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本发明提供一种大尺寸晶片的加工方法。本发明由氧化铝抛光液取代二氧化硅抛光液，由贴蜡抛取代吸附垫抛。本发明采用氧化铝抛光液磨料粒径300‑750nm，PH值13‑13.5；传统工艺采用氧化硅抛光液粒径80‑120nm，PH值10.5，在相同工...
该专利属于江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏澳洋顺昌集成电路股份有限公司授权不得商用。

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