The invention provides a processing method for large size wafers. The present invention consists of alumina polishing solution instead of silica polishing solution and wax sticking polishing instead of adsorbing pad polishing. The invention adopts alumina polishing fluid abrasive particle size of 300_750 nm, PH value of 13_13.5; the traditional process uses silica polishing fluid particle size of 80_120 nm, PH value of 10.5, under the same process conditions, the removal rate of alumina polishing fluid reaches 8_10 um/h, the removal rate of silica polishing fluid is 3_4 um/h, and the efficiency is increased about three times. Alumina polishing solution 4 inch wafer 4 g/pcs, silicon oxide polishing solution 270g/pcs, cost savings of 50%. Due to the influence of the compression ratio of the fabric, the polishing surface of the adsorbent pad is difficult to control. The wax layer of the wax wax wax wax wax wax wax wax wax wax wax wax wax wax is uniform and flat. It is not easy to be affected by external forces in the polishing process. The wafer thickness difference after polishing is less than 5 um, LTV.
【技术实现步骤摘要】
一种大尺寸晶片的加工方法
本专利技术涉及的是一种大尺寸晶片(包含蓝宝石衬底片、碳化硅衬底等硬脆性材料晶片)单面加工的工艺方法。
技术介绍
蓝宝石是一种集优良光学性能、物理性能和化学性能于一身的独特晶体,是现代工业重要的基础材料。其独特的晶格结构、优异的力学性能、良好的热学性能使蓝宝石晶体成为实际应用的半导体照明(LED)、大规模集成电路SOI和SOS及超导纳米结构薄膜等理想的衬底材料。根据法国YOLE的统计,衬底材料应用占蓝宝石需求量的75%以上,非衬底材料应用占25%左右。每当LED照明渗透率增加1%,将直接拉动蓝宝石衬底约107万片的增长需求。随着行业产能的普遍提升、蓝宝石材料制造成本以及销售价格的下降,及技术的不断升级和应用市场的快速扩大,4英寸、6英寸、甚至更大尺寸衬底晶片由于在生产利用率上的先天优势,将更多的被国内主流芯片企业所采用。但由于材料的硬度大、熔点高、化学活泼性差,因而加工难度大,尤其是大尺度的晶片,如4英寸、6英寸、甚至更大尺寸衬底晶片,用目前传统的氧化硅抛光液加吸附垫化抛工艺很难保证产品的良率、成本及面品质。目前针对大尺寸晶片的加工方法行业内普遍采用二氧化硅抛光液加吸附垫的加工方法,该工艺缺点效率低、良率不稳定,加工成本高,产品面型难以控制。该专利技术针对以上问题点采用新型工艺方法,由氧化铝抛光液取代二氧化硅抛光液,由铜抛后下蜡进化抛吸附垫抛变更为铜抛不下蜡,带片刷洗后贴蜡化抛,该工艺相较传统工艺效率提升约3倍,成本节约50%,良率提升约10%。
技术实现思路
本专利技术解决了加工效率问题(对比氧化硅抛光),效率提升约3倍,通过提升效率 ...
【技术保护点】
1.一种大尺寸晶片的加工方法,其特征在于,步骤如下:(1)将退火后的大尺寸晶片清洗后,贴片机进行液态蜡贴片,贴片温度400‑480℃,烘烤时间40‑45S,甩蜡速度2000‑3000rpm;(2)将贴合好的晶片利用3‑6um钻石液进行铜盘铜抛加工,转速30‑40rpm,压力100‑200g/cm
【技术特征摘要】
1.一种大尺寸晶片的加工方法,其特征在于,步骤如下:(1)将退火后的大尺寸晶片清洗后,贴片机进行液态蜡贴片,贴片温度400-480℃,烘烤时间40-45S,甩蜡速度2000-3000rpm;(2)将贴合好的晶片利用3-6um钻石液进行铜盘铜抛加工,转速30-40rpm,压力100-200g/cm2,加工温度28-32℃,移除厚度为30-35um;(3)铜抛完成后,进入带片陶瓷盘刷洗机...
【专利技术属性】
技术研发人员:张京伟,余胜军,卢东阳,
申请(专利权)人:江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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