晶片以及用于分析该晶片形状的方法技术

本发明专利技术提供一种分析晶片形状的方法，该方法包括：测量多个晶片的截面形状；获取由第一线和晶片的前表面形成的第一角度，上述第一线连接第一点和第二点，上述第二点在晶片的边缘区域中具有最大曲率；在每个晶片的表面上形成薄膜层；测量晶片的边缘区域的厚度轮廓，在上述晶片上形成有每个薄膜层；在多个晶片中确认具有薄膜层的最小最大厚度轮廓的晶片。

Wafer and the method for analyzing the shape of the wafer

【技术实现步骤摘要】
晶片以及用于分析该晶片形状的方法相关申请的交叉引用本申请要求2017年11月01日提交的韩国专利申请第10-2017-0144952号的优先权，其以参见的方式纳入本文。
本专利技术涉及一种晶片以及分析该晶片形状的方法，更详细而言，涉及一种检查晶片形状的方法，其中，在晶片的制造过程中，在该晶片上适当地形成有光致抗蚀剂等。
技术介绍
半导体设备形成在晶片上。在上述情况下，为了半导体设备的高集成度和高产量，要求晶片的边缘具有较高的纯度且具有适用于半导体设备的制造工序的合适形状。为此，要求一种分析晶片的边缘形状的实用且简单的方法。例如，晶片的边缘形状的最重要的数学参数之一是曲率，并且由晶片的边缘和晶片的前表面形成的整体曲率应当尽可能的小。这是因为，当曲率较小时，晶片的前表面和晶片的边缘平滑地形成且彼此没有边界。但是，当由晶片的边缘和前表面形成的曲率不小时，在晶片上制造半导体设备的过程中，可能发生晶片未均匀地涂敷有光致抗蚀剂(PR)等这一严重的问题。在一种分析晶片的边缘形状的常规方法中，通过诸如激光散射之类的光学原理分析晶片的表面粗糙度。但是，在上述常规方法中，为了进行与边缘曲率的计算相对应的极其精确的分析，存在需要较小尺寸的激光光斑的技术负担，并且需要精心对准的昂贵设备。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种通过测量晶片的边缘区域的倾斜部的轮廓来分析晶片的形状的方法。本专利技术旨在通过将薄膜层的去除工序后剩余的薄膜层最小化来提供一种具有优异质量的晶片。本专利技术提供一种分析晶片形状的方法，该方法包括：测量多个晶片的截面形状；获取由第一线和晶片的前表面形成的第一角度，上述第一线连接第一点和第二点，上述第一点在晶片的边缘区域中具有最大曲率；在每个晶片的表面上形成薄膜层；测量晶片的边缘区域的厚度轮廓，在上述晶片上形成有每个薄膜层；在多个晶片中确认具有薄膜层的最小最大厚度轮廓的晶片。当晶片的边缘区域中的倾斜部的高度为B1时，第二点与晶片的前表面可具有10％以内的高度差。第二点定位成在水平方向上与晶片的边缘区域的倾斜部的起点相距50微米至90微米。当晶片的边缘区域中的倾斜部的高度为B1时，第一点与晶片的前表面可具有2.0％以内的高度差。在另一实施例中，晶片包括：块状区域；上述块状区域的前表面和后表面，上述前表面和上述后表面彼此相对且彼此平行；边缘区域，上述边缘区域配置在块状区域的边缘，其中，上述边缘区域包括倾斜部以及该倾斜部的边缘的顶端，其中，上述倾斜部包括第一点和第二点，上述第一点具有最大曲率，上述第二点在顶端的方向上与上述第一点间隔开，上述第一点和上述第二点从前表面向顶端依次配置，并且，其中，由连接第一点和第二点的第一线与晶片的前表面形成的第一角度为22°或更少。由连接第一点和第二点的第一线与晶片的前表面形成的第一角度为18°或更大。附图说明图1和图2分别是表示根据一实施例的方法对形状进行分析的晶片的视图以及该晶片的放大剖视图。图3是表示晶片的倾斜部的参考点和第一点至第三点的视图。图4是表示获得晶片的倾斜部的第一角度的视图。图5是表示获得晶片的倾斜部的第二角度的视图。图6是表示在F型基板上的第二部分和第二点P2的位置测得的第一角度θ11与薄膜层的厚度之间的相关性的视图。图7是表示在R型基板上的第二部分和第二点P2的位置测得的第一角度θ11与薄膜层的厚度之间的相关性的视图。图8是表示图4中的第一角度与图5中的第二角度之间的相关性的视图。图9是表示薄膜沉积以及晶片的蚀刻工序的视图。具体实施方式下文中，将提供实施例以具体地描述本专利技术，并且将参照附图详细地描述实施例以帮助理解本专利技术。不过，根据本专利技术的实施例可改变为各种其它形式，并且本专利技术的范围不应解释为限于所描述的实施例。提供本专利技术的实施例以为本领域技术人员更完整地解释本专利技术。此外，诸如“第一”和“第二”、“上”和“下”等关系术语不一定要求或暗示在实体或元件之间的任何物理或逻辑关系或顺序，可仅用于将一个实体或元件与另一实体或元件区别开。首先，将对根据实施例的晶片的制造方法进行说明。具体而言，通过下述工序制造硅单晶体基板：单晶体生长工序，该单晶体生长工序通过丘克拉斯基(Czochralski)法以制造锭块；切片工序，该切片工序通过对单晶体锭块进行切片来获得薄盘状的晶片；磨削工序，该磨削工序用于对晶片的外周部分进行机械加工，以防止通过上述切片工序获得的晶片发生开裂和变形；精磨工序，该精磨工序用于去除由于机械加工而残留在晶片上的损坏；抛光工序，该抛光工序用于对晶片进行镜面抛光；以及清洁工序，该清洁工序用于去除附着于抛光后的晶片的磨料或异物。此外，通过根据实施例的晶片形状的分析方法来分析该晶片的形状。下文中，将以诸如晶片边缘、晶片表面、晶片背面等可以获取为图像的晶片形状中的晶片边缘为例在实施例中进行说明，但本实施例还可适用于除晶片边缘以外的、诸如晶片表面、晶片背面等另一晶片形状。图1和图2分别是表示根据实施例的方法对形状进行分析的晶片的视图以及该晶片的放大剖视图。参照图1，晶片(晶片W)被划分成块状区域(bulkregion)B、前表面f和后表面b以及配置在块状区域B的边缘处的边缘区域E。在图1中详细示出了作为晶片W的一部分的“A”区域。块状区域B是占据晶片的大部分的区域，并且该块状区域B的上表面可以是前表面f且该块状区域B的下表面可以是后表面b。另外，边缘区域E可以被划分成倾斜部(WB：晶片倾斜部)以及顶端(WA：晶片顶端)。倾斜部WB的上表面可被称为倾斜部的前表面WBf，并且该倾斜部WB的下表面可被称为倾斜部的后表面WBb。图2中，晶片W的块状区域的厚度可被称为“t”，边缘区域内的顶端WA的厚度或高度可被称为“B3”，倾斜部的前表面WBf的高度或厚度可被称为“B1”，倾斜部的后表面WBb的高度或厚度可被称为“B2”。另外，倾斜部的前表面WBf的侧向长度或宽度可被称为“A1”，倾斜部的后表面WBb的侧向长度或宽度可被称为“A2”。此时，B1和B2的大小可以相同，A1和A2的大小可以相同，但考虑到制造过程中的误差，上述大小不一定要100％一致。另外，在图2中示出了由晶片W的前表面f和倾斜部的前表面WBf形成的第一角度(角度1，θ1)以及由晶片W的后表面b和倾斜部的前表面WBf形成的第二角度(角度2，θ2)。在此，第一角度(角度1，θ1)和第二角度(角度2，θ2)可彼此相等，但考虑到制造过程中的误差，上述第一角度和上述第二角度也不一定要100％一致。图2中，从晶片W的倾斜部的前表面WBf延伸的虚线和从晶片W的倾斜部的后表面WBb延伸的虚线可分别是晶片的倾斜部的前表面WBf处的切线以及晶片的倾斜部的后表面WBb处的切线。另外，上述切线可分别是晶片W的倾斜部的前表面WBf上的一特定点和后表面WBb上的一特定点处的切线，但还可以是将在图4至图5中进行描述的、连接两点的切线。通过上述工序制造的晶片的截面形状如下所述那样测量，但也可通过相同的方法对多个晶片的截面形状进行测量。图3是表示晶片的倾斜部的参考点和第一点至第三点的视图。图3中示出了晶片的块状区域B的前表面f的一部分以及边缘区域E的倾斜部的前表面WBf的一部分。晶片的块状区域B的前表面f可以是平坦的，并且通过虚线示出了从前表面f延伸出的假想本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于分析晶片形状的方法，所述方法包括：测量多个所述晶片的截面形状；获取由第一线和所述晶片的前表面形成的第一角度，所述第一线连接第一点和第二点，所述第一点在所述晶片的边缘区域中具有最大曲率；在每个所述晶片的表面上形成薄膜层；测量所述晶片的边缘区域的厚度轮廓，在所述晶片上形成有每个薄膜层；以及在多个所述晶片中确认具有所述薄膜层的最小最大厚度轮廓的晶片。

【技术特征摘要】
2017.11.01 KR 10-2017-01449521.一种用于分析晶片形状的方法，所述方法包括：测量多个所述晶片的截面形状；获取由第一线和所述晶片的前表面形成的第一角度，所述第一线连接第一点和第二点，所述第一点在所述晶片的边缘区域中具有最大曲率；在每个所述晶片的表面上形成薄膜层；测量所述晶片的边缘区域的厚度轮廓，在所述晶片上形成有每个薄膜层；以及在多个所述晶片中确认具有所述薄膜层的最小最大厚度轮廓的晶片。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述晶片的所述边缘区域中的倾斜部的高度为B1时，所述第二点与所述晶片的所述前表面具有10％以内的高度差。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二点定位成在水平方向上与所述晶片的所述边缘区域的倾斜部的起点相距50微米至90微米。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，当所述晶片的所述边缘区域中的倾斜部的高度为B1时，所述第一点与所述晶片的所述前表面具有2.0％以内的高度差。5.一种晶片，包括：块状区域；所述块状区域的前表面和后表面，所述前表...

【专利技术属性】
技术研发人员：李愚星，李應周，
申请(专利权)人：爱思开矽得荣株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR