一种转移装置、Micro-LED晶粒及转移方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种转移装置、Micro‑LED晶粒及转移方法，涉及显示技术领域，用于对Micro‑LED晶粒进行巨量转移。该转移装置包括承载板、第一控制器以及设置在所述承载板第一表面上的多个转移头；所述转移头包括：螺线管，所述螺线管的两端通过导线与所述第一控制器电连接，所述螺线管用于在通电时产生磁场；所述第一控制器与每个所述转移头中的所述螺线管电连接，用于控制每个所述转移头中的所述螺线管通电或断电。

A Transfer Device, Micro-LED Grain and Transfer Method

【技术实现步骤摘要】
一种转移装置、Micro-LED晶粒及转移方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种转移装置、Micro-LED晶粒及转移方法。
技术介绍
Micro-LEDDisplay(微型发光二极管显示器)由于具有超高像素素、超高解析度、高亮度、低功耗、材料性能稳定、寿命长、无影像烙印等优势，其性能远高于现有的LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)和OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)，因此广泛用于在微投影、透明显示器、抬头显示器等领域。Micro-LED显示器中每个亚像素都设置有一个Micro-LED晶粒，每个Micro-LED晶粒单独定址，单独发光，由于相邻两个Micro-LED晶粒之间的间距极其微小，且一个Micro-LED显示器中有几十万颗Micro-LED晶粒，因此目前，Micro-LED显示器制作的工艺难点在于将巨量Micro-LED晶粒从供体基板转移到电路基板上。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种转移装置、Micro-LED晶粒及转移方法，用于对Micro-LED晶粒进行巨量转移。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种转移装置，包括承载板、第一控制器以及设置在所述承载板第一表面上的多个转移头；所述转移头包括：螺线管，所述螺线管的两端通过导线与所述第一控制器电连接，所述螺线管用于在通电时产生磁场；所述第一控制器与每个所述转移头中的所述螺线管电连接，用于控制每个所述转移头中的所述螺线管通电或断电。在一些实施例中，所述转移头还包括：设置在所述螺线管内的磁芯。在一些实施例中，所述转移头还包括：与所述承载板固定连接的放置槽，所述放置槽的槽口朝向所述承载板，所述螺线管和所述磁芯放置在所述放置槽内。在一些实施例中，所述转移装置还包括：设置在所述承载板第一表面上的对位器，所述对位器用于与对位标记图案进行对位。在一些实施例中，所述多个转移头呈矩阵排列；所述转移装置还包括多个第二控制器，每个所述第二控制器与至少一排所述转移头中的所述螺线管电连接；所述多个第二控制器均与所述第一控制器电连接；所述第一控制器用于控制所述多个第二控制器工作与否，以在所述第二控制器工作时，通过所述第二控制器控制与该所述第二控制器电连接的所述至少一排所述转移头中的所述螺线管通电或断电。在一些实施例中，所述转移装置还包括设置在所述承载板第一表面上的距离传感器，所述距离传感器与所述第一控制器电连接。第二方面，提供Micro-LED晶粒，包括第一衬底、层叠设置在所述第一衬底上的P型半导体层和N型半导体层以及设置在所述P型半导体层和所述N型半导体层上的封装层；其中，所述封装层包括磁性颗粒。第三方面，提供一种利用上述的转移装置转移上述的Micro-LED晶粒的转移方法，包括：将转移装置移动至放置有多个Micro-LED晶粒的供体基板的上方，且使所述转移装置中一个转移头与一个所述Micro-LED晶粒对齐；通过第一控制器控制与所述Micro-LED晶粒对齐的所述转移头中的螺线管通电，利用所述螺线管产生的磁场吸附所述Micro-LED晶粒，移动所述转移装置以使Micro-LED晶粒与所述供体基板分离；将吸附有多个所述Micro-LED晶粒的转移装置移动至所述电路基板的上方，所述电路基板包括多个凹槽，每个所述凹槽内设置有第一电极，以使一个所述Micro-LED晶粒与一个所述凹槽对齐；通过所述第一控制器控制所述螺线管断电，以使所述转移装置与所述MicroLED晶粒分离，且使所述Micro-LED晶粒落入与其对应的凹槽内，以将所述Micro-LED晶粒转移到所述电路基板上。在一些实施例中，在将所述Micro-LED晶粒转移到所述电路基板上之后，所述Micro-LED晶粒的转移方法还包括：对形成有所述MicroLED晶粒的所述电路基板进行消磁。在一些实施例中，在所述转移装置包括对位器，所述供体基板包括第一对位标记图案的情况下，所述使所述转移装置中一个转移头与一个所述Micro-LED晶粒对齐，包括：利用所述对位器与所述第一对位标记图案进行对位，以使转移装置中的一个转移头与一个Micro-LED晶粒对齐；和/或，在所述转移装置包括对位器，所述电路基板包括第二对位标记图案的情况下，所述使一个所述Micro-LED晶粒与一个所述凹槽对齐，包括：利用所述对位器与所述第二对位标记图案进行对位，以使一个所述Micro-LED晶粒与一个所述凹槽对齐。在一些实施例中，在所述转移装置包括距离传感器的情况下，所述通过第一控制器控制与所述Micro-LED晶粒对齐的所述转移头中的螺线管通电，包括：将所述转移装置向靠近所述供体基板的方向移动，在所述距离传感器检测到所述Micro-LED晶粒与所述转移头之间的距离小于第一预设距离时，通过所述第一控制器控制与所述Micro-LED晶粒对齐的所述转移头中的螺线管通电；和/或，所述通过所述第一控制器控制所述螺线管断电，包括：将所述转移装置向靠近所述电路基板的方向移动，在所述距离传感器检测到所述电路基板与所述转移头之间的距离小于第二预设距离时，通过所述第一控制器控制所述螺线管断电。本专利技术实施例提供一种转移装置、Micro-LED晶粒及转移方法，转移装置包括多个转移头，转移头包括螺线管，由于在第一控制器控制螺线管通电时，螺线管可以产生磁场，因而可以利用螺线管产生的磁场吸附具有磁性的待转移物，在转移头将待转移物移动至预设位置后，在第一控制器控制螺线管断电时，螺线管产生的磁场会消失，因而转移装置中的转移头可以与待转移物分离，从而实现对移待转移物的转移。在制作Micro-LED显示器的过程中，利用转移装置转移设置在供体基板上具有磁性的Micro-LED晶粒时，可以使转移装置中的一个转移头与一个Micro-LED晶粒对应，利用第一控制器控制转移头中螺线管通电，通过螺线管产生的磁场吸附磁性的Micro-LED晶粒，在转移装置将Micro-LED晶粒移动至电路基板上预设位置后，第一控制器控制螺线管断电，螺线管产生的磁场会消失，因而转移装置中的转移头会与Micro-LED晶粒分离，从而实现了将巨量Micro-LED晶粒转移到电路基板上，且转移过程简单方便，使得巨量转移的生产效率大幅度提升。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种转移装置的结构示意图一；图2a为本专利技术实施例提供的一种第一控制器与第二控制器的连接关系示意图；图2b为本专利技术实施例提供的另一种第一控制器与第二控制器的连接关系示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种转移装置的结构示意图二；图4为本专利技术实施例提供的一种转移装置的结构示意图三；图5为本专利技术实施例提供的一种转移装置的结构示意图四；图6为本专利技术实施例提供的一种转移装置的结构示意图五；图7为本专利技术实施例提供的一种Micro-LED晶粒的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的另一种Micro-LED晶粒的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种转移装置，其特征在于，包括承载板、第一控制器以及设置在所述承载板第一表面上的多个转移头；所述转移头包括：螺线管，所述螺线管的两端通过导线与所述第一控制器电连接，所述螺线管用于在通电时产生磁场；所述第一控制器与每个所述转移头中的所述螺线管电连接，用于控制每个所述转移头中的所述螺线管通电或断电。

【技术特征摘要】
1.一种转移装置，其特征在于，包括承载板、第一控制器以及设置在所述承载板第一表面上的多个转移头；所述转移头包括：螺线管，所述螺线管的两端通过导线与所述第一控制器电连接，所述螺线管用于在通电时产生磁场；所述第一控制器与每个所述转移头中的所述螺线管电连接，用于控制每个所述转移头中的所述螺线管通电或断电。2.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述转移头还包括：设置在所述螺线管内的磁芯。3.根据权利要求2所述的转移装置，其特征在于，所述转移头还包括：与所述承载板固定连接的放置槽，所述放置槽的槽口朝向所述承载板，所述螺线管和所述磁芯放置在所述放置槽内。4.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述转移装置还包括：设置在所述承载板第一表面上的对位器，所述对位器用于与对位标记图案进行对位。5.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述多个转移头呈矩阵排列；所述转移装置还包括多个第二控制器，每个所述第二控制器与至少一排所述转移头中的所述螺线管电连接；所述多个第二控制器均与所述第一控制器电连接；所述第一控制器用于控制所述多个第二控制器工作与否，以在所述第二控制器工作时，通过所述第二控制器控制与该所述第二控制器电连接的所述至少一排所述转移头中的所述螺线管通电或断电。6.根据权利要求1所述的转移装置，其特征在于，所述转移装置还包括设置在所述承载板第一表面上的距离传感器，所述距离传感器与所述第一控制器电连接。7.一种Micro-LED晶粒，其特征在于，包括第一衬底、层叠设置在所述第一衬底上的P型半导体层和N型半导体层以及设置在所述P型半导体层和所述N型半导体层上的封装层；其中，所述封装层包括磁性颗粒。8.一种利用权利要求1-6任一项所述的转移装置转移权利要求7所述的Micro-LED晶粒的转移方法，其特征在于，包括：将转移装置移动至放置有多个Micro-LED晶粒的供体基板的上方，且使所述转移装置中一个转移头与一个所述Micro-LED晶粒对齐；通过第一控制器控制与所述Micro-LED晶粒对齐的所述转移头中的螺线管通电，利用所述螺线管产生的磁场吸附所述Micro-LED晶粒，移动所述转移装置以使Micro...

【专利技术属性】
技术研发人员：林万，王俊伟，董殿正，陈鹏名，张强，王光兴，许文鹏，王海旭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11