The structure and forming method of semiconductor device structure are provided. The semiconductor device structure comprises a first dielectric layer and a second dielectric layer on a semiconductor substrate. The cavity passes through the first dielectric layer and the second dielectric layer. The semiconductor device structure also includes a first movable film between the first dielectric layer and the second dielectric layer. The first movable membrane is partially exposed through the cavity. The first movable film contains the first corrugated portion arranged along the edge of the cavity.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置结构
本专利技术实施例关于半导体装置结构,更特别关于微机电系统结构与其膜的凹陷部分。
技术介绍
半导体集成电路产业已经历快速成长。集成电路材料与设计的技术进步,使每一代的集成电路比前一代的集成电路更小且电路更复杂。随着集成电路进展,功能密度(比如固定晶片面积中的内连线装置数目)通常随着几何尺寸(比如制程形成的最小构件)缩小而增加。这些进展会增加集成电路制程的复杂度。为实现这些进展,集成电路制程亦需类似发展。近来已发展微机电系统装置。微机电系统装置包含的装置以半导体技术制作,其可形成机械与电性结构。微机电系统装置可包含用于达到机械功能的多个单元如可动单元。微机电系统应用包含麦克风、动作传感器、压力传感器、印表机喷嘴、或类似物。其他微机电系统应用包含惯性传感器,比如用于量测线性加速度的加速计,或用于量测角速度的陀螺仪。此外,微机电系统应用可延伸至光学应用如可动反射镜、、射频应用如射频开关、或类似应用。虽然微机电系统装置的现有装置与形成方法通常符合其预设目的,但无法完全满足所有方面。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的半导体装置结构,包括:第一介电层与第二介电 ...
【技术保护点】
1.一种半导体装置结构,包括:一第一介电层与一第二介电层,位于一半导体基板上,其中一空腔穿过该第一介电层与该第二介电层;以及一第一可动膜,位于该第一介电层与该第二介电层之间,其中经由该空腔部分地露出该第一可动膜,其中该第一可动膜包含沿着该空腔的边缘排列的多个第一波纹部分。
【技术特征摘要】
2017.11.08 US 62/583,064;2018.01.18 US 15/873,9371.一种半导体装置结构,包括:一第一介...
【专利技术属性】
技术研发人员:邓伊筌,蔡俊胤,朱家骅,郑钧文,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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