图像传感器制造技术

一种图像传感器包括衬底上的滤色器、滤色器上的第一有机光电二极管和第二有机光电二极管以及分别连接至第一有机光电二极管和第二有机光电二极管的第一电容器和第二电容器。滤色器与衬底的第一表面间隔开。第一有机光电二极管和第二有机光电二极管中的每一个面对滤色器的上表面。第一电容器包括第一导电图案和第一绝缘间隔件。第一导电图案延伸穿过衬底，第一绝缘间隔件包围第一导电图案的侧壁并且具有第一厚度。第二电容器包括第二导电图案和第二绝缘间隔件。第二导电图案延伸穿过衬底，第二绝缘间隔件包围第二导电图案的侧壁并且具有小于第一厚度的第二厚度。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器于2017年10月31日在韩国知识产权局提交的标题为“图像传感器”的韩国专利申请No.10-2017-0143642以引用方式全文并入本文中。
示例实施例涉及图像传感器。
技术介绍
图像传感器可用作系统的一部分，以将光转换为数据，从而例如俘获静态图像或运动图像。
技术实现思路
实施例涉及一种图像传感器，其包括衬底上的滤色器、滤色器上的第一有机光电二极管、滤色器上的第二有机光电二极管、连接至第一有机光电二极管的第一电容器和连接至第二有机光电二极管的第二电容器。滤色器可与衬底的第一表面间隔开。第一有机光电二极管可面对滤色器的上表面。第二有机光电二极管可面对滤色器的上表面。第一电容器可包括第一导电图案和第一绝缘间隔件。第一导电图案可延伸穿过衬底，第一绝缘间隔件可包围第一导电图案的侧壁并且具有第一厚度。第二电容器可包括第二导电图案和第二绝缘间隔件。第二导电图案可延伸穿过衬底，第二绝缘间隔件可包围第二导电图案的侧壁并且具有小于第一厚度的第二厚度。实施例还涉及一种图像传感器，其包括衬底上的滤色器、滤色器上的有机光电二极管、包括第一导电图案和第一绝缘间隔件的第一电容器和包括第二导电图案和第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括：衬底上的滤色器，所述滤色器与所述衬底的第一表面间隔开；所述滤色器上的第一有机光电二极管，所述第一有机光电二极管面对所述滤色器的上表面；所述滤色器上的第二有机光电二极管，所述第二有机光电二极管面对所述滤色器的上表面；连接至所述第一有机光电二极管的第一电容器，所述第一电容器包括第一导电图案和第一绝缘间隔件，所述第一导电图案延伸穿过所述衬底，所述第一绝缘间隔件包围所述第一导电图案的侧壁并且具有第一厚度；以及第二电容器，其连接至所述第二有机光电二极管，所述第二电容器包括第二导电图案和第二绝缘间隔件，所述第二导电图案延伸穿过所述衬底，所述第二绝缘间隔件包围所述第二导电图案的侧壁...

【技术特征摘要】
2017.10.31 KR 10-2017-01436421.一种图像传感器，包括：衬底上的滤色器，所述滤色器与所述衬底的第一表面间隔开；所述滤色器上的第一有机光电二极管，所述第一有机光电二极管面对所述滤色器的上表面；所述滤色器上的第二有机光电二极管，所述第二有机光电二极管面对所述滤色器的上表面；连接至所述第一有机光电二极管的第一电容器，所述第一电容器包括第一导电图案和第一绝缘间隔件，所述第一导电图案延伸穿过所述衬底，所述第一绝缘间隔件包围所述第一导电图案的侧壁并且具有第一厚度；以及第二电容器，其连接至所述第二有机光电二极管，所述第二电容器包括第二导电图案和第二绝缘间隔件，所述第二导电图案延伸穿过所述衬底，所述第二绝缘间隔件包围所述第二导电图案的侧壁并且具有小于所述第一厚度的第二厚度。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一电容器包括单元像素区中的第一硅通孔，所述第二电容器包括包围所述单元像素区的深沟槽隔离图案。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中，所述第一硅通孔的宽度大于所述深沟槽隔离图案的宽度。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一电容器具有第一电容，所述第二电容器具有大于所述第一电容的第二电容。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一电容器包括单元像素区中的第一硅通孔，所述第二电容器包括所述单元像素区中的第二硅通孔。6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述第一有机光电二极管包括按次序堆叠的第一下透明电极、有机光电二极管层和上透明电极层，所述第二有机光电二极管包括按次序堆叠的第二下透明电极、所述有机光电二极管层和所述上透明电极层，并且其中，所述有机光电二极管层和所述上透明电极层对于所述第一有机光电二极管和所述第二有机光电二极管是共同的。7.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，所述第一下透明电极和所述第二下透明电极在同一平面上彼此间隔开，并且其中，所述第一下透明电极连接至所述第一电容器，所述第二下透明电极连接至所述第二电容器。8.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，所述第一下透明电极的上表面的面积实质上等于所述第二下透明电极的上表面的面积。9.根据权利要求6所述的图像传感器，其中，所述第一下透明电极的上表面的面积大于所述第二下透明电极的上表面的面积。10.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：所述衬底中的第一浮动扩散区，所述第一浮动扩散区靠近所述衬底的第二表面，所述衬底的第二表面与所述衬底的第一表面相对，所述第一浮动扩散区连接至所述第一电容器；所述衬底的第二表面上的第一电路，所述第一电路连接至所述第一浮动扩散区；所述衬底中的第二浮动扩散区，所述第二浮动扩散区靠近所述衬底的第二表面，所述第二浮动扩散区连接至所述第二电容器；以及所述衬底的第二表面上的第二电路，所述第二电路连接至所述第二浮动扩散区。11.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括：所述衬底中的第一浮动扩散区，所述第一浮动扩散区靠近所述衬底的第二表面，所述衬底的第二表面与所述衬底的第一表面相对，所述第一浮动扩散区连接至所述第一电容器；所述衬底中的第二浮动扩散区，所述第二浮动扩散区靠近所述衬底的第二表面，所述第二浮动扩散区连接至所述第二电容器；所述衬底的第二表面上的第一电路，所述第一电路连...

【专利技术属性】
技术研发人员：任东模，李贵德，李泰渊，石井胜，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR