每一个与对应的所述第二电极之间的间隙与对应的所述微型发光二极管的边长的比值介于0.1至0.25之间。6.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示面板，其中所述多个第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘应苍，李玉柱，陈培欣，陈奕静，林子旸，赖育弘，
申请(专利权)人：錼创显示科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71