【技术实现步骤摘要】
一种测试基板及其制作方法、测试方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种测试基板及其制作方法、测试方法。
技术介绍
目前，为了对显示不良进行分析，通常采用光镜检查、扫描电子显微镜等对显示电路中的结构进行测试。然而，上述方式无法对电路进行电学方面的测试。为了解决上述问题，通常会在显示区周边设置测试单元，以通过对上述测试单元进行测试获得显示区的电路的电学性能。然而，受到显示基板制作工艺稳定性的影响，周边区域测试单元的电学性能并不能直接表征显示区中电路的电学特征，因此降低了电学性能测试的准确性。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种测试基板及其制作方法、测试方法，用于解决在显示电路的电学测试中，显示周边区域的测试单元的电学性能无法真实反映显示区中电路的电学特征的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本申请实施例提供一种测试基板制作方法，包括：在一显示基板上确定待测试的至少一个目标薄膜晶体管；在显示基板上划分出至少一个测试区，每个目标薄膜晶体管位于一个测试区内；对所述测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔；每个所述测试孔的底部暴露出所述目标薄膜晶...
【技术保护点】
1.一种测试基板制作方法，其特征在于，所述方法包括：在一显示基板上确定待测试的至少一个目标薄膜晶体管；在所述显示基板上划分出至少一个测试区，每个所述目标薄膜晶体管位于一个所述测试区内；对所述测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔；每个所述测试孔的底部暴露出所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极；在每个所述测试孔内形成测试管脚，所述测试管脚与所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极耦接。
【技术特征摘要】
1.一种测试基板制作方法，其特征在于，所述方法包括：在一显示基板上确定待测试的至少一个目标薄膜晶体管；在所述显示基板上划分出至少一个测试区，每个所述目标薄膜晶体管位于一个所述测试区内；对所述测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔；每个所述测试孔的底部暴露出所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极；在每个所述测试孔内形成测试管脚，所述测试管脚与所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极耦接。2.根据权利要求1所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述在每个所述测试孔内形成测试管脚之后，所述方法还包括：将所述测试管脚与该测试管脚相邻的一条数据引线耦接。3.根据权利要求1所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述方法还包括：去除位于所述测试管脚周围的残留金属。4.根据权利要求3所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在相邻两个所述测试区的交界位置，将多层依次堆叠的薄膜层切断。5.根据权利要求1所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述对所述测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔包括：采用聚焦离子束溅射工艺，根据至少一个溅射计算模型，在对应每个所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极的位置分别进行离子束溅射，形成所述测试孔；其中，所述溅射计算模型中的参数包括待形成的所述测试孔开口的尺寸、待形成的所述测试孔的深度、施加至离子束的电压和/或电流。6.根据权利要求5所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述对所述测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔还包括：在对应每个所述目标薄膜晶体管源极、漏极或栅极的位置，分别进行离子束溅射时，采用终点检测方式对待形成的所述测试孔的溅射深度进行检测；当目标深度与检测到的深度之间的深度差，位于深度阈值范围时，获取待形成的所述测试孔的离子束图像，和/或，电子束图像；根据所述离子束图像，和/或，电子束图像，对待形成的所述测试孔继续进行聚焦离子束溅射工艺，直至待形成的所述测试孔的实际深度与所述目标深度相同。7.根据权利要求1-6任一项所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述测试孔的底部仅暴露出所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极。8.根据权利要求3所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述去除位于所述测试管脚周围的残留金属包括：采用聚焦离子束溅射工艺，去除在采用所述沉积工艺制作所述测试管脚时，位于所述目标薄膜晶体管的源极、漏极以及栅极周围的残留金属；获取所述目标薄...
【专利技术属性】
技术研发人员：范磊，包征，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11
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