一种掺杂PbSe量子点的光敏聚合物有源层薄膜制备方法技术

本发明专利技术设计了一种掺杂PbSe量子点的光敏聚合物有源层薄膜制备方法，在Si/SiO2衬底（1）上利用旋涂法制备有源层（2）薄膜，且有源层（2）选用具有光敏特性的聚合物材料PTB7（3）作为有源层材料，并掺入水热法制成的PbSe量子点（4）改善其光敏特性。本发明专利技术克服当下技术中，改善有机场效应光敏晶体管的光敏特性操作步骤复杂且成本较高的问题，采用了简单的溶液加工方法，提升了有机场效应光敏晶体管的光敏特性，简化了制备工艺，增强了器件性能。

【技术实现步骤摘要】
一种掺杂PbSe量子点的光敏聚合物有源层薄膜制备方法
本专利技术主要设计一种掺杂PbSe量子点的光敏聚合物有源层薄膜制备方法，属于有机光电子

技术介绍
有机场效应薄膜晶体管由于其具有低成本、柔性制造以及可穿戴电子器件等方面的特点及其潜在的应用，开始引起人们广泛的关注。而具有光敏特性的有机场效应光敏晶体管可以用于光探测器，光诱导开关以及光触发放大器和图像传感器等应用。为了改善有机场效应光敏晶体管的光敏特性，常通过改善有源层薄膜形貌，结晶度改善，乃至使用复杂的制备工艺比如使用单晶有机半导体制备微米/纳米结构，这些改善操作步骤复杂且成本较高。为克服上述提到的技术的不足，本专利技术提供了一种掺杂PbSe量子点的光敏聚合物有源层薄膜制备方法，采用了简单的溶液加工方法，在聚合物PTB7活性层中掺入了PbSe无机半导体量子点，提升了有机场效应光敏晶体管的光敏特性，简化了制备工艺，增强了器件性能。
技术实现思路
本专利技术提供了一种掺杂PbSe量子点的光敏聚合物有源层薄膜制备方法，目的是为了克服当下技术中，改善有机场效应光敏晶体管的光敏特性操作步骤复杂且成本较高的问题。·为解决上述问题，所述掺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掺杂PbSe量子点的光敏聚合物有源层薄膜制备方法，其特征在于在Si/SiO2衬底（1）上旋涂有源层（2），有源层材料选用聚合物PTB7（3），并掺入PbSe量子点（4）。

【技术特征摘要】
1.一种掺杂PbSe量子点的光敏聚合物有源层薄膜制备方法，其特征在于在Si/SiO2衬底（1）上旋涂有源层（2），有源层材料选用聚合物PTB7（3），并掺入PbSe量子点（4）。2.根据权利要求1所述的一种掺杂PbSe量子点的光敏聚合物有源层薄膜制备方法，其特征在于有源层选用材料为PTB7（3），PTB7（3）溶于氯代苯溶液中，浓度为20mg/mL。3.根据权利要求1所述的一种掺杂PbSe量子点的光敏聚合物有源层薄膜制备方法，其特征在于PbSe量子点（4）是由是以PbO及Se粉为前驱体由水热法制备而成，其中PbO溶于85%的油酸中，体积分数为1mol/L，再加入90%的1-十八烯，油酸...

【专利技术属性】
技术研发人员：王丽娟，张梁，王璐，刘昱含，边奇，朱彤，刘启民，
申请(专利权)人：长春工业大学，
类型：发明
国别省市：吉林,22