生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片制造技术

本实用新型专利技术公开了生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片，包括生长在硅/石墨烯复合衬底上的非掺杂GaN纳米柱，生长在非掺杂GaN纳米柱上的n型掺杂GaN层，长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层。本实用新型专利技术的制备方法具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。

GaN-based nano-pillar LED epitaxial wafers grown on silicon/graphene composite substrates

【技术实现步骤摘要】
生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片
本技术涉及LED外延片领域，特别涉及生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片。
技术介绍
发光二极管(LED)作为一种新型的固态照明光源和绿色光源，具有节能、环保、体积小、用途广泛和使用寿命长等突出特点，在室外照明、商业照明以及军事照明等领域都具有广泛的应用。当前，在全球气候变暖问题日趋严峻的背景下，节约能源、减少温室气体排放成为全世界面临的重要问题。以低能耗、低污染、低排放为基础的低碳经济，是经济发展的重要方向。在照明领域，LED作为一种新型的绿色固态照明产品，是未来发展的趋势。但是现阶段LED要向高效节能环保的方向发展，其发光效率仍有待于进一步提高。GaN及III-族氮化物由于宽禁带、稳定的物理化学性质、高的热导率和高的电子饱和速度等优点，广泛应用于发光二极管(LED)、激光器和光电子器件等方面。与其他宽禁带半导体材料相比，GaN材料除具有上述优点外，其纳米级的材料在量子效应、界面效应、体积效应、尺寸效应等方面还表现出更多新颖的特性。Si衬底因其具有晶圆尺寸大、成本低廉、易剥离等优点，成为全球LED供应商积极投本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片，其特征在于，包括硅/石墨烯复合衬底(10)、生长在硅/石墨烯复合衬底上的非掺杂GaN纳米柱(11)、生长在非掺杂GaN纳米柱上的n型掺杂GaN层(12)、生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱(13)和生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层(14)。

【技术特征摘要】
1.生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片，其特征在于，包括硅/石墨烯复合衬底(10)、生长在硅/石墨烯复合衬底上的非掺杂GaN纳米柱(11)、生长在非掺杂GaN纳米柱上的n型掺杂GaN层(12)、生长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱(13)和生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层(14)。2.根据权利要求1所述的生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片，其特征在于，所述非掺杂GaN纳米柱的高度为300～900nm。3.根据权利要求1所述的生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片，其特征在于，所述非掺杂GaN纳米柱的直径为30～100nm。4.根据权利要求1所述的生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片，其特征在于，所述n型掺杂GaN层的高度为1～3μm。5.根据权利要求1所述的生长在...

【专利技术属性】
技术研发人员：高芳亮，李国强，张曙光，徐珍珠，余粤锋，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：新型
国别省市：广东,44