【技术实现步骤摘要】
具有容错机制的小容量OTPROM存储器及其容错控制方法
本专利技术涉及一种具有容错机制的存储器，尤其涉及一种具有容错机制的小容量存储器，具体是指一种具有容错机制的小容量OTPROM存储器及其容错控制方法。
技术介绍
小容量OTPROM存储器主要应用于MCU电路，作为存储程序的一次可编程存储器。现有技术的小容量OTPROM存储器没有容错机制，当小容量OTPROM存储器中出现坏点时(即部分地址的OTPROM空间不能正常读写)，整个小容量OTPROM存储器空间无法连续使用，整颗芯片即为报废，造成很大的浪费。现有技术中不存在在小容量OTPROM存储器上增加容错机制的技术方案。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种克服了上述现有技术的缺点、符合能够实现一定容错功能的具有容错机制的小容量OTPROM存储器及其容错控制方法。为了实现上述目的，本专利技术的具有容错机制的小容量OTPROM存储器及其容错控制方法具体如下：该具有容错机制的小容量OTPROM存储器，其主要特点是，所述的容错机制基于所述的小容量OTPROM存储器中划分的具有用于对存储数据的主存储区域、用于对主存储区域中的...
【技术保护点】
1.一种具有容错机制的小容量OTPROM存储器，其特征在于，所述的容错机制基于所述的小容量OTPROM存储器中划分的具有用于对存储数据的主存储区域、用于对主存储区域中的坏点进行备份的备份存储区域，以及用于将主存储区域中的坏点地址对应至备份存储区域中的对应地址的出错地址映射模块来实现，且所述的小容量OTPROM存储器通过该容错机制，在被读取的过程中将主存储区域中的坏点地址替换为备份存储区域中的对应地址。
【技术特征摘要】
1.一种具有容错机制的小容量OTPROM存储器，其特征在于，所述的容错机制基于所述的小容量OTPROM存储器中划分的具有用于对存储数据的主存储区域、用于对主存储区域中的坏点进行备份的备份存储区域，以及用于将主存储区域中的坏点地址对应至备份存储区域中的对应地址的出错地址映射模块来实现，且所述的小容量OTPROM存储器通过该容错机制，在被读取的过程中将主存储区域中的坏点地址替换为备份存储区域中的对应地址。2.根据权利要求1所述的具有容错机制的小容量OTPROM存储器，其特征在于，所述的小容量OTPROM存储器由读写控制电路进行数据读写，读写控制电路还对小容量OTPROM存储器中的主存储区域、备份存储区域和出错地址映射模块分别进行测试，获取三者的坏点，读写控制电路读取到主存储区域中的坏点时，通过所述的出错地址映射模块将该坏点的地址替换为该坏点对应的备份存储区域中的地址。3.根据权利要求2所述的具有容错机制的小容量OTPROM存储器，其特征在于，所述的容错机制通过读写控制电路获取的主存储区域的坏点情况、备份存储区域的坏点情况和出错地址映射模块的坏点情况，判断当前容错机制是否可以实现正常容错。4.根据权利要求1所述的具有容错机制的小容量OTPROM存储器，其特征在于，所述的出错地址映射模块包括模块使能寄存器、地址映射使能寄存器和地址映射关系寄存器，模块使能寄存器用于使能所述的出错地址映射模块，地址映射使能寄存器用于使能地址使其具有地址映射关系，地址映射关系寄存器用于存储所述的主存储区域中的坏点地址与该坏点对应在备份存储区域中的地址，且所述的模块使能寄存器、地址映射使能寄存器的地址连续，通过对模块使能寄存器的标志位进行判断，获取当前的模块使能状态，通过对地址映射使能寄存器的各比特的数值进行判断，获取地址映射使能寄存器的该比特对应的地址是否存在地址映射关系。5.根据权利要求4所述的具有容错机制的小容量OTPROM存储器，其特征在于，模块使能寄存器的标志位为使能标志时，当前模块使能状态为使能，地址映射使能寄存器的某比特的数值为使能时，该比特所对应的地址存在地址映射关系。6.根据权利要求1所述的具有容错机制的小容量OTPROM存储器，其特征在于，所述的主存储区域、备份存储区域和出错地址映射模块均为支持一次写入的只读存储器。7.一种针对权利要求1至6中任一项所述的具有容错机制的小容量OTPROM存储器实现容错控制的方法，其特征在于，所述的方法包括以下步骤：(1)对所述的小容量OTPROM存储器进行划分，获取主存储区域、备份存储区域和出错地址映射模块，并判断该小容量OTPROM存储器的容错机制是否可实现正常容错，若可以，则进入步骤(2)，否则该容错机制失效；(2)对所述的出错地址映射模块进行初始化；(3)对...
【专利技术属性】
技术研发人员：张敏，曹旺，冯雪阳，
申请(专利权)人：无锡华润矽科微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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