压电振动器件以及具备其的SIP模块制造技术

本发明专利技术提供一种压电振动器件及SIP模块。作为压电振动器件的晶体振荡器(101)设有形成有第一激励电极及第二激励电极的压电振动板(2)；将压电振动板(2)的第一激励电极覆盖的第一密封构件(3)；及将压电振动板(2)的第二激励电极覆盖的第二密封构件(4)，第一密封构件(3)与压电振动板(2)接合，第二密封构件(4)与压电振动板(2)接合，形成将包括第一激励电极和第二激励电极的压电振动板(2)的振动部气密密封的内部空间(13)。第一密封构件(3)的外表面，即一个主面(311)上形成有包括引线键合用的安装垫的电极图案(371)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】压电振动器件以及具备其的SIP模块
本专利技术涉及晶体振荡器等压电振动器件以及具备其的SIP模块。
技术介绍
近年，各种电子设备朝着工作频率高频化、封装体小型化(特别是低矮化)方向发展。因此，随着高频化、封装体小型化，要求压电振动器件(例如，晶体谐振器、晶体振荡器等)也能应对高频化及封装体小型化。上述压电振动器件的壳体由近似长方体的封装体构成。该封装体包括例如由玻璃或石英晶体构成的第一密封构件及第二密封构件、和例如由石英晶体构成并在两个主面上形成有激励电极的压电振动片，第一密封构件与第二密封构件间通过晶体振动片而层叠接合。并且，配置在封装体内部(内部空间)的压电振动片的振动部(激励电极)被气密密封(例如，专利文献1)。以下，将这种压电振动器件的层叠形态称为三明治结构。另外，专利文献2中公开了一种在压电振动器件的背面设有用于向电路基板安装的安装端子的表面安装型压电振动器件。与现有技术结构的压电振动器件相比，三明治结构的压电振动器件容易实现薄型化，即便是作为振荡电路而安装了IC芯片的压电振荡器，器件也能被充分薄型化，从而易于内置于SIP(SysteminaPackage)这样的封装体内。在此，现有技术结构的压电振动器件是指，在陶瓷构成的封装体壳体内部封入晶体谐振元件的结构，即，陶瓷封装体器件。但是，SIP中内置的其它器件大多是通过引线键合而安装于电路基板。因此，表面安装型压电振动器件中，若使用与其它器件不同的安装方法，则会使向电路基板安装的安装工序变得烦杂。另外，三明治结构的压电振动器件由于封装体较薄，所以容易与电路基板(特别是，采用多层电路基板的情况下)中存在的布线等之间发生电容耦合。因而，需要采取用于防止这样的电容耦合的屏蔽对策。然而，表面安装型压电振动器件中，由于器件的底面上形成有用于向电路基板安装的安装端子，所以难以设置防止电容耦合用的屏蔽电极。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2010-252051号公报专利文献2：日本特开2015-165613号公报
技术实现思路
鉴于上述情况，本专利技术的目的在于，提供一种适合于向SIP安装的三明治结构的压电振动器件以及具备其的SIP模块。为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种压电振动器件，该压电振动器件设有，在基板的一个主面上形成有第一激励电极，在所述基板的另一个主面上形成有与所述第一激励电极成对的第二激励电极的压电振动板；将所述压电振动板的所述第一激励电极覆盖的第一密封构件；及将所述压电振动板的所述第二激励电极覆盖的第二密封构件，所述第一密封构件与所述压电振动板接合，所述第二密封构件与所述压电振动板接合，形成将包括所述第一激励电极和所述第二激励电极的所述压电振动板的振动部气密密封的内部空间，该压电振动器件的其特征在于：在所述第一密封构件的外表面形成有引线键合用的安装垫。基于上述结构，通过设置引线键合用的安装垫，能实现非表面安装型的引线键合安装的压电振动器件。并且，利用引线键合安装，能通过SIP安装而容易地将压电振动器件内置于封装体。此外，引线键合安装面需要有提拉导线用的高度，同时，IC芯片安装面中IC芯片的厚度会使高度增加。因此，通过使IC芯片安装面与引线键合垫的安装面为同一个面，能防止压电振动器件中的器件高度增加。另外，上述压电振动器件中，可构成为，在所述第二密封构件的外表面形成有屏蔽电极。基于上述结构，电路基板(例如多层印刷电路板)中存在与第一激励电极及第二激励电极相向而对的信号布线的情况下，由于在第二密封构件的外表面设置有屏蔽电极，所以能防止激励电极与信号布线之间发生电容耦合。三明治结构的压电振动器件由于采用薄型结构，激励电极与其它布线之间容易发生电容耦合，因而这样的屏蔽对策较为有效。另外，上述压电振动器件中，所述引线键合用的安装垫可被配置为，不与所述第一激励电极及所述第二激励电极重叠。基于上述结构，能避免引线键合用的安装垫与激励电极之间发生电容耦合，从而能抑制由电容耦合引起的压电振动器件的特性变动。另外，上述压电振动器件中，所述引线键合用的安装垫可被配置为，与所述内部空间周围的框体相向而对。基于上述结构，在引线键合工序中，由于将安装垫配置为避开压电振动器件的内部空间地与框体相向而对，所以能防止引线键合时的按压力造成压电振动器件变形的情况发生。另外，上述压电振动器件中，可构成为，在所述第一密封构件的外表面安装有IC芯片。引线键合安装面需要有提拉导线用的高度，同时，IC芯片安装面中IC芯片的厚度会使高度增加。因此，通过使IC芯片安装面与引线键合垫的安装面为同一个面，能抑制压电振动器件中的器件高度增加。另外，上述压电振动器件中，可构成为，在所述第一密封构件的外表面形成有所述IC芯片的安装端子，所述IC芯片的安装端子被配置为，不与所述第一激励电极及所述第二激励电极重叠。基于上述结构，能避免IC芯片的安装端子与激励电极之间发生电容耦合，从而能抑制电容耦合引起的压电振动器件的特性变动。另外，上述压电振动器件中，可构成为，在所述引线键合用的安装垫的周围形成有沟槽。基于上述结构，利用密封树脂在IC芯片周围成型时，由于引线键合用的安装垫周围形成有沟槽，所以能防止密封树脂流到该安装垫上。另外，本专利技术的SIP模块的特征在于，具备上述记载的压电振动器件。专利技术效果：本专利技术的压电振动器件由于设置有引线键合用的安装垫，所以能实现非表面安装型的引线键合安装的压电振动器件。并且，利用引线键合安装，能通过SIP安装而容易地将压电振动器件内置于封装体。另外，引线键合安装面需要有提拉导线用的高度，同时，IC芯片安装面中IC芯片的厚度会使高度增加。因此，通过使IC芯片安装面与引线键合垫的安装面为同一个面，能抑制压电振动器件中的器件高度增加。附图说明图1是示意性地表示本实施方式所涉及的晶体振荡器的结构的概要结构图。图2是晶体振荡器的第一密封构件的概要俯视图。图3是晶体振荡器的第一密封构件的概要仰视图。图4是晶体振荡器的晶体振动片的概要俯视图。图5是晶体振荡器的晶体振动片的概要仰视图。图6是晶体振荡器的第二密封构件的概要俯视图。图7是晶体振荡器的第二密封构件的概要仰视图。图8是表示晶体振荡器中的各接合构件俯视时的位置关系的图。图9是表示晶体振荡器的第二密封构件的变形例的概要仰视图。图10是表示晶体振荡器中的IC芯片安装部附近的示意截面图。图11是表示晶体振荡器的第一密封构件的变形例的概要俯视图。图12是表示晶体振荡器的第一密封构件的变形例的概要俯视图。图13是表示晶体振荡器的第一密封构件的变形例的概要俯视图。图14是表示使用了晶体振荡器的SIP模块的概要结构的截面图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。图1是示意性地表示作为采用了本专利技术的压电振动器件的晶体振荡器101的概要结构图。在以下说明中，列举将IC芯片作为构成要素的晶体振荡器101被当作压电振动器件的例子，但本专利技术不局限于此。本专利技术所涉及的压电振动器件中也包括不将IC芯片作为构成要素的晶体谐振器等。本专利技术的实施方式所涉及的晶体振荡器101如图1所示，具备晶体振动片(压电振动板)2、第一密封构件3、及第二密封构件4。晶体振荡器101中，晶体振动片2与第一密封构件3接合，晶体振动片2与第二密封构件4接合，从而构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种压电振动器件，设有在基板的一个主面上形成有第一激励电极，在所述基板的另一个主面上形成有与所述第一激励电极成对的第二激励电极的压电振动板；将所述压电振动板的所述第一激励电极覆盖的第一密封构件；及将所述压电振动板的所述第二激励电极覆盖的第二密封构件，所述第一密封构件与所述压电振动板接合，所述第二密封构件与所述压电振动板接合，形成将包括所述第一激励电极和所述第二激励电极的所述压电振动板的振动部气密密封的内部空间，该压电振动器件的其特征在于：在所述第一密封构件的外表面形成有引线键合用的安装垫。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.24 JP 2016-2276241.一种压电振动器件，设有在基板的一个主面上形成有第一激励电极，在所述基板的另一个主面上形成有与所述第一激励电极成对的第二激励电极的压电振动板；将所述压电振动板的所述第一激励电极覆盖的第一密封构件；及将所述压电振动板的所述第二激励电极覆盖的第二密封构件，所述第一密封构件与所述压电振动板接合，所述第二密封构件与所述压电振动板接合，形成将包括所述第一激励电极和所述第二激励电极的所述压电振动板的振动部气密密封的内部空间，该压电振动器件的其特征在于：在所述第一密封构件的外表面形成有引线键合用的安装垫。2.如权利要求1所述的压电振动器件，其特征在于：在所述第二密封构件的外表面形成有屏蔽电极。3.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：古城琢也，
申请(专利权)人：株式会社大真空，
类型：发明
国别省市：日本,JP