一种OLED微腔结构的制作方法技术

本发明专利技术涉及OLED高色域显示技术领域，特别涉及一种OLED微腔结构的制作方法。该制作方法包括以下步骤：在基底上形成反射阳极；在反射阳极上形成需求像素所对应厚度的透明导电薄膜层；配合需求像素所对应的像素掩膜板对透明导电薄膜层和反射阳极进行构图以形成需求像素的图案；根据显示需求在得到的结构表面重复上述步骤直至得到显示装置所要求的像素显示结构。本发明专利技术提出了一种新的OLED微腔结构制作工艺，选择与透明导电薄膜层构图差异大的反射阳极作为保护一次性制作较厚的透明导电薄膜层，排除了分次制作透明导电薄膜层形成的界面对微腔出射光的影响，同时避免了在对透明导电薄膜层在构图过程中反射阳极被多次刻蚀影响反射率的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种OLED微腔结构的制作方法
本专利技术涉及OLED高色域显示
，特别涉及一种OLED微腔结构的制作方法。
技术介绍
随着显示技术的发展，显示设备显示色彩的丰富度越来越受到重视，希望显示设备可以表现出更丰富多彩的颜色，能够重显自然界的原始色彩，使观看效果更加富有现场感和自然感，因此高色域显示技术方案显得尤为重要。为实现高色域显示，很多显示器件采用微腔结构搭配彩膜，并通过控制谐振腔之间的距离实现RGB高色域显示。目前，大尺寸OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)制作中经常采用WOLED(WhiteOrganicLight-EmittingDiode，白光有机发光二极管)+CF(Colorfilter，彩色滤光片)技术架构。这种结构具有有机EL(Electro-Luminescence，发光电子板)材料利用率高、对蒸镀EL的mask(掩膜板)要求低、采用顶发射的EL提高开口率等优点。然而，目前显示设备对覆盖色域要求越来越高，通常利用微腔结构与彩膜的结合可以提高显示色域，举例说明，具体通过R、G、B像素阳极采用不同厚度透明导电薄膜层实现不同腔长制作，包括以下步骤：1、TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)制作完成后制作R、G、B反射阳极；2、制作一层透明导电薄膜层并图形化，记为第一透明导电薄膜层，对应R像素；3、在第一透明导电薄膜层上制作一层透明导电薄膜层并图形化，记为第二透明导电薄膜层，对应R、G像素；4、在第二透明导电薄膜层上制作一层透明导电薄膜层并图形化，记为第三透明导电薄膜层，对应R、G、B像素。最终得到三种不同厚度的透明导电薄膜层，其中，第一透明导电薄膜层为B像素，第二透明导电薄膜层为G像素，第三透明导电薄膜层为R像素。但是，这种制造方法制备的结构中透明导电薄膜层间的界面会对出射光效率、光谱等产生影响。
技术实现思路
本专利技术公开了一种OLED微腔结构的制作方法，用于排除分次制作透明导电薄膜层形成的界面对微腔出射光的影响。为达到上述目的，本专利技术提供以下技术方案：一种OLED微腔结构的制作方法，包括以下步骤：在基底上形成反射阳极；在所述反射阳极上形成需求像素所对应厚度的透明导电薄膜层；配合需求像素所对应的像素掩膜板对所述透明导电薄膜层和所述反射阳极进行构图以形成需求像素的图案；根据显示需求在得到的结构表面重复上述步骤直至得到显示装置所要求的像素显示结构。上述制作方法提出了一种新的OLED微腔结构制作工艺，选择与透明导电薄膜层构图差异大的反射阳极作为保护一次性制作较厚的透明导电薄膜层，排除了分次制作透明导电薄膜层形成的界面对微腔出射光的影响，同时避免了透明导电薄膜层在构图过程中反射阳极被多次刻蚀影响反射率的问题。可选地，所述像素包括B像素、G像素和R像素，所述制作方法包括：在所述基底上形成第一反射阳极并在所述第一反射阳极上形成第一透明导电薄膜层，配合与B像素对应的像素掩膜板对所述第一透明导电薄膜层和所述第一反射阳极进行构图形成第一结构表面；在所述第一结构表面上形成第二反射阳极并在所述第二反射阳极上形成第二透明导电薄膜层，配合与G像素对应的像素掩膜板对所述第二透明导电薄膜层和所述第二反射阳极进行构图以形成第二结构表面；在所述第二结构表面上形成第三反射阳极并在所述第三反射阳极上形成第三透明导电薄膜层，配合与R像素对应的像素掩膜板对所述第三透明导电薄膜层和所述第三反射阳极进行构图以形成第三结构表面。可选地，在形成所述第一结构表面后，对所述第一透明导电薄膜层进行退火处理；在形成所述第二结构表面后，对所述第二透明导电薄膜层进行退火处理。可选地，两次所述退火处理的均为在230℃温度下处理60min。可选地，所述第一透明导电薄膜层的厚度为所述第二透明导电薄膜层的厚度为所述第三透明导电薄膜层的厚度为可选地，所述配合需求像素所对应的像素掩膜板对所述透明导电薄膜层和所述反射阳极进行构图以形成需求像素的图案包括：在所述透明导电薄膜层上涂布光刻胶；在所述光刻胶上覆盖需求像素所对应的像素掩膜板进行曝光显影；采用酸液剥离所述光刻胶并刻蚀未被所述像素掩膜板覆盖的所述透明导电薄膜层和所述反射阳极。可选地，所述采用酸液剥离所述光刻胶并刻蚀未被所像素掩膜板的所述透明导电薄膜层和所述反射阳极包括：采用酸液刻蚀未被所述像素掩膜板覆盖的所述透明导电薄膜层；采用酸液刻蚀未被所述像素掩膜板覆盖的所述反射阳极。可选地，所述反射阳极和所述透明导电薄膜层通过磁控溅射沉积形成。可选地，所述反射阳极的材质为钼铝铷合金。附图说明图1为本专利技术实施例提供的一种OLED微腔结构的制作方法中形成一种像素结构的工艺流程图；图2为本专利技术实施例提供的一种OLED微腔结构的制作方法中对透明导电薄膜层和反射阳极进行图形化的工艺流程图；图3为本专利技术实施例提供的一种OLED微腔结构的制作方法中采用酸液剥离光刻胶刻蚀透明导电薄膜层和反射阳极的工艺流程图；图4为本专利技术实施例提供的一种包括RGB三种像素OLED微腔结构的工艺流程图；图5至图10为本专利技术实施例提供的一种包括RGB三种像素OLED微腔结构制作过程中显示装置结构变化示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1所示，本专利技术实施例提供了一种OLED微腔结构的制作方法，包括以下步骤：步骤S1：在基底上形成反射阳极；其中，基底指的是薄膜晶体管1，在制作完成后的薄膜晶体管1上形成整层的反射阳极。具体地，反射阳极通过磁控溅射的方式沉积形成在基底上。步骤S2：在反射阳极上形成需求像素所对应厚度的透明导电薄膜层；在制作过程中，形成不同的像素，透明导电薄膜层的厚度不一样。相应地，透明导电薄膜层也是通过磁控溅射的方式沉积形成在反射阳极上。步骤S3：配合需求像素所对应的像素掩膜板对透明导电薄膜层和反射阳极进行构图以形成需求像素的图案；根据显示需求，每种像素对应一种像素掩膜板，在制作过程中，制造某种像素选用该像素对应的像素掩膜板，配合该像素掩膜板对上述透明导电薄膜层和反射阳极进行图形化，以形成需求的像素图案。如图1所示，经过上述步骤S1至步骤S3完成一次制作工艺，能够形成一种像素结构。在生产制造中，如果需要形成多种像素结构，根据显示需求在得到的结构表面重复上述步骤直至得到显示装置所要求的像素显示结构。需要说明的是，如果需要形成多种像素结构，在制作新的像素结构过程中，以前一制作工艺完成得到的结构作为基底，即在前一制作工艺得到的结构上形成反射阳极，再进行下一步骤。具体地，上述反射阳极的材质优选为钼铝铷合金(MoAlNd)，而透明导电薄膜层可以为ITO(Tin-dopedIndiumOxide，锡掺杂氧化铟)，也可以选择IZO(Indium-dopedZincOxide，铟掺杂氧化锌)、AZO(Aluminum-dopedZincOxide，铝掺杂氧化锌)、FTO(Fluorine-dopedTinOxide，氟掺杂氧化铟)等。并且，反射阳极需本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED微腔结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基底上形成反射阳极；在所述反射阳极上形成需求像素所对应厚度的透明导电薄膜层；配合需求像素所对应的像素掩膜板对所述透明导电薄膜层和所述反射阳极进行构图以形成需求像素的图案；根据显示需求在得到的结构表面重复上述步骤直至得到显示装置所要求的像素显示结构。

【技术特征摘要】
1.一种OLED微腔结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在基底上形成反射阳极；在所述反射阳极上形成需求像素所对应厚度的透明导电薄膜层；配合需求像素所对应的像素掩膜板对所述透明导电薄膜层和所述反射阳极进行构图以形成需求像素的图案；根据显示需求在得到的结构表面重复上述步骤直至得到显示装置所要求的像素显示结构。2.根据权利要求1所述的OLED微腔结构的制作方法，其特征在于，所述像素包括B像素、G像素和R像素，所述制作方法包括：在所述基底上形成第一反射阳极并在所述第一反射阳极上形成第一透明导电薄膜层，配合与B像素对应的像素掩膜板对所述第一透明导电薄膜层和所述第一反射阳极进行构图形成第一结构表面；在所述第一结构表面上形成第二反射阳极并在所述第二反射阳极上形成第二透明导电薄膜层，配合与G像素对应的像素掩膜板对所述第二透明导电薄膜层和所述第二反射阳极进行构图以形成第二结构表面；在所述第二结构表面上形成第三反射阳极并在所述第三反射阳极上形成第三透明导电薄膜层，配合与R像素对应的像素掩膜板对所述第三透明导电薄膜层和所述第三反射阳极进行构图以形成第三结构表面。3.根据权利要求2所述的OLED微腔结构的制作方法，其特征在于，在形成所述第一结构表面后，对所述第一透明导电薄膜层进行退火处理；在形成所述第二结构表面后，对所述第二透明导电...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩影，刘威，张建业，刘凤娟，张星，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11