温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明的目的是提供一种可以实现浮栅存储器具有多值存储能力的方法，以及采用该方法设计的各向异性浮栅存储器，该方法以多层石墨烯为埋栅，以少数层二维层状半导体材料为沟道，以六方氮化硼为介电层和封装层，通过范德华堆垛技术以及微纳加工技术制备了具有沿...
该专利属于中国科学院金属研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院金属研究所授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。