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本实用新型公开了生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片，包括生长在硅/石墨烯复合衬底上的非掺杂GaN纳米柱，生长在非掺杂GaN纳米柱上的n型掺杂GaN层，长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱，生长在InGaN/G...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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