一种测试基板及其制作方法、测试方法技术

本申请实施例提供一种测试基板及其制作方法、测试方法，涉及显示技术领域，用于解决在显示电路的电学测试中，显示周边区域的测试单元的电学性能无法真实反映显示区中电路的电学特征的问题。测试基板制作方法，包括：在一显示基板上确定待测试的至少一个目标TFT；在显示基板上划分出至少一个测试区，每个目标薄膜晶体管位于一个测试区内；对测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔；每个测试孔的底部暴露出目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极；在每个测试孔内形成测试管脚，测试管脚与目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极耦接。

【技术实现步骤摘要】
一种测试基板及其制作方法、测试方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种测试基板及其制作方法、测试方法。
技术介绍
目前，为了对显示不良进行分析，通常采用光镜检查、扫描电子显微镜等对显示电路中的结构进行测试。然而，上述方式无法对电路进行电学方面的测试。为了解决上述问题，通常会在显示区周边设置测试单元，以通过对上述测试单元进行测试获得显示区的电路的电学性能。然而，受到显示基板制作工艺稳定性的影响，周边区域测试单元的电学性能并不能直接表征显示区中电路的电学特征，因此降低了电学性能测试的准确性。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种测试基板及其制作方法、测试方法，用于解决在显示电路的电学测试中，显示周边区域的测试单元的电学性能无法真实反映显示区中电路的电学特征的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：本申请实施例提供一种测试基板制作方法，包括：在一显示基板上确定待测试的至少一个目标薄膜晶体管；在显示基板上划分出至少一个测试区，每个目标薄膜晶体管位于一个测试区内；对所述测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔；每个所述测试孔的底部暴露出所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极；在每个所述测试孔内形成测试管脚，所述测试管脚与所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极耦接。由上述可知，在薄膜晶体管的栅极通过过孔与数据引线DL耦接的情况下，当向目标薄膜晶体管的栅极提供电压时，可以将测试设备的探针与上述数据引线搭接，从而通过该数据引线向目标薄膜晶体管的栅极提供测试的电压。或者，当目标薄膜晶体管的栅极上方具有测试孔，且该栅极与位于测试孔中的测试管脚耦接时，可以将电学测试设备的测试探针直接与上述测试管脚相接触。此外，当目标薄膜晶体管的源极上方具有测试孔，且该源极与位于测试孔中的测试管脚耦接时，可以将电学测试设备的测试探针直接与上述测试管脚相接触。和/或，当目标薄膜晶体管的漏极上方具有测试孔，且该漏极与位于测试孔中的测试管脚耦接时，可以将电学测试设备的测试探针直接与上述测试管脚相接触。这样一来，电学测试设备的测试探针通过直接与上述测试管脚，就可以直接向目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极提供测试的电压，以直接对上述目标薄膜晶体管的电学性能进行测试。在此情况下，无论上述目标薄膜晶体管位于显示区还是位于该显示区周边的周边区域，上述测试设备都可以直接对其电学性能进行测试，而无需通过位于上述周边区域的测试单元的电学性能表征存在缺陷的目标薄膜晶体管自身的电学性能。达到提高电学测试准确性的目的。可选的，在每个测试孔内形成测试管脚之后，方法还包括：将测试管脚与该测试管脚相邻的一条数据引线耦接。可选的，上述方法还包括：去除位于测试管脚周围的残留金属。可选的，上述方法还包括：在相邻两个测试区的交界位置，将多层依次堆叠的薄膜层切断。可选的，对测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔包括：采用聚焦离子束溅射工艺，根据至少一个溅射计算模型，在对应每个目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极的位置分别进行离子束溅射，形成测试孔；其中，溅射计算模型中的参数包括待形成的测试孔开口的尺寸、待形成的测试孔的深度、施加至离子束的的电流和/或电压。可选的，对所述测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔还包括：在对应每个目标薄膜晶体管源极、漏极或栅极的位置，分别进行离子束溅射时，采用终点检测方式对待形成的测试孔的溅射深度进行检测；当目标深度与检测到的深度之间的深度差，位于深度阈值范围时，获取待形成的测试孔的离子束图像，和/或，电子束图像；根据离子束图像，和/或，电子束图像，对待形成的测试孔继续进行聚焦离子束溅射工艺，直至待形成的测试孔的实际深度与目标深度相同。可选的，测试孔的底部仅暴露出目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极。可选的，去除位于测试管脚周围的残留金属包括：采用聚焦离子束溅射工艺，去除在采用沉积工艺制作测试管脚时，位于目标薄膜晶体管的源极、漏极以及栅极周围的残留金属；获取目标薄膜晶体管的离子束图像，和/或，电子束图像，判断残留金属是否完全去除。可选的，在一显示基板上确定待测试的至少一个目标薄膜晶体管包括：对显示基板进行点灯测试，获取缺陷所在的位置；将缺陷所在位置处的薄膜晶体管作为目标薄膜晶体管。可选的，在一显示基板上确定待测试的至少一个目标薄膜晶体管之前，方法还包括制作显示基板的方法；制作显示基板的方法包括：在衬底基板上形成多晶硅薄膜层，采用构图工艺以及离子掺杂工艺，形成薄膜晶体管的有源层，以及分别位于有源层两侧的源极和漏极；在形成有上述结构的衬底基板上，依次形成第一栅极绝缘层以及第一金属层，并对第一金属层进行构图工艺，形成薄膜晶体管的栅极；在形成有上述结构的衬底基板上，形成层间绝缘层，并通过构图工艺，在层间绝缘层和第一栅极绝缘层上，且至少在对应薄膜晶体管栅极的位置形成过孔；在形成有上述结构的衬底基板上，形成第二金属层，并对第二金属层进行构图工艺，形成与至少一个目标薄膜晶体管的栅极耦接的数据引线。本申请实施例的另一方面，提供一种测试基板，包括衬底基板以及位于衬底基板上的多个薄膜晶体管；多个薄膜晶体管中的至少一个为目标薄膜晶体管；测试基板具有至少一个测试区；每个测试区内具有一个目标薄膜晶体管；测试基板还包括至少一个测试孔和至少一个测试管脚；每个测试管脚位于一个测试孔内；测试管脚穿过测试孔，与目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极耦接。上述测试基板具有与前述实施例提供的测试基板的制作方法相同的技术效果，此处不再赘述。可选的，测试基板还包括多条数据引线，测试管脚与该测试管脚相邻的一条引线耦接；同一目标薄膜晶体管中，该目标薄膜晶体管源极、漏极和栅极分别耦接的两个测试管脚，所耦接的数据引线不同。可选的，测试基板中，同一层薄膜层在相邻两个测试区的交界处断开。本申请实施例的另一方面，提供一种对如上所述的测试基板进行测试方法，方法包括：向一个目标薄膜晶体管的栅极、源极以及漏极施加电压；获取目标薄膜晶体管的转移特性曲线；根据转移特性曲线获取目标薄膜晶体管的多种电学特征参数；将每一种电学特征参数与该电学特性参数相匹配的典型值进行比对，得出存在异常的电学特征参数。上述测试基板的测试方法，具有与前述实施例提供的测试基板相同的技术效果，此处不再赘述。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请的以下实施例提供的一种显示面板的像素电路结构示意图；图2为本申请的一些实施例提供的一种测试基板的制作方法流程图；图3为本申请实施例提供的测试基板的一种局部结构示意图；图4a、图4b、图4c、图4d、图4e、图4f以及图4g为制作图3所示的测试基板的各个步骤对应的结构示意图；图5a为本申请实施例提供的一种测试基板的另一种局部结构示意图；图5b为申请实施例提供的一种测试基板的另一种局部结构示意图；图6为图5a中测试孔的位置示意图；图7为在图6所示的测试孔形成的测试管脚的一种结构示意图；图8为在图6所示的测试孔形成的测试管脚的另一种结构示意图；图9a为在图6所示的测试孔形成的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种测试基板制作方法，其特征在于，所述方法包括：在一显示基板上确定待测试的至少一个目标薄膜晶体管；在所述显示基板上划分出至少一个测试区，每个所述目标薄膜晶体管位于一个所述测试区内；对所述测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔；每个所述测试孔的底部暴露出所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极；在每个所述测试孔内形成测试管脚，所述测试管脚与所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极耦接。

【技术特征摘要】
1.一种测试基板制作方法，其特征在于，所述方法包括：在一显示基板上确定待测试的至少一个目标薄膜晶体管；在所述显示基板上划分出至少一个测试区，每个所述目标薄膜晶体管位于一个所述测试区内；对所述测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔；每个所述测试孔的底部暴露出所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极；在每个所述测试孔内形成测试管脚，所述测试管脚与所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极耦接。2.根据权利要求1所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述在每个所述测试孔内形成测试管脚之后，所述方法还包括：将所述测试管脚与该测试管脚相邻的一条数据引线耦接。3.根据权利要求1所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述方法还包括：去除位于所述测试管脚周围的残留金属。4.根据权利要求3所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述方法还包括：在相邻两个所述测试区的交界位置，将多层依次堆叠的薄膜层切断。5.根据权利要求1所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述对所述测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔包括：采用聚焦离子束溅射工艺，根据至少一个溅射计算模型，在对应每个所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极的位置分别进行离子束溅射，形成所述测试孔；其中，所述溅射计算模型中的参数包括待形成的所述测试孔开口的尺寸、待形成的所述测试孔的深度、施加至离子束的电压和/或电流。6.根据权利要求5所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述对所述测试区进行构图工艺，以形成至少一个测试孔还包括：在对应每个所述目标薄膜晶体管源极、漏极或栅极的位置，分别进行离子束溅射时，采用终点检测方式对待形成的所述测试孔的溅射深度进行检测；当目标深度与检测到的深度之间的深度差，位于深度阈值范围时，获取待形成的所述测试孔的离子束图像，和/或，电子束图像；根据所述离子束图像，和/或，电子束图像，对待形成的所述测试孔继续进行聚焦离子束溅射工艺，直至待形成的所述测试孔的实际深度与所述目标深度相同。7.根据权利要求1-6任一项所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述测试孔的底部仅暴露出所述目标薄膜晶体管的源极、漏极或栅极。8.根据权利要求3所述的测试基板制作方法，其特征在于，所述去除位于所述测试管脚周围的残留金属包括：采用聚焦离子束溅射工艺，去除在采用所述沉积工艺制作所述测试管脚时，位于所述目标薄膜晶体管的源极、漏极以及栅极周围的残留金属；获取所述目标薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：范磊，包征，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11