用于测量薄膜掺杂比例的传感器、方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于测量薄膜掺杂比例的传感器、方法及装置，通过设置控制电极层、绝缘层以及导通电极层，其中，导通电极层可以包括：间隔设置的至少两个导通子电极。在衬底基板上形成掺杂有预设掺杂离子的待测量薄膜时，通过对控制电极层加载第一电压，对与待测量薄膜电连接的一个导通子电极加载第二电压，以及通过获取与待测量薄膜电连接的另一个导通子电极输出的检测信号，这样可以根据检测信号，确定待测量薄膜中预设掺杂离子的掺杂比例，从而可以实现测量薄膜中预设掺杂离子的掺杂比例的效果。

【技术实现步骤摘要】
用于测量薄膜掺杂比例的传感器、方法及装置
本专利技术涉及测量
，特别涉及一种用于测量薄膜掺杂比例的传感器、方法及装置。
技术介绍
在制备半导体薄膜时，一般采用向半导体薄膜进行掺杂的方式，以改变半导体薄膜的性能。由于半导体薄膜的性能与其掺杂离子的比例相关，为了确定掺杂后的半导体薄膜中的掺杂离子的比例是否满足所要求的比例，还需要对掺杂后的半导体薄膜中的掺杂离子的比例进行测量。因此，如何对掺杂后的半导体薄膜中的掺杂离子的掺杂比例进行测量，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种用于测量薄膜掺杂比例的传感器及其制备方法、薄膜测量装置及其测量方法，用以对掺杂后的半导体薄膜中的掺杂离子的掺杂比例进行测量。因此，本专利技术实施例提供了一种用于测量薄膜掺杂比例的传感器，包括：衬底基板、依次位于所述衬底基板一侧的控制电极层、绝缘层以及导通电极层；其中，所述导通电极层包括：间隔设置的至少两个导通子电极；所述控制电极层在所述衬底基板的正投影覆盖每相邻两个所述导通子电极之间的间隙在所述衬底基板的正投影；在所述衬底基板上形成掺杂有预设掺杂离子的待测量薄膜时，所述控制电极层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于测量薄膜掺杂比例的传感器，其特征在于，包括：衬底基板、依次位于所述衬底基板一侧的控制电极层、绝缘层以及导通电极层；其中，所述导通电极层包括：间隔设置的至少两个导通子电极；所述控制电极层在所述衬底基板的正投影覆盖每相邻两个所述导通子电极之间的间隙在所述衬底基板的正投影；在所述衬底基板上形成掺杂有预设掺杂离子的待测量薄膜时，所述控制电极层被配置为加载第一电压，与所述待测量薄膜电连接的一个所述导通子电极被配置为加载第二电压，与所述待测量薄膜电连接的另一个所述导通子电极被配置为输出检测信号。

【技术特征摘要】
1.一种用于测量薄膜掺杂比例的传感器，其特征在于，包括：衬底基板、依次位于所述衬底基板一侧的控制电极层、绝缘层以及导通电极层；其中，所述导通电极层包括：间隔设置的至少两个导通子电极；所述控制电极层在所述衬底基板的正投影覆盖每相邻两个所述导通子电极之间的间隙在所述衬底基板的正投影；在所述衬底基板上形成掺杂有预设掺杂离子的待测量薄膜时，所述控制电极层被配置为加载第一电压，与所述待测量薄膜电连接的一个所述导通子电极被配置为加载第二电压，与所述待测量薄膜电连接的另一个所述导通子电极被配置为输出检测信号。2.如权利要求1所述的传感器，其特征在于，以相邻的两个所述导通子电极为一个电极组；至少一个所述电极组中的各所述导通子电极包括：相互电连接的沿第一方向延伸的多个第一导通子电极和沿第二方向延伸的第二导通子电极；其中，所述第一方向与所述第二方向不同；同一所述电极组中的两个所述导通子电极的第一导通子电极交替排列。3.如权利要求2所述的传感器，其特征在于，至少相邻的两个所述电极组中最近邻的导通子电极共用所述第二导通子电极。4.如权利要求3所述的传感器，其特征在于，每相邻的两个所述电极组中最近邻的导通子电极共用所述第二导通子电极。5.一种薄膜测量装置，其特征在于，包括：如权利要求1-4任一项所述的用于测量薄膜掺杂比例的传感器，与各所述导通子电极电连接的多路选择开关，以及分别与所述控制电极层和所述多路选择开关电连接的信号处理电路；所述多路选择开关被配置为在所述衬底基板上形成掺杂有预设掺杂离子的待测量薄膜时，响应于选择控制信号，将与所述待测量薄膜电连接的两个所述导通子电极与所述信号处理电路导通；其中，所述待测量薄膜在所述衬底基板的正投影覆盖相邻的两个所述导通子电极之间的间隙在所述衬底基板的正投影；所述信号处理电路被配置为对所述控制电极层加载第一电压，对导通的一个所述导通子电极加载第二电压，并获取导通的另一个所述导通子电极的检测信号；根据所述检测信号，确定所述待测量薄膜中所述预设掺杂离子的掺杂比例。6.如权利要求5所述的薄膜测量装置，其特征在于，所述信号处理电路包括：与所述多路选择开关电连接的信号分析仪，以及与所述信号分析仪电连接的主处理器；所述多路选择开关被配置为在所述衬底基板上形成掺杂有预设掺杂离子的待测量薄膜时，响应于选择控制信号，将与所述待测量薄膜电连接的两个所述导通子电极与所述信号分析仪导通；所述信号分析仪被配置为对所述控制电极层加载第一电压，对导通的一个所述导通子电极加载第二电压，获取导通的另一个所述导通子电极的检测信号，并根据检测信号，确定所述待测量薄膜对应的IV特性曲线后提供给所述主处理器；所述主处理器被配置为根据所述待测量薄膜对应的IV特性曲线以及预先存储的掺杂离子的IV特性曲线与掺杂比例之间的关系表，确定所述待测量薄膜中所述预设掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱宏昌，何信儒，郭世聪，冯永山，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，绵阳京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11