一种高比容兑现率中高压电极箔化成方法技术

本发明专利技术公开了一种高比容兑现率中高压电极箔化成方法，包括如下步骤：原料清洗：将待加工腐蚀箔经过清洗，得到表面清洁的腐蚀箔；电沉积：将表面清洁的腐蚀箔浸没于沉积溶液中，进行电化学沉积；干燥：将经过电化学沉积的腐蚀箔干燥；高温退火：将干燥的腐蚀箔高温退火；阳极化成：将高温退火后的腐蚀箔在化成槽中进行阳极化处理，得到化成铝箔。

【技术实现步骤摘要】
一种高比容兑现率中高压电极箔化成方法
本专利技术涉及高比容电极箔
，具体而言，涉及一种高比容兑现率中高压电极箔化成方法。
技术介绍
随着电器产品不断向高性能、小型化、集成化发展，高比容电极箔成为高科技电器产品发展的关键环节之一。高比容铝电极箔制造主要包括铝电极箔电化学扩面腐蚀与高性能铝氧化膜生长。近年来，随着腐蚀扩面技术的发展，高压腐蚀系数已接近理论值，而部分阀金属氧化物的介电常数比氧化铝高，将此类金属氧化物掺杂到氧化铝膜中，从而获得高介电常数复合铝氧化膜成为目前研究的重点。复合铝氧化膜的制备方法可分为物理法和化学法。物理方法主要包括离子束溅射、射频溅射、反应溅射、磁控溅射、激光脉冲沉积、电子束蒸发、分子束外延等。物理方法的共同缺点是设备昂贵，生产成本高，工艺复杂，膜的形成速率低下，膜中的缺陷密度较高，且很难与铝电极箔联动生产线耦合。化学方法主要是通过化学溶液沉积法来制备高比容复合膜，其主要包括水解沉积法、溶胶—凝胶法(Sol-gel)。水解沉积法是利用含有阀金属的盐溶液水解沉积，经高温处理，使阀金属氧化物与Al2O3进行初步复合，最后经阳极氧化过程，在铝电极箔表面生长一层高介电常数的复合氧化膜。该水解沉积过程受处理液pH、温度、浓度等因素影响较大，目标基体上生成的沉积膜的均一性及致密性的波动较大，处理液循环更新较为频繁且配制成本较高，导致所生产的化成箔成本较高，产品性价比较低。(2)溶胶－凝胶法(Sol-gel)是指阀金属醇盐或无机盐经水解后形成溶胶，溶质聚合凝胶化后，涂覆于铝电极箔表面，再经凝胶干燥，煅烧除去所含有机成分，最终得到纳米尺度的沉积膜。该法所用原料大多为有机化合物，污染较大，生产成本较高，且处理周期较长，一般需要1～2个月。由于凝胶中液体含量大，干燥收缩易导致膜开裂，若煅烧不充分，沉积膜中将残留细孔及OH-或C。以上缺点使该法很难同铝电极箔联动生产线耦合。本专利技术意图在于提供一种解决所述问题的高比容兑现率中高压电极箔化成方法。
技术介绍
的前述论述仅意图便于理解本专利技术。此论述并不认可或承认提及的材料中的任一种在本申请的优先权日是或曾经是公共常识的一部分。
技术实现思路
本专利技术提出了一种高比容兑现率中高压电极箔化成方法，其特征在于：包括如下步骤：原料清洗：将待加工腐蚀箔经过清洗，得到表面清洁的腐蚀箔；电沉积：将表面清洁的腐蚀箔浸没于沉积溶液中，进行电化学沉积；干燥：将经过电化学沉积的腐蚀箔干燥；高温退火：将干燥的腐蚀箔高温退火；阳极化成：将高温退火后的腐蚀箔在化成槽中进行阳极化处理，得到化成铝箔。可选的，所诉高温退火和阳极化成均为一次或多次进行。可选的，所述阳极化成的化成槽槽液组分为草酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、己二酸铵、壬二酸、壬二酸铵、葵二酸、癸二酸铵、磷酸二氢铵、酒石酸、柠檬酸、柠檬酸三铵、硅酸钠、磷酸、硼酸、五硼酸铵中的一种或几种。可选的，所述电沉积步骤中，电沉积过程中辅以功率为60W、频率为5Hz-500Hz的可变电脉冲。可选的，所述阳极化成和高温退火包括：A、将腐蚀箔置于电流密度为10-100mA/cm2、电压为100-120V、、温度为50-90℃的所述槽液中放置1-5分钟后取；B、将腐蚀箔置于电流密度为25-125mA/cm2、电压为200-250V、温度为75-95℃的所述槽液中放置1-5分钟后取出；C、将腐蚀箔置于电流密度为25-125mA/cm2、电压350-400V、温度为75-95℃的所述槽液中放置1-5分钟后取出；D、将腐蚀箔置于电流密度为25-125mA/cm2、电压为500-550V、温度为75-95℃的所述槽液中放置1-5分钟后取出；E、将腐蚀箔置于电流密度为25-125mA/cm2、电压为600-650V、温度为75-95℃的所述槽液中放置10-15分钟后取出；F、使用烘箱450～550℃对腐蚀箔进行高温退火处理，滞留时间为3～5分钟；G、将腐蚀箔置于电流密度为5-125mA/cm2、电压为600-650V、温度为75-95℃的所述槽液中放置3-5分钟后取出；H、将箔放入中处理磷酸液中处理3～5分钟；I、将腐蚀箔置于电流密度为5-125mA/cm2、电压为600-650V、温度为75-95℃的所述槽液中放置5分钟后取出；J、使用烘箱500～600℃对腐蚀箔进行高温退火处理，滞留时间为2～3分钟；K、将腐蚀箔置于电流密度为5-100mA/cm2、电压为600-650V、温度为75-95℃的所述槽液中放置3-5分钟后取出；L、将箔放入后处理液置于电流密度为5-100mA/cm2、电压为600-650V、温度为75-95℃的所述槽液中放置3-5分钟后取出；M、使用烘箱约300-400℃对腐蚀箔进行烘干处理，滞留时间为2～3分钟。附图说明从以下结合附图的描述可以进一步理解本专利技术。图中的部件不一定按比例绘制，而是将重点放在示出实施例的原理上。在不同的视图中，相同的附图标记指定对应的部分。图1是本专利技术的方法基本流程图。具体实施方式为了使得本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合其实施例，对本专利技术进行进一步详细说明；应当理解，此处所描述的具体实施例仅用于解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。对于本领域技术人员而言，在查阅以下详细描述之后，本实施例的其它系统、方法和/或特征将变得显而易见。旨在所有此类附加的系统、方法、特征和优点都包括在本说明书内、包括在本专利技术的范围内，并且受所附权利要求书的保护。在以下详细描述描述了所公开的实施例的另外的特征，并且这些特征根据以下将详细描述将是显而易见的。实施例一：本实施例给出了一种高比容兑现率中高压电极箔化成方法，包括如下步骤：原料清洗：将待加工腐蚀箔经过清洗，得到表面清洁的腐蚀箔；电沉积：将表面清洁的腐蚀箔浸没于沉积溶液中，进行电化学沉积；干燥：将经过电化学沉积的腐蚀箔干燥；高温退火：将干燥的腐蚀箔高温退火；阳极化成：将高温退火后的腐蚀箔在化成槽中进行阳极化处理，得到化成铝箔。可选的，所诉高温退火和阳极化成均为一次或多次进行。可选的，所述阳极化成的化成槽槽液组分为草酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、己二酸铵、壬二酸、壬二酸铵、葵二酸、癸二酸铵、葵二酸、磷酸二氢铵、酒石酸、柠檬酸、柠檬酸三铵、硅酸钠、磷酸、硼酸、五硼酸铵中的一种或几种。可选的，所述电沉积步骤中，电沉积过程中辅以功率为60W、频率为5Hz-500Hz的可变电脉冲。可选的，所述阳极化成和高温退火包括：A、将腐蚀箔置于电流密度为10-100mA/cm2、电压为100-120V、、温度为50-90℃的所述槽液中放置1-5分钟后取；B、将腐蚀箔置于电流密度为25-125mA/cm2、电压为200-250V、温度为75-95℃的所述槽液中放置1-5分钟后取出；C、将腐蚀箔置于电流密度为25-125mA/cm2、电压350-400V、温度为75-95℃的所述槽液中放置1-5分钟后取出；D、将腐蚀箔置于电流密度为25-125mA/cm2、电压为500-550V、温度为75-95℃的所述槽液中放置1-5分钟后取出；E、将腐蚀箔置于电流密度为25-125mA/cm2、电压为600-650V、温度为75-95℃的所述槽液中放置10-15分钟后取出；F、使用烘箱450～550℃对腐蚀箔本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高比容兑现率中高压电极箔化成方法，其特征在于：包括如下步骤：原料清洗：将待加工腐蚀箔经过清洗，得到表面清洁的腐蚀箔；电沉积：将表面清洁的腐蚀箔浸没于沉积溶液中，进行电化学沉积；干燥：将经过电化学沉积的腐蚀箔干燥；高温退火：将干燥的腐蚀箔高温退火；阳极化成：将高温退火后的腐蚀箔在化成槽中进行阳极化处理，得到化成铝箔。

【技术特征摘要】
1.一种高比容兑现率中高压电极箔化成方法，其特征在于：包括如下步骤：原料清洗：将待加工腐蚀箔经过清洗，得到表面清洁的腐蚀箔；电沉积：将表面清洁的腐蚀箔浸没于沉积溶液中，进行电化学沉积；干燥：将经过电化学沉积的腐蚀箔干燥；高温退火：将干燥的腐蚀箔高温退火；阳极化成：将高温退火后的腐蚀箔在化成槽中进行阳极化处理，得到化成铝箔。2.如权利要求1所述的高比容兑现率中高压电极箔化成方法，其特征在于，所诉高温退火和阳极化成均为一次或多次进行。3.如权利要求2所述的高比容兑现率中高压电极箔化成方法，其特征在于，所述阳极化成的化成槽槽液组分为草酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、己二酸铵、壬二酸、壬二酸铵、葵二酸、癸二酸铵、磷酸二氢铵、酒石酸、柠檬酸、柠檬酸三铵、硅酸钠、磷酸、硼酸、五硼酸铵中的一种或几种。4.如权利要求1-3之一所述的高比容兑现率中高压电极箔化成方法，其特征在于，所述电沉积步骤中，电沉积过程中辅以功率为60W、频率为5Hz-500Hz的可变电脉冲。5.如权利要求1-4之一所述的高比容兑现率中高压电极箔化成方法，其特征在于，所述阳极化成和高温退火包括：A、将腐蚀箔置于电流密度为10-100mA/cm2、电压为100-120V、温度为50-90℃的所述槽液中放置1-5分钟后取出；B、将腐蚀箔置于电流密度为25-125mA/cm2、电压为200-250V、温度为75-95℃的所...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建正，王文宝，陈志然，欧永聪，宋德贵，易甫华，
申请(专利权)人：宝兴县华锋储能材料有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51