多线切割统一面型的加工方法技术

本发明专利技术提供了一种多线切割统一面型的加工方法，步骤如下：晶棒检验、粘棒、线切割工艺选择、切割、下片和清洗。本发明专利技术的加工方法通过对线切割来回切割的切割能力控制一样，将线切割加工后的面型统一控制为马鞍型，有利于研磨对才产品BOW/WARP的去除和产品统一面型的控制；线切割后产品马鞍状占比85％以上。

The processing method of multi wire cutting unified surface

【技术实现步骤摘要】
多线切割统一面型的加工方法
本专利技术涉及的是单面衬底及半导体产品(包含蓝宝石衬底、碳化硅衬底、硅衬底、半导体等硬脆性材料晶片)线切割后对产品面型控制度，从而提升研磨对产品的BOW/WARP去除和抛光后产品面型统一控制的加工方法。
技术介绍
随着国内LED和半导体的切磨抛加工技术日益成熟，LED和半导体不仅对于材料要求，对于所有阶段的加工技术要求都出现了不同阶段的提升瓶颈，由传统的模仿和学习开始慢慢转变为自主研发提升，晶片碗型主要是针对晶片切磨抛满足传统切磨抛各制程产品在TTV、BOW、WARP、LTV等参数控制上，再次提升和突破的另一项参数需求。在满足常规参数需求后，对产品面型形成统一加工，可以使后段MOCVD加工统一性提升，从而提升MOCVD的性能和良率。蓝宝石是一种集优良光学性能、物理性能和化学性能于一身的独特晶体，是现代工业重要的基础材料。独特的晶格结构、优异的力学性能、良好的热学性能使蓝宝石晶体成为实际应用的半导体照明(LED)、大规模集成电路SOI和SOS及超导纳米结构薄膜等理想的衬底材料。根据法国YOLE的统计，衬本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多线切割统一面型的加工方法，其特征在于，步骤如下：/n(1)晶棒检验：先用X-RAY晶体定向仪检测待加工晶棒的晶向端面，确定晶向端面的晶向在标准范围内；再使用激光笔检测晶棒是否有缺陷，并将缺陷部位画出；/n(2)粘棒：将晶棒用AB胶粘合在多线切割机的工件板上；/n(3)线切割工艺选择：使用线速600-1800m/min，张力使用30-50N，钻石线选用Φ0.25mm，切削液流量使用3000-7000KG/H，根据产品规格设定单片用线量和切割时间；/n(4)切割：将粘好的晶棒按照步骤(3)确定的切割程序进行切割，切割过程中确保切割线弓不得超过7mm，且切割过程中罗拉线网上无跳线；/n(5...

【技术特征摘要】
1.一种多线切割统一面型的加工方法，其特征在于，步骤如下：
(1)晶棒检验：先用X-RAY晶体定向仪检测待加工晶棒的晶向端面，确定晶向端面的晶向在标准范围内；再使用激光笔检测晶棒是否有缺陷，并将缺陷部位画出；
(2)粘棒：将晶棒用AB胶粘合在多线切割机的工件板上；
(3)线切割工艺选择：使用线速600-1800m/min，张力使用30-50N，钻石线选用Φ0.25mm，切削液流量使用3000-7000KG/H，根据产品规格设定单片用线量和切割时间；
(4)切割：将粘好的晶棒按照步骤(3)确定的切割程序进行切割，...

【专利技术属性】
技术研发人员：余胜军，卢东阳，
申请(专利权)人：江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32