内嵌式电容触控面板制造技术

一种内嵌式电容触控面板，应用于被动矩阵式发光二极管显示器。内嵌式电容触控面板包含多个像素及第一触控电极。每个像素的叠层结构包含基板、第一导电层、第二导电层、发光二极管层。基板设置于像素的一侧。第一导电层设置于基板上方并沿第一方向排列。第二导电层设置于第一导电层上方并沿第二方向排列。发光二极管层设置于第一导电层与第二导电层彼此重叠区域之间而形成该像素。第一触控电极设置于该多个像素中的第一像素与第二像素之间，且第一像素与第二像素彼此相邻。

【技术实现步骤摘要】
内嵌式电容触控面板
本专利技术与触控面板有关，尤其是关于一种内嵌式电容触控面板。
技术介绍
近年来，有机发光二极管显示器已广泛应用于各种行动装置及微型显示器，其可依照驱动方式的不同分为主动矩阵式(Activematrix)有机发光二极管显示器及被动矩阵式(Passivematrix)有机发光二极管显示器。相较于主动矩阵式有机发光二极管显示器，被动矩阵式有机发光二极管显示器由于具有较简单的驱动电路基板结构，故可具有较低的制造成本。如图1所示，被动矩阵式有机发光二极管显示器的阴极电极CE与阳极电极AE分别沿水平方向及垂直方向交错排列而形成有多个阴极电极CE与阳极电极AE的重叠区域，再将有机发光二极管层OLED设置于该些重叠区域即可形成发光像素。阴极驱动器CD及阳极驱动器AD分别选取特定的阴极电极CE与阳极电极AE并施加一电压，以驱动位于阴极电极CE与阳极电极AE的重叠区域的发光像素发光。接着，请参照图1A～图1C。图1A～图1C分别为沿图1中的剖面线AA’所得到的各种不同叠层结构的剖面示意图。如图1A所示，阴极电极CE设置于基板SUB上方；有机发光二极管层OLED1设置于阴极电极CE上方；有机发光二极管层OLED1可采用红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)有机发光二极管构成且其上方依序设置有阳极电极AE及封装层ENC。如图1B所示，阴极电极CE设置于基板SUB上方；有机发光二极管层OLED2设置于阴极电极CE上方；有机发光二极管层OLED2可采用白色有机发光二极管构成且其上方依序设置有阳极电极AE、不同颜色的彩色滤光片CF及封装层ENC。如图1C所示，阴极电极CE设置于基板SUB上方；有机发光二极管层OLED3设置于阴极电极CE上方；有机发光二极管层OLED3可采用红色(R)、绿色(G)或蓝色(B)有机发光二极管构成且其上方依序设置有阳极电极AE、颜色转换层CC及封装层ENC。然而，上述的被动矩阵式有机发光二极管显示器仅可提供显示功能，若要使其提供触控功能，通常还需要采用外挂触控感测模块的方式来达成，不仅会增加显示器的整体厚度，也会导致生产良率下降，使得生产成本大幅增加。至于微型发光二极管(MicroLED)则是一种新型态的显示技术，顾名思义，其尺寸较传统的发光二极管来得小，通常可小于100um，甚至可小到5um，故有能力实现具有高像素密度(PixelsPerInch,PPI)的显示面板。于微型发光二极管显示器的工艺中，可先分别在不同的磊晶基板(Epitaxialsubstrate)上形成红(R)、绿(G)及蓝(B)的无机发光二极管(InorganicLED)，再采用特定的转移技术将其从磊晶基板搬移至驱动电路基板(例如玻璃基板)并接合于驱动电路基板上的特定位置。举例而言，如图2A～图2F所示，通过特制的微型夹取器CP可通过电磁力、真空吸力、凡德瓦力等方式从磊晶基板SUB1上吸起微型发光二极管MLED后，再将微型发光二极管MLED转移至玻璃基板SUB2并接合于玻璃基板SUB2上的特定位置。由于无机发光二极管具有高发光效率特性，因此，相较于有机发光二极管，微型发光二极管可在相对较小的像素发光面积下发出与有机发光二极管亮度相同甚至更高的光。举例而言，有机发光二极管的发光亮度最高约为1000nits，而无机发光二极管的发光亮度则可高达106nits，亦即无机发光二极管的发光亮度可为有机发光二极管的发光亮度的1000倍。于此情况下，微型发光二极管的像素发光区域尺寸只需25um2(亦即5um*5um)即可与有机发光二极管的像素发光区域为25000um2(亦即158um*158um)的像素亮度相等。因此，若微型发光二极管显示器与有机发光二极管显示器具有相同的像素密度及单位亮度，则相较于有机发光二极管显示器，微型发光二极管显示器的驱动电路基板上将会出现许多没有发光二极管层、阴极、阳极及电极走线的闲置空间，而这些闲置空间可用来设置其他的电路及走线，而不会干扰显示器原有的电路布局。根据上述可知：若被动矩阵式有机发光二极管显示器同时采用有机发光二极管(OLED)及微型发光二极管(MicroLED)技术，如图3所示，一部分的阴极电极CE与阳极电极AE的重叠区域所设置的仍是有机发光二极管OLED，而另一部分的阴极电极CE与阳极电极AE的重叠区域所设置的则是微型发光二极管MLED。如此一来，由于微型发光二极管MLED的尺寸较小，使得图3中的相邻两电极之间的空隙区域SA会大于图1中的相邻两电极之间的空隙区域SA，故可用来设置其他电路及走线，而不会干扰显示器原本的电路布局。
技术实现思路
本专利技术提出一种内嵌式电容触控面板，以有效解决现有技术所遭遇到的上述种种问题。根据本专利技术的一具体实施例为一种内嵌式电容触控面板。于此实施例中，内嵌式电容触控面板应用于被动矩阵式发光二极管显示器。内嵌式电容触控面板包含多个像素及第一触控电极。每个像素的叠层结构包含基板、第一导电层、第二导电层、发光二极管层。基板设置于该像素的一侧。第一导电层设置于该基板上方并沿第一方向排列。第二导电层设置于该第一导电层上方并沿第二方向排列。发光二极管层设置于该第一导电层与该第二导电层彼此重叠区域之间而形成该像素。第一触控电极设置于该多个像素中的第一像素与第二像素之间，且该第一像素与该第二像素彼此相邻。于一实施例中，叠层结构还包含封装层及绝缘层。封装层相对于该基板而设置于该像素的另一侧。绝缘层填充于该封装层与该基板之间。于一实施例中，内嵌式电容触控面板还包含第二触控电极。第二触控电极设置于该多个像素中的该第一像素与第三像素之间，其中该第一像素与该第二像素沿该第二方向彼此相邻，且该第一像素与该第三像素沿该第一方向彼此相邻。于一实施例中，该第一触控电极与该第二触控电极设置于该封装层与该基板之间且该第二触控电极位于该第一触控电极与该第一导电层上方，该第一触控电极通过该绝缘层与该第二导电层彼此间隔且该第二触控电极通过该绝缘层与该第一导电层彼此间隔。于一实施例中，该第一触控电极与该第二触控电极之间通过通孔(Via)电性连接而形成网格状(Mesh)结构或梳状(Comb)结构。于一实施例中，该第一触控电极与该第二触控电极设置于该封装层与该基板之间，该第一触控电极与该第二触控电极以同一导电层构成且彼此电性相连，并通过该绝缘层与该第二导电层及该第一导电层彼此间隔。于一实施例中，该第一像素与该第二像素沿该第一方向或该第二方向彼此相邻，该第一触控电极设置于该封装层与该基板之间。于一实施例中，该第一触控电极与该第一导电层以同一导电层构成并通过该绝缘层彼此间隔。于一实施例中，该第一触控电极与该第二导电层以同一导电层构成并通过该绝缘层彼此间隔。于一实施例中，该第一触控电极以不同于该第一导电层与该第二导电层的导电层构成并通过该绝缘层与该第一导电层以及该第二导电层彼此间隔。于一实施例中，多个该第一触控电极布局为具有一特定图样的一维自电容触控感测电极组，可为三角形或梯形的一维自电容触控感测电极组，以通过单一个该第一触控电极的自电容感测量的大小或相邻两个该第一触控电极的自电容感测量的比例决定触控位置。于一实施例中，该多个像素均采用有机发光二极管(OLED)形成该发光二极管层。于一实施例中，该多个像素均采用微本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种内嵌式电容触控面板，其特征在于，应用于一被动矩阵式发光二极管显示器，该内嵌式电容触控面板包含：多个像素，每个像素的一叠层结构包含：一基板，设置于该像素的一侧；一第一导电层，设置于该基板上方，沿一第一方向排列；一第二导电层，设置于该第一导电层上方，沿一第二方向排列；以及一发光二极管层，设置于该第一导电层与该第二导电层彼此重叠区域之间而形成该像素；以及一第一触控电极，设置于该多个像素中的一第一像素与一第二像素之间，其中该第一像素与该第二像素彼此相邻。

【技术特征摘要】
2017.10.31 US 62/579,1921.一种内嵌式电容触控面板，其特征在于，应用于一被动矩阵式发光二极管显示器，该内嵌式电容触控面板包含：多个像素，每个像素的一叠层结构包含：一基板，设置于该像素的一侧；一第一导电层，设置于该基板上方，沿一第一方向排列；一第二导电层，设置于该第一导电层上方，沿一第二方向排列；以及一发光二极管层，设置于该第一导电层与该第二导电层彼此重叠区域之间而形成该像素；以及一第一触控电极，设置于该多个像素中的一第一像素与一第二像素之间，其中该第一像素与该第二像素彼此相邻。2.根据权利要求1所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该叠层结构还包含：一封装层，相对于该基板而设置于该像素的另一侧；以及一绝缘层，填充于该封装层与该基板之间。3.根据权利要求2所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，还包含：一第二触控电极，设置于该多个像素中的该第一像素与一第三像素之间，其中该第一像素与该第二像素沿该第二方向彼此相邻，且该第一像素与该第三像素沿该第一方向彼此相邻。4.根据权利要求3所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该第一触控电极与该第二触控电极设置于该封装层与该基板之间且该第二触控电极位于该第一触控电极与该第一导电层上方，该第一触控电极通过该绝缘层与该第二导电层彼此间隔且该第二触控电极通过该绝缘层与该第一导电层彼此间隔。5.根据权利要求4所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该第一触控电极与该第二触控电极之间通过一通孔电性连接而形成一网格状结构或一梳状结构。6.根据权利要求3所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该第一触控电极与该第二触控电极设置于该封装层与该基板之间，该第一触控电极与该第二触控电极以同一导电层构成且彼此电性相连，并通过该绝缘层与该第二导电层及该第一导电层彼此间隔。7.根据权利要求2所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该第一像素与该第二像素沿该第一方向或该第二方向彼此相邻，该第一触控电极设置于该封装层与该基板之间。8.根据权利要求7所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该第一触控电极与该第一导电层以同一导电层构成并通过该绝缘层彼此间隔。9.根据权利要求7所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该第一触控电极与该第二导电层以同一导电层构成并通过该绝缘层彼此间隔。10.根据权利要求7所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该第一触控电极以不同于该第一导电层与该第二导电层的导电层构成并通过该绝缘层与该第一导电层以及该第二导电层彼此间隔。11.根据权利要求7所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，多个该第一触控电极布局为具有一特定图样的一维自电容触控感测电极组，以通过单一个该第一触控电极的自电容感测量的大小或相邻两个该第一触控电极的自电容感测量的比例决定触控位置。12.根据权利要求1所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该多个像素均采用有机发光二极管形成该发光二极管层。13.根据权利要求1所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该多个像素均采用微型发光二极管形成该发光二极管层。14.根据权利要求1所述的内嵌式电容触控面板，其特征在于，该多个像素中...

【专利技术属性】
技术研发人员：江昶庆，
申请(专利权)人：瑞鼎科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71