当前位置: 首页 > 专利查询>武汉大学专利>正文

一种可克服氧阻聚的单组分聚硅氧烷光引发剂及其制备方法技术

技术编号:21051113 阅读:151 留言:0更新日期:2019-05-08 02:02
本发明专利技术公开了一种可克服氧阻聚的单组分聚硅氧烷光引发剂,具体结构为:

A one-component polysiloxane photoinitiator which can overcome oxygen inhibition and its preparation method

The invention discloses a one-component polysiloxane photoinitiator which can overcome oxygen inhibition. The structure of the photoinitiator is as follows:

【技术实现步骤摘要】
一种可克服氧阻聚的单组分聚硅氧烷光引发剂及其制备方法
本专利技术涉及光引发剂领域,特别是可克服氧阻聚的单组分聚硅氧烷引发剂。
技术介绍
光聚合技术在光固化涂料、胶黏剂、油墨、微电子、光刻胶等诸多领域中被广泛使用。但在使用过程中,一些固有的难点或缺点也影响其使用,如自由基光固化体系中的氧阻聚作用。自由基光固化体系中,一般物质的基态是单线态,而O2的稳定态却是三线态,有两个自旋方向相同的未成对电子。因此,它会与自由基的聚合反应竞争而消耗自由基。氧阻聚主要表现为在空气光固化过程中,常常会导致涂层底层固化、表面未固化而发黏。氧阻聚最终可导致涂层表层出现大量羟基、羰基、过氧基等氧化性结构,从而影响涂层的长期稳定性,甚至可能影响固化后漆膜的硬度、光泽度和抗划伤性等性能。现有抑制氧阻聚方法包括物理方法和化学方法。物理方法如惰性气体保护法、浮蜡、覆膜、强光照射、分步照射等,这些方法可能带来成本提高和影响涂膜性质等问题。而化学方法则是通过加入能提供活泼氢的物质,如硫醇、胺和醚类,可以带来有效的氧阻聚改善,但硫醇的使用带来了高气味、胺的的使用带来了黄变及残留、以及醚类的使用带来了涂层质量下降、耐候性降低本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用下列结构式表示的可克服氧阻聚的单组分聚硅氧烷光引发剂:

【技术特征摘要】
1.一种用下列结构式表示的可克服氧阻聚的单组分聚硅氧烷光引发剂:式中0≤x<1,0<y<1,0<z<1,x+y+z=1,n=2~200;R选自以下结构中的一种,2.权利要求1所述的可克服氧阻聚的单组分聚硅氧烷光引发剂的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将光引发剂与含氢聚硅氧烷在氩气氛围下混溶于溶剂中得到溶液A;(2)加入适量硅氢化催化剂到溶液A中,控制反应温度,直至光引发剂反应完全得到反应液B;(3)将反应液B在氩气氛围下冷却至室温,减压抽去溶剂即得。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于:所述步骤(1)中光引发剂选自2-(N-甲基-N-烯丙基)硫杂蒽酮、4-(N-甲基-N-烯丙基)-N-(2-甲氧基乙基)萘二酰亚胺、2-(烯丙氧基)硫杂蒽酮、4-(N-甲基-N-苄基)-N-(烯丙基)萘二酰亚胺、4-(N-甲基-N-烯丙基)-N-(2-(二甲基氨基)乙基)萘二酰亚胺、4-(十二巯基)-N-(烯丙基)萘二酰亚胺、4-(哌嗪基)-N-(烯丙基)萘二酰亚胺、...

【专利技术属性】
技术研发人员:唐红定杨建静武青青熊英
申请(专利权)人:武汉大学
类型:发明
国别省市:湖北,42

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1