【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅MOSFET器件
本专利技术涉及半导体器件领域，具体涉及一种碳化硅MOSFET器件。
技术介绍
据统计，世界上90％以上的用电量由功率器件控制。功率器件及其模块为实现多种电能形式的转换提供了高效的途径，在国防建设、交通运输、工业生产、医疗卫生等领域得到了广泛应用。自从1994年首次报导SiC功率MOSFET以来，在SiC功率MOSFET的发展过程中已取得很大的进步。功率半导体器件的历史，也就是功率半导体器件推陈出新的历史。每一代功率器件的推出，都使得能源更为高效地转换和使用。随着电力电子变换系统对于效率和体积提出更高的要求，碳化硅将会是越来越合适的半导体器件。尤其针对光伏逆变器和UPS应用，SiC器件是实现其高功率密度的一种非常有效的手段。SiC材料具有禁带宽度很大、临界击穿场强很高、热导率很大、饱和电子漂移速度很高和介电常数很低等特点，与传统SiSBD器件相比，碳化硅SBD反向漏电流小，适合在较高温度及电压条件下工作，SiC器件更适合应用在高功率密度、高开关频率的场合。SiC器件与Si器件相比，可以大幅度降低开关损耗，提高系统效率；无反向恢复、散热性能...
【技术保护点】
1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括漏极(30)、衬底(31)、外延区(32)、P型阱区(36)、n+源区(37)、栅极(35)、栅氧介质(34)、源极(33)和n源区(38)；从下往上依次层叠设置有漏极(30)、衬底(31)和外延区(32)；源极(33)通过栅氧介质(34)、P型阱区(36)和n源区(38)与外延区(32)隔离；栅氧介质(34)与P型阱区(36)接触，P型阱区(36)和n源区(38)接触；P型阱区(36)内设置有n+源区(37)，且与栅氧介质(34)和源极(33)接触；栅氧介质(34)内设置有栅极(35)。
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，包括漏极(30)、衬底(31)、外延区(32)、P型阱区(36)、n+源区(37)、栅极(35)、栅氧介质(34)、源极(33)和n源区(38)；从下往上依次层叠设置有漏极(30)、衬底(31)和外延区(32)；源极(33)通过栅氧介质(34)、P型阱区(36)和n源区(38)与外延区(32)隔离；栅氧介质(34)与P型阱区(36)接触，P型阱区(36)和n源区(38)接触；P型阱区(36)内设置有n+源区(37)，且与栅氧介质(34)和源极(33)接触；栅氧介质(34)内设置有栅极(35)。2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，栅氧介质(34)设置在栅极(35)内下表面。3.如权利要求2所述的器件，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：林信南，石黎梦，
申请(专利权)人：北京大学深圳研究生院，
类型：发明
国别省市：广东,44
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