MOSFET以及电力转换电路制造技术

本发明专利技术的MOSFET100的特征在于，包括：半导体基体110，具有n型柱形区域114、p型柱形区域116、基极区域118、以及源极区域120，并且由n型柱形区域114以及p型柱形区域116构成超级结结构；沟槽122，具有侧壁以及底部；栅电极126，经由栅极绝缘膜124形成在沟槽122内；载流子补偿电极128，位于栅电极126与沟槽122的底部之间；绝缘区域130，将载流子补偿电极128与侧壁以及底部分离；以及源电极132，在与源极区域120电气连接的同时也与载流子补偿电极128电气连接。根据本发明专利技术的MOSFET100，即便栅极周围的电荷平衡存在变动，也能够将关断MOSFET后的开关特性的变动减小至比以往更小的水平。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】MOSFET以及电力转换电路
本专利技术涉及MOSFET以及电力转换电路。
技术介绍
以往，具备由n型柱形(Column)区域以及p型柱形区域所构成超级结(Superjunction)结构的半导体基体的MOSFET被普遍认知(例如，参照专利文献1)。以往的MOSFET800如图10所示，包括：半导体基体810，具有n型柱形区域814以及p型柱形区域816、形成在n型柱形区域814以及p型柱形区域816的表面的p型基极区域818、以及形成在p型基极区域818的表面的n型源极区域820，并且由n型柱形区域814以及p型柱形区域816构成超级结结构；沟槽(Trench)822，从平面看在n型柱形区域814所在的区域内，被形成至比基极区域818的最深部更深的位置上，并且被形成为使源极区域820的一部分外露在内周面上；以及栅电极826，经由形成在沟槽822的内周面上的栅极绝缘膜824被埋设在沟槽822的内部后形成。在以往的MOSFET800中，n型柱形区域814以及p型柱形区域816被形成为：使n型柱形区域814的掺杂物总量与p型柱形区域816的掺杂物总量相等。即，n型柱形区域814以及p型柱本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOSFET，其特征在于，包括：半导体基体，具有在交互排列状态下形成的n型柱形区域以及p型柱形区域、位于所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域的表面的p型基极区域、以及位于所述基极区域的表面的n型源极区域，并且由所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域构成超级结结构；沟槽，从平面看形成在所述n型柱形区域所在的区域内，并且具有与所述n型柱形区域、所述基极区域以及所述源极区域相邻接的侧壁、以及与所述n型柱形区域相邻接的底部；栅电极，经由栅极绝缘膜形成在所述沟槽内；载流子补偿电极，位于所述栅电极与所述沟槽的所述底部之间；所述沟槽内的绝缘区域，延展于所述栅电极与所述载流子补偿电极之间，并且沿所述沟槽...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种MOSFET，其特征在于，包括：半导体基体，具有在交互排列状态下形成的n型柱形区域以及p型柱形区域、位于所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域的表面的p型基极区域、以及位于所述基极区域的表面的n型源极区域，并且由所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域构成超级结结构；沟槽，从平面看形成在所述n型柱形区域所在的区域内，并且具有与所述n型柱形区域、所述基极区域以及所述源极区域相邻接的侧壁、以及与所述n型柱形区域相邻接的底部；栅电极，经由栅极绝缘膜形成在所述沟槽内；载流子补偿电极，位于所述栅电极与所述沟槽的所述底部之间；所述沟槽内的绝缘区域，延展于所述栅电极与所述载流子补偿电极之间，并且沿所述沟槽的所述侧壁以及所述底部延展从而将所述载流子补偿电极与所述侧壁以及所述底部分离；以及源电极，位于所述半导体基体的第一主面侧的表面上，并且在与所述源极区域电气连接的同时也与所述载流子补偿电极电气连接。2.根据权利要求1所述的MOSFET，其特征在于：其中，在将从所述栅电极的最上部直到最下部为止的厚度定为a，从所述载流子补偿电极的最上部直到最下部为止的厚度定为b时，满足0.2a≤b≤a。3.根据权利要求1或2所述的MOSFET，其特征在于：其中，所述半导体基体进一步具有形成在与所述第一主面相反一侧的第二主面侧的表面的低电阻半导体层，在将从所述载流子补偿电极的最上部直到最下部为止...

【专利技术属性】
技术研发人员：新井大辅，北田瑞枝，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP