显示装置及其制造方法制造方法及图纸

显示装置及其制造方法。一种显示装置包括设置在半导体层的沟道区域上的栅极绝缘层。栅极被设置在半导体层的沟道区域上方的栅极绝缘层上。源极被设置为与半导体层的源极区域直接接触并且漏极被设置为与半导体层的漏极区域直接接触。钝化层被设置在栅极、源极和漏极上。钝化层在源极与栅极之间的区域中与半导体层直接接触，并且在栅极与漏极之间的区域中与半导体层直接接触。第一栅极、第一源极和第一漏极包括相同的层和相同的材料。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法
本公开涉及显示装置及其制造方法，更具体地讲，涉及一种用于改进薄膜晶体管的特性并增加显示装置的孔径比和生产率的显示装置及其制造方法。
技术介绍
随着信息社会的发展，对显示图像的显示装置的需求以各种方式不断增加。在显示装置领域，大尺寸的阴极射线管(CRT)已快速地被具有外形薄、重量轻和屏幕尺寸大的优点的平板显示器(FPD)取代。平板显示器的示例包括液晶显示器(LCD)、等离子体显示面板(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器和电泳显示器(EPD)。OLED显示器包括能够自己发射光的自发射元件并且具有快速响应时间、高发射效率、高亮度和宽视角的优点。具体地讲，OLED显示器可在柔性塑料基板上制造。另外，与等离子体显示面板或无机电致发光显示器相比，OLED显示器具有驱动电压更低、功耗更低且色调更好的优点。OLED显示器可包括多个薄膜晶体管以及发射光的有机发光二极管。薄膜晶体管和有机发光二极管使用多个掩模通过光刻工艺来制造。然而，由于使用大量的层来构成薄膜晶体管，所以薄膜晶体管的尺寸增加。此外，由于使用大量的掩模来制造薄膜晶体管和有机发光二极管，所以OLED显示器的生产率降低，并且OLED显示器的制造成本增加。
技术实现思路
本公开提供了一种显示装置及其制造方法。该显示装置包括基板、设置在基板上的缓冲层以及设置在缓冲层上的第一薄膜晶体管的第一半导体层。栅极绝缘层被设置在第一半导体层的沟道区域上。第一栅极被设置在第一半导体层的沟道区域上方的栅极绝缘层上。第一源极与第一半导体层的源极区域直接接触。第一漏极与第一半导体层的漏极区域直接接触。钝化层被设置在第一栅极、第一源极和第一漏极上。该钝化层在第一源极与第一栅极之间的区域中与第一半导体层直接接触。该钝化层还在第一栅极与第一漏极之间的区域中与第一半导体层直接接触。第一栅极、第一源极和第一漏极包括相同的层和相同的材料。在实施方式中，该显示装置还包括设置在缓冲层上的第二薄膜晶体管的第二半导体层。栅极绝缘层还被设置在第二半导体层的沟道区域上。第二栅极被设置在第二半导体层的沟道区域上方的栅极绝缘层上。第二源极与第二半导体层的源极区域直接接触。第二漏极与第二半导体层的漏极区域直接接触。钝化层还被设置在第二栅极、第二源极和第二漏极上。钝化层在第二源极与第二栅极之间的区域中与第二半导体层直接接触。钝化层还在第二栅极与第二漏极之间的区域中与第二半导体层直接接触。第二栅极、第二漏极和第二源极包括与第一栅极、第一源极和第一漏极相同的层和相同的材料。在实施方式中，缓冲层与基板直接接触，第一半导体层与缓冲层直接接触，栅极绝缘层与第一半导体层直接接触，第一栅极与栅极绝缘层直接接触，并且钝化层与第一栅极、第一源极和第一漏极直接接触。在实施方式中，栅极绝缘层还被设置在第一半导体层的源极区域上和第一半导体层的漏极区域上。第一源极被设置在第一半导体层的源极区域上方的栅极绝缘层上并经由穿过栅极绝缘层的第一沟道孔接触第一半导体层的源极区域。第一漏极被设置在第一半导体层的漏极区域上方的栅极绝缘层上并经由穿过栅极绝缘层的第二沟道孔接触第一半导体层的漏极区域。在实施方式中，栅极绝缘层仅在第一半导体层的沟道区域上被设置在第一半导体层上，而未被设置在第一半导体层的源极区域或漏极区域上。在实施方式中，在第一漏极与第一半导体层的漏极区域的整个交叠区域中，第一漏极与第一半导体层的漏极区域直接接触，并且在第一源极与第一半导体层的源极区域的整个交叠区域中，第一源极与第一半导体层的源极区域直接接触。在实施方式中，遮光层被设置在基板上。缓冲层还被设置在该遮光层上。第二半导体层被设置在遮光层上方的缓冲层上。钝化层还与遮光层上方的第二半导体层直接接触。像素电极被设置在遮光层上方的钝化层上。在实施方式中，数据线被设置在基板上。缓冲层还被设置在该数据线上。第二半导体层被设置在缓冲层上。栅极图案被设置在缓冲层上方并与第二半导体层直接接触。该栅极图案经由穿过缓冲层的孔与数据线直接接触。在实施方式中，栅极绝缘层还被设置在第二半导体层和缓冲层上，栅极图案被设置在栅极绝缘层上，并且穿过缓冲层的孔还穿过栅极绝缘层。在另一实施方式中，在栅极图案与第二半导体层的整个交叠区域中，栅极图案与第二半导体层和缓冲层直接接触。在实施方式中，第二半导体层被设置在缓冲层上并且不与数据线交叠。在另一实施方式中，第二半导体层被设置在缓冲层上并且与数据线至少部分地交叠。在实施方式中，该显示装置包括有机发光二极管(OLED)装置。在另一方面，提供了一种用于制造显示装置的制造方法。在基板上形成缓冲层。在缓冲层上形成第一薄膜晶体管的第一半导体层。在第一半导体层的沟道区域上形成栅极绝缘层。在第一半导体层的沟道区域上方的栅极绝缘层上形成第一栅极。在形成第一栅极的同时，第一源极被形成为与第一半导体层的源极区域直接接触。该第一源极具有与第一栅极相同的材料。在形成第一栅极和第一源极的同时，在第一半导体层的漏极区域上方形成第一漏极。该第一漏极具有与第一栅极和第一源极相同的材料。在第一栅极、第一源极和第一漏极上形成钝化层，该钝化层在第一源极与第一栅极之间的区域中与第一半导体层直接接触，并且在第一栅极与第一漏极之间的区域中与第一半导体层直接接触。在实施方式中，在基板上形成遮光层。缓冲层还形成在该遮光层上。在遮光层上方的缓冲层上形成第二半导体层。钝化层还形成为与遮光层上方的第二半导体层直接接触。在遮光层上方的钝化层上形成像素电极。在实施方式中，在缓冲层上形成第二薄膜晶体管的第二半导体层。还在第二半导体层的沟道区域上形成栅极绝缘层。在第二半导体层的沟道区域上方的栅极绝缘层上形成第二栅极。在形成第二栅极的同时，第二源极被形成为与第二半导体层的源极区域直接接触。该第二源极包括与第二栅极相同的材料。在形成第二栅极和第二源极的同时，第二漏极被形成为与第二半导体层的漏极区域直接接触。该第二漏极包括与第二栅极和第二源极相同的材料。在第二栅极、第二源极和第二漏极上形成钝化层，使得在第二源极与第二栅极之间的区域中钝化层与第二半导体层直接接触，并且使得在第二栅极与第二漏极之间的区域中钝化层与第二半导体层直接接触。在实施方式中，在基板上形成数据线，并且还在该数据线上形成缓冲层。在缓冲层上形成第二半导体层。穿过数据线上方的缓冲层形成孔。在缓冲层上方形成栅极图案，使得该栅极图案与第二半导体层直接接触并且该栅极图案经由穿过缓冲层的所述孔与数据线直接接触。在实施方式中，在第二半导体层和缓冲层上形成栅极绝缘层。在栅极绝缘层上形成栅极图案。穿过栅极绝缘层形成穿过缓冲层的所述孔。在另一实施方式中，栅极图案被形成为在栅极图案与第二半导体层的整个交叠区域中与第二半导体层和缓冲层直接接触。在实施方式中，在缓冲层上形成第二半导体层以与数据线至少部分地交叠。附图说明附图可被包括以提供对本公开的进一步理解，并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分，附图示出本公开的实施方式并与说明书一起用于说明本公开的各种原理。图1是根据本公开的实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器的示意性框图。图2示意性地示出子像素的电路配置。图3详细示出子像素的电路配置。图4是示出显示面板的结构的横截面图。图5示意性地示出根据本公开本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，该显示装置包括：基板；设置在所述基板上的缓冲层；设置在所述缓冲层上的第一薄膜晶体管的第一半导体层；设置在所述第一半导体层的沟道区域上的栅极绝缘层；设置在所述第一半导体层的所述沟道区域上方的所述栅极绝缘层上的第一栅极；与所述第一半导体层的源极区域直接接触的第一源极；与所述第一半导体层的漏极区域直接接触的第一漏极；设置在所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极上的钝化层，其中，所述钝化层在所述第一源极与所述第一栅极之间的区域中与第一半导体层直接接触，并且其中，所述钝化层在所述第一栅极与所述第一漏极之间的区域中与所述第一半导体层直接接触，其中，所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极包括相同的层和相同的材料。

【技术特征摘要】
2017.10.31 KR 10-2017-01433111.一种显示装置，该显示装置包括：基板；设置在所述基板上的缓冲层；设置在所述缓冲层上的第一薄膜晶体管的第一半导体层；设置在所述第一半导体层的沟道区域上的栅极绝缘层；设置在所述第一半导体层的所述沟道区域上方的所述栅极绝缘层上的第一栅极；与所述第一半导体层的源极区域直接接触的第一源极；与所述第一半导体层的漏极区域直接接触的第一漏极；设置在所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极上的钝化层，其中，所述钝化层在所述第一源极与所述第一栅极之间的区域中与第一半导体层直接接触，并且其中，所述钝化层在所述第一栅极与所述第一漏极之间的区域中与所述第一半导体层直接接触，其中，所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极包括相同的层和相同的材料。2.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：设置在所述缓冲层上的第二薄膜晶体管的第二半导体层，其中，所述栅极绝缘层还被设置在所述第二半导体层的沟道区域上；设置在所述第二半导体层的所述沟道区域上方的所述栅极绝缘层上的第二栅极；与所述第二半导体层的源极区域直接接触的第二源极；与所述第二半导体层的漏极区域直接接触的第二漏极，其中，所述钝化层还被设置在所述第二栅极、所述第二源极和所述第二漏极上，其中，所述钝化层在所述第二源极与所述第二栅极之间的区域中与第二半导体层直接接触，并且其中，所述钝化层在所述第二栅极与所述第二漏极之间的区域中与所述第二半导体层直接接触，其中，所述第二栅极、所述第二漏极和所述第二源极包括与所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极相同的层和相同的材料。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述缓冲层与所述基板直接接触，其中，第一半导体层与所述缓冲层直接接触，其中，所述栅极绝缘层与所述第一半导体层直接接触，其中，所述第一栅极与所述栅极绝缘层直接接触，并且其中，所述钝化层与所述第一栅极、所述第一源极和所述第一漏极直接接触。4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅极绝缘层还被设置在所述第一半导体层的所述源极区域上和所述第一半导体层的所述漏极区域上，其中，所述第一源极被设置在所述第一半导体层的所述源极区域上方的所述栅极绝缘层上并经由穿过所述栅极绝缘层的第一沟道孔接触所述第一半导体层的所述源极区域，并且其中，所述第一漏极被设置在所述第一半导体层的所述漏极区域上方的所述栅极绝缘层上并经由穿过所述栅极绝缘层的第二沟道孔接触所述第一半导体层的所述漏极区域。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述栅极绝缘层仅在所述第一半导体层的所述沟道区域上被设置在所述第一半导体层上，而未被设置在所述第一半导体层的所述源极区域或所述漏极区域上。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，在所述第一漏极与所述第一半导体层的所述漏极区域的整个交叠区域中，所述第一漏极与所述第一半导体层的所述漏极区域直接接触，并且其中，在所述第一源极与所述第一半导体层的所述源极区域的整个交叠区域中，所述第一源极与所述第一半导体层的所述源极区域直接接触。7.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：设置在所述基板上的遮光层，其中，所述缓冲层还被设置在所述遮光层上；设置在所述遮光层上方的所述缓冲层上的第二半导体层，其中，所述钝化层还与所述遮光层上方的所述第二半导体层直接接触；以及设置在所述遮光层上方的所述钝化层上的像素电极。8.根据权利要求1所述的显示装置，该显示装置还包括：设置在所述基板上的数据线，其中，所述缓冲层还被设置在所述数据线上；设置在所述缓冲层上的第二半导体层；以及设置在所述缓冲层上方并与所述第二半导体层直接接触的栅极图案，所述栅极图案经由穿过所述缓冲层的孔与所述数据线直接接触。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述栅极绝缘层还被设置在所述第二半导体层和所述缓冲层上，其中，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔熙东，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR