胺取代的萘衍生物和包含其的有机发光二极管制造技术

公开了由式A表示的胺取代的萘衍生物和包含其的有机发光二极管。在有机发光二极管中，至少一种胺取代的萘衍生物被用于介于空穴传输层与发光层之间的空穴辅助层中，以使空穴能够有效地传输至发光层，实现高发光效率和长寿命。

Amine-substituted naphthalene derivatives and organic light-emitting diodes containing them

Amine-substituted naphthalene derivatives represented by formula A and organic light-emitting diodes containing them are disclosed. In organic light-emitting diodes, at least one amine-substituted naphthalene derivative is used in the hole-assisted layer between the hole transport layer and the light-emitting layer, so that the hole can be effectively transmitted to the light-emitting layer, achieving high luminescence efficiency and long lifetime.

【技术实现步骤摘要】
胺取代的萘衍生物和包含其的有机发光二极管
本专利技术涉及胺取代的萘衍生物和包含其的有机发光二极管。更具体地，本专利技术涉及有机发光二极管，其中胺取代的萘衍生物被用于介于空穴传输层与发光层之间的空穴辅助层中，以使空穴能够有效地传输至发光层，实现高发光效率和长寿命。
技术介绍
有机发光二极管是自发光器件，其中从电子注入电极(阴极)注入的电子与从空穴注入电极(阳极)注入的空穴在发光层中结合而形成激子，激子在释放能量的同时发光。这样的有机发光二极管具有低驱动电压、高亮度、大视角和快速响应速度，并且可以应用于全色发光平板显示器。由于这些优点，有机发光二极管已作为下一代光源而受到关注。有机发光二极管的上述特性通过二极管的有机层的结构优化来实现，并且由用于有机层的稳定且有效的材料来支持，例如空穴注入材料、空穴传输材料、发光材料、电子传输材料、电子注入材料和电子阻挡材料。然而，仍需要进行更多的研究以开发用于有机发光二极管的有机层的结构优化的结构和用于有机发光二极管的有机层的稳定且有效的材料。空穴传输层与发光层之间的最高占据分子轨道(HOMO)能级的差异大使得难以将空穴从空穴传输层传输至发光层，导致空穴在空穴传输层与发光层之间的界面处积聚。为了解决这些问题，已经提出引入空穴辅助层以促进空穴传输。在这种情况下，需要开发用于空穴辅助层的材料。
技术实现思路
因此，本专利技术旨在提供一种用于介于空穴传输层与发光层之间的空穴辅助层中以制造具有高发光效率和长寿命的有机发光二极管的材料，以及包含所述材料的有机发光二极管。本专利技术的一个方面提供了由式A表示的胺取代的萘衍生物作为有机发光化合物：其中R1和R2可以彼此相同或不同，并且各自独立地为结构A或结构B：条件是R1和R2中的至少一者为结构A。下面描述式A以及结构A和结构B的结构和具体取代基。根据本专利技术的一个实施方案，R1和R2中的任一者可以为结构A并且另一者可以为结构B。本专利技术还提供了一种有机发光二极管，其包括第一电极、与第一电极相对的第二电极以及介于第一电极与第二电极之间的一个或更多个有机层，其中有机层中的一者包含由式A表示的萘衍生物和任选的另一种由式A表示的萘衍生物。根据本专利技术的一个实施方案，由式A表示的萘衍生物可以存在于介于第一电极与第二电极之间的空穴辅助层中。本专利技术的化合物被用于有机发光二极管的空穴辅助层中，以进一步促进从二极管的空穴传输层至发光层的空穴传输，实现二极管的高发光效率和长寿命。具体实施方式现在将更详细地描述本专利技术。本专利技术涉及用于有机发光二极管的由式A表示的胺取代的萘衍生物：其中R1和R2可以彼此相同或不同，并且各自独立地为结构A或结构B，条件是R1和R2中的至少一者为结构A：其中L表示连接基团并且为单键或者选自经取代或未经取代的C1-C10亚烷基；经取代或未经取代的C2-C10亚烯基；经取代或未经取代的C2-C10亚炔基；经取代或未经取代的C3-C20亚环烷基；经取代或未经取代的C2-C30亚杂环烷基；经取代或未经取代的C6-C30亚芳基和经取代或未经取代的C2-C30亚杂芳基，m为0至4的整数，以及Ar1和Ar2可以彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的C6-C50芳族烃环或者经取代或未经取代的C2-C40芳族杂环基，其中L和m如结构A中所限定，以及Ar3为经取代或未经取代的C6-C50芳族烃环，M为氢；氘；经取代或未经取代的C1-C10烷基；经取代或未经取代的C2-C10烯基；经取代或未经取代的C2-C10炔基；经取代或未经取代的C3-C20环烷基；经取代或未经取代的C5-C20环烯基；经取代或未经取代的C1-C10烷氧基；经取代或未经取代的C6-C30芳氧基；经取代或未经取代的C1-C30烷基硫基；经取代或未经取代的C5-C30芳基硫基；经取代或未经取代的C1-C30烷基胺基；经取代或未经取代的C5-C30芳基胺基；经取代或未经取代的C6-C30芳基；经取代或未经取代的插入有选自O、N和S的一个或更多个杂原子的C2-C30杂芳基；氰基；硝基；卤素基团；经取代或未经取代的甲硅烷基；经取代或未经取代的锗基；经取代或未经取代的硼基；经取代或未经取代的铝基；羰基；磷酰基；氨基；硫醇基；羟基；硒基；碲基；酰胺基或酯基，以及n为0至4的整数，条件是当n等于或大于2时，复数个M基团可以彼此相同或不同，并且各自独立地任选地与相邻取代基结合以形成任选地插入有选自N、S和O的一个或更多个杂原子的单环或多环的脂环族或芳族环。特别地，将胺取代的萘衍生物用于有机发光二极管的空穴辅助层中，以进一步促进从二极管的空穴传输层至发光层的空穴传输。式A的萘衍生物在结构上在C-2(R1)或C-4(R2)位置处具有至少一个胺取代基(结构A)。根据本专利技术的一个实施方案，R1和R2中的任一者可以为结构A并且另一者可以为结构B。在式A以及结构A和结构B中的M和Ar1至Ar3的限定中使用的表述“经取代或未经取代的”意指M和Ar1至Ar3未经取代或者经选自以下的一个或更多个取代基取代：氢、氘、氰基、卤素基团、羟基、硝基、烷基、烷氧基、烷基氨基、芳基氨基、杂芳基氨基、烷基甲硅烷基、芳基甲硅烷基、芳氧基、芳基、杂芳基、锗、磷和硼，或其组合。在“经取代或未经取代的C1-C10烷基”、“经取代或未经取代的C6-C30芳基”等中，烷基或芳基中的碳原子数表示构成未经取代的烷基或芳基部分的碳原子数，不考虑取代基中的碳原子数。例如，在对位上经丁基取代的苯基对应于经C4丁基取代的C6芳基。如本文所使用的表述“与相邻取代基结合以形成环”意指相应取代基与相邻取代基结合以形成经取代或未经取代的脂族或芳族环，术语“相邻取代基”可以意指与取代有相应取代基的原子直接连接的原子上的取代基、位于空间上最接近相应取代基的取代基、或者取代有相应取代基的原子上的另一取代基。例如，在苯环的邻位上取代的两个取代基或者在脂族环中同一碳上的两个取代基可以被认为彼此“相邻”。芳族烃环的具体实例包括但不限于苯基、萘基和蒽基。如本文所使用的术语“芳族杂环基”是指其中芳族碳原子中的一个或更多个被杂原子例如N、O、P、Si、S、Ge、Se和Te取代的芳族烃环。芳族烃环、芳族杂环基等可以为单环或多环的。烷基可以为直链或支化的。烷基中的碳原子数没有特别限制，但优选为1至20。烷基的具体实例包括但不限于甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基丁基、1-乙基丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基丙基、1,1-二甲基丙基、异己基、4-甲基己基和5-甲基己基。烯基旨在包括直链和支化烯基，并且可以任选地经一个或更多个其他取代基取代。烯基具体可以为乙烯基、1-丙烯基、异丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、3-甲基-1-丁烯基、1,3-丁二烯基、烯丙基、1-苯基乙烯基-1-基、2-苯基乙烯基-1-基、2,2-二苯基乙烯基-1-基、2-苯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种由式A表示的有机发光化合物：

【技术特征摘要】
2017.11.08 KR 10-2017-01482341.一种由式A表示的有机发光化合物：其中R1和R2彼此相同或不同，并且各自独立地为结构A或结构B，条件是R1和R2中的至少一者为结构A；结构A：其中L表示连接基团并且为单键或者选自经取代或未经取代的C1-C10亚烷基；经取代或未经取代的C2-C10亚烯基；经取代或未经取代的C2-C10亚炔基；经取代或未经取代的C3-C20亚环烷基；经取代或未经取代的C2-C30亚杂环烷基；经取代或未经取代的C6-C30亚芳基和经取代或未经取代的C2-C30亚杂芳基，m为0至4的整数，以及Ar1和Ar2彼此相同或不同，并且各自独立地为经取代或未经取代的C6-C50芳族烃环或者经取代或未经取代的C2-C40芳族杂环基，结构B：其中L和m如结构A中所限定，以及Ar3为经取代或未经取代的C6-C50芳族烃环，M为氢；氘；经取代或未经取代的C1-C10烷基；经取代或未经取代的C2-C10烯基；经取代或未经取代的C2-C10炔基；经取代或未经取代的C3-C20环烷基；经取代或未经取代的C5-C20环烯基；经取代或未经取代的C1-C10烷氧基；经取代或未经取代的C6-C30芳氧基；经取代或未经取代的C1-C30烷基硫基；经取代或未经取代的C5-C30芳基硫基；经取代或未经取代的C1-C...

【专利技术属性】
技术研发人员：李世珍，李峰香，刘泰正，崔英太，李多情，
申请(专利权)人：SFC株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR