一种具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器制造技术

本发明专利技术的目的是提供一种可以实现浮栅存储器具有多值存储能力的方法，以及采用该方法设计的各向异性浮栅存储器，该方法以多层石墨烯为埋栅，以少数层二维层状半导体材料为沟道，以六方氮化硼为介电层和封装层，通过范德华堆垛技术以及微纳加工技术制备了具有沿GaTe不同晶向的电极的浮栅存储器，通过改变门电压的大小，对沟道材料GaTe的电学各向异性进行调控，实现了开关比大，数据保持时间长，且具有多值存储功能的浮栅存储器的目的。该方法工艺简单，能够获得性能优异，具有多值存储功能的浮栅存储器。

【技术实现步骤摘要】
一种具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器
本专利技术属于纳米人工复合物、微纳米器件、存储器等应用研究领域，具体提供一种具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器。
技术介绍
自20世纪40年代第一台计算机诞生以来，现代计算机系统的结构依然基于冯.诺依曼原理，即由存储器、运算器、控制器、输入设备和输出设备等五部分组成。存储器是计算机的记忆单元，用来存储各种程序和数据，是计算机中不可或缺的重要组成。非易失性存储器，简称NVM，是指存储器所存储的信息在电源关掉后依然能长时间保存，不易丢失。随着手机、数码相机等便携式电子设备的快速普及，半导体市场对NVM的需求变得越来越大。目前应用最成熟的NVM是以闪存(Flash)为主的浮栅存储器，它具有功耗小，存取速度快，成本低等优点。2012年，NAND型Flash已经发展到32nm/64Gbit技术。尽管闪存获得了巨大的成功并占据了存储器市场上最大的份额，闪存本身却面临着很多缺陷和难题，如：擦写速度慢(0.1ms)、擦写电压高(5V)等。而闪存更严重的瓶颈在于降尺度的极限：尺寸的不断减小导致单个存储单元内部存储的电子数目越来越少，而相邻存储单元由于相距越来本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种实现各向异性浮栅存储器具有多值存储能力的方法，其特征在于：利用二维层状半导体材料的电学各向异性及门可调性，实现具有多值存储能力的浮栅存储器。

【技术特征摘要】
1.一种实现各向异性浮栅存储器具有多值存储能力的方法，其特征在于：利用二维层状半导体材料的电学各向异性及门可调性，实现具有多值存储能力的浮栅存储器。2.一种具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器，其特征在于：所述各向异性浮栅存储器是以二维层状金属材料作为埋栅，以二维层状半导体材料作为沟道材料，以绝缘体作为介电层及封装层。3.按照权利要求2所述具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器，其特征在于：所述二维层状半导体材料为具有电学各向异性，且电学各向异性的大小受门电压的调控作用的材料，绝缘体为二维层状绝缘体材料。4.按照权利要求2或3所述具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器，其特征在于：所述二维层状半导体材料的厚度为1nm-30nm。5.按照权利要求2或3所述具有多值存储能力的各向异性浮栅存储器，其特征在于：所述二维层状半导体材料通过下列方法获得：化学气象沉积、力学剥离解理、溶液中超声剥离或化学剥离。6.按照权利要求2或3...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩拯，张志东，王汉文，陈茂林，孙兴丹，李小茜，王志，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：辽宁,21