一种磁隔离驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种磁隔离驱动电路，变压器副边绕组连接的电路包括二极管D11、D12、电阻R11、R12、电容C11和三极管Q11，副边绕组的一端经电阻R11后同时连接三极管Q11的集电极和第一输出端So1，电阻R12和电容C11串联后连接于副边绕组的另一端和三极管Q11的基极之间，三极管Q11的发射极同时连接二极管D11的阳极、二极管D12的阳极和第二输出端So2，二极管D11的阴极连接副边绕组的另一端，二极管D12的阴极连接三极管Q11的基极。本发明专利技术当原边输入的高电平关闭时，电容C11充电完毕即可关断三极管Q11，使其提前退出饱和区，使得下一个周期能快速开通被驱动的功率开关器件。

A Magnetically Isolated Driving Circuit

【技术实现步骤摘要】
一种磁隔离驱动电路
本专利技术涉及一种功率开关器件的驱动电路，尤其涉及一种功率开关器件的磁隔离驱动电路。
技术介绍
功率开关器件在电力电子装置中占据着核心位置，它的可靠工作是整个装置正常运行的基础。功率开关器件的驱动电路是主电路与控制电路之间的接口，是电力电子装置的重要部分。它对整个装置的性能有很大的影响，其作用是将控制电路输出的驱动脉冲信号放大到足以驱动功率开关器件。简而言之，驱动电路的基本任务就是将控制电路传来的驱动脉冲信号，转换为加在功率开关器件控制端和导通电流流出端之间的可以使其导通和关断的信号。随着电力电子技术的快速发展，出现了很多新的性能优秀的拓扑，基于拓扑本身的需要或安全方面的考虑，需要将来自控制电路的驱动脉冲信号与功率开关器件进行隔离，因此，各种隔离驱动方案应运而生，其中磁隔离驱动方案具有电路简单、不易损坏、低成本等优势，故磁隔离在当今的浮地驱动拓扑中有很高的使用率。图1-1示出的是2006年10月12日公开的技术，公开号KR10-0820320的韩国专利申请文件中公开了一种双路互补的磁隔离驱动电路，用于单路驱动显然是可以的，这是LG公司的，较好地解决了被驱动的场效应本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁隔离驱动电路，其特征在于：包括第一输入端Si1、第二输入端Si2、第一输出端So1、第二输出端So2、变压器B、原边绕组NP、副边绕组NS、二极管D11、二极管D12、电阻R11、电阻R12、电容C11和三极管Q11；原边绕组NP的两端分别连接第一输入端Si1和第二输入端Si2，副边绕组NS的一端经电阻R11后同时连接三极管Q11的集电极和第一输出端So1，电阻R12和电容C11串联后连接于副边绕组NS的另一端和三极管Q11的基极之间，三极管Q11的发射极同时连接二极管D11的阳极、二极管D12的阳极和第二输出端So2，二极管D11的阴极连接副边绕组NS的另一端，二极管D12的阴极连...

【技术特征摘要】
1.一种磁隔离驱动电路，其特征在于：包括第一输入端Si1、第二输入端Si2、第一输出端So1、第二输出端So2、变压器B、原边绕组NP、副边绕组NS、二极管D11、二极管D12、电阻R11、电阻R12、电容C11和三极管Q11；原边绕组NP的两端分别连接第一输入端Si1和第二输入端Si2，副边绕组NS的一端经电阻R11后同时连接三极管Q11的集电极和第一输出端So1，电阻R12和电容C11串联后连接于副边绕组NS的另一端和三极管Q11的基极之间，三极管Q11的发射极同时连接二极管D11的阳极、二极管D12的阳极和第二输出端So2，二极管D11的阴极连接副边绕组NS的另一端，二极管D12的阴极连接三极管Q11的基极。2.根据权利要求1所述的磁隔离驱动电路，其特征在于：第二输出端So2和三极管Q11的发射极之间、第一输出端So1和三极管Q11的集电极之间，以及二极管D12的阴极与电阻R12和电容C11串联后的连接点和三极管Q11的基极之间择一、择...

【专利技术属性】
技术研发人员：王保均，
申请(专利权)人：广州金升阳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44