翻转式磁耦合封装结构及其引线架组件与制造方法技术

本发明专利技术公开的翻转式磁耦合封装结构的制造方法包括提供具有架体及连接于架体的第一及第二组引线架的引线架结构，第一组引线架包括第一芯片承载部、第一线圈部、多个第一引脚部及第一浮动引脚，第二组引线架包括第二芯片承载部、第二线圈部、多个第二引脚部及第二浮动引脚；将第一及第二芯片分别设置在第一与第二芯片承载部上且分别电性连接于第一与第二引脚部；及相对于架体翻转第一组引线架并将第一组引线架移至第二组引线架的上或下方，以在第一与第二组引线架间产生电性隔离，第一与第二线圈部相互对准而产生磁耦合。

【技术实现步骤摘要】
翻转式磁耦合封装结构及其引线架组件与制造方法
本专利技术涉及一种引线架组件、包括引线架组件的磁耦合封装结构及其制造方法，特别是涉及一种使用单一引线架所制造的翻转式引线架组件、包括引线架组件的磁耦合封装结构及其制造方法。
技术介绍
一般而言，在电子装置中会具有用以在传输器(transmitter)以及接收器(receiver)之间传递信号的传输方式。举例而言，已知电隔离功能的信号传输方式有：光电耦合式、电容耦合式、诱导耦合(inductivecoupling)或是磁耦合(magneticcoupling)。在现有技术中，磁耦合隔离技术(magneticcouplingisolationtechnology)除了可以用于光耦合器(optocoupler)以及光晶体管(optotransistor)应用的场合外，也被用于常见的电子元件中以赋予电子元件电隔离功能，以将隔离器与功能半导体器件集成于一个半导体元件中，例如磁耦合隔离(magneticcoupling)的能源管理半导体元件(powermanagementIC)、磁耦合隔离的控制器区域网络发射接收器(MagneticcouplingCANbustranceiver)等之中。使用磁耦合技术的半导体隔离件，其通常包括在高频下运行的驱动电路、一对尺寸在微米(μm)及毫米(mm)之间的微线圈(coils)，以及高频接收器。其中一组线圈(第一线圈)连接于驱动电路的输出端，另一组线圈(第二线圈)则连接于接收器的输入端。两组线圈彼此电性绝缘(galvanicisolated)，因此其等之间不具有电连接。在运行时，来自驱动电路的高频信号通过第一线圈，在第一线圈和第二线圈之间产生高频磁场，高频信号通过磁耦合传输至第二线圈。第二线圈将所接收到的磁信号转换为高频电压并输入接收电路。然而，为了达到两组线圈之间有效的耦合效果，需要精确设计两组线圈在横向的设置相对位置以及在垂直方向的间距，以使两组线圈在横向相互对准。同时，还必须将两组线圈的间距被控制在设计范围里。如此一来，可以调节分别设置有两组线圈的两个引线架组件的隔离距离，进而调节两组线圈彼此电性绝缘(galvanicisolation)的效果。在现有技术中，仍然缺乏制作程序简单且可以轻易调整两组线圈之间耦合量的制造方法与引线架组件。换句话说，引线架组件以及包含引线架组件的封装结构的制造方法仍具有改善的空间。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于，针对现有技术的不足提供一种翻转式引线架组件、包括翻转式引线架组件的磁耦合封装结构及其制造方法。本专利技术所提供的制造方法是通过单一个引线架结构和引线架折迭的方法，以及其中特定的设计来形成引线架组件(「双引线架组件」)，且可以通过调整引线架结构中特定区段的尺寸来调整包括双引线架组件的磁耦合封装结构的耦合效果。本专利技术所提供的磁耦合封装结构可以用于隔离半导体元件，例如隔离器(isolator)。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的其中一技术方案是提供一种翻转式磁耦合封装结构的制造方法，其包括：提供一引线架结构，所述引线架结构具有一架体、一连接于所述架体的第一组引线架以及一连接于所述架体的第二组引线架，其中，所述第一组引线架包括一第一芯片承载部、至少一第一线圈部、多个第一引脚部以及多个第一浮动引脚，且所述第二组引线架包括一第二芯片承载部、至少一第二线圈部、多个第二引脚部以及多个第二浮动引脚；将至少一第一芯片以及至少一第二芯片分别设置在所述第一芯片承载部与所述第二芯片承载部上且分别电性连接于所述第一引脚部与所述第二引脚部；以及相对于所述架体翻转所述第一组引线架，并将所述第一组引线架移至所述第二组引线架的上方或者下方，以在所述第一组引线架与所述第二组引线架之间产生一高度差并使所述第一组引线架与所述第二组引线架彼此电性隔离；所述第一线圈部与所述第二线圈部相互对准而产生磁耦合。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外一技术方案是，提供一种引线架组件，其包括一第一组引线架以及一第二组引线架，所述第一组引线架包括一用于承载至少一第一芯片的第一芯片承载部、一第一线圈部、多个第一引脚部以及多个第一浮动引脚，所述第二组引线架包括一用于承载至少一第二芯片的第二芯片承载部、一第二线圈部、多个第二引脚部以及多个第二浮动引脚。所述第一组引线架设置于所述第二组引线架的上方或者下方，以使得所述第一线圈部与所述第二线圈部相互对准。为了解决上述的技术问题，本专利技术所采用的另外再一技术方案是，提供一种翻转式磁耦合封装结构，其包括一第一组引线架、一第二组引线架、一第一芯片、一第二芯片以及一绝缘封装体。所述第一组引线架包括一第一芯片承载部、一第一线圈部、多个第一引脚部以及多个第一浮动引脚。所述第二组引线架包括一第二芯片承载部、一第二线圈部、多个第二引脚部以及多个第二浮动引脚。第一芯片设置于所述第一芯片承载部，且所述第二芯片设置于所述第二芯片承载部。所述绝缘封装体封装所述第一芯片与所述第二芯片并连接所述第一组引线架与所述第二组引线架，其中，每一个所述第一引脚部的一部分裸露在所述绝缘封装体外，且每一个所述第二引脚部的一部分裸露在所述绝缘封装体外。所述第一组引线架设置于所述第二组引线架的上方或者下方，以使得所述第一线圈部与所述第二线圈部相互对准而产生磁耦合；其中，所述第一组引线架与所述第二组引线架彼此电性隔离。本专利技术的其中一有益效果在于，本专利技术所提供的翻转式磁耦合封装结构及其引线架组件与制造方法，其能通过“所述第一组引线架设置于所述第二组引线架的上方或者下方，以使得所述第一线圈部与所述第二线圈部相互对准以产生磁耦合”或者“相对于所述架体翻转所述第一组引线架，并将所述第一组引线架移至所述第二组引线架的上方或者下方”的技术方案，以提升第一线圈部与第二线圈部彼此对齐的精准度，并控制第一线圈部与第二线圈部相互匹配后所产生的磁耦合效果。为使能更进一步了解本专利技术的特征及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而所提供的附图仅用于提供参考与说明，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明图1为本专利技术其中一实施例所使用的引线架结构的俯视示意图；图2为本专利技术另一实施例所使用的引线架结构的俯视示意图；图3为本专利技术其中一实施例的翻转式磁耦合封装结构的制造方法的流程图；图4为本专利技术另一实施例的翻转式磁耦合封装结构的制造方法的流程图；图5为图1中沿V-V剖面线所得的局部剖面视图；图6为本专利技术其中一实施例的翻转式磁耦合封装结构的制造方法的其中一步骤的示意图；图7为本专利技术其中一实施例的翻转式磁耦合封装结构的制造方法的另一步骤的示意图；图8为本专利技术其中一实施例的翻转式磁耦合封装结构的制造方法的再一步骤的示意图；图9为本专利技术其中一实施例所提供的翻转式磁耦合封装结构的示意图；图10为本专利技术另一实施例所提供的翻转式磁耦合封装结构的示意图；以及图11本专利技术再一实施例所提供的翻转式磁耦合封装结构的示意图。附图标记说明：磁耦合封装结构P引线架结构1架体10第一组引线架11第一芯片承载部111第一线圈部112第一引脚部113第一浮动引脚114第二组引线架12第二芯片承载部121第二线圈部122第二引脚部123第二浮动引脚124第一芯片21第一连接线211第二芯片22第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种翻转式磁耦合封装结构的制造方法，其特征在于，所述翻转式磁耦合封装结构的制造方法包括：提供一引线架结构，所述引线架结构具有一架体、一连接于所述架体的第一组引线架以及一连接于所述架体的第二组引线架，其中，所述第一组引线架包括一第一芯片承载部、至少一第一线圈部、多个第一引脚部以及多个第一浮动引脚，且所述第二组引线架包括一第二芯片承载部、至少一第二线圈部、多个第二引脚部以及多个第二浮动引脚；将至少一第一芯片以及至少一第二芯片分别设置在所述第一芯片承载部与所述第二芯片承载部上且分别电性连接于所述第一引脚部与所述第二引脚部；以及相对于所述架体翻转所述第一组引线架，并将所述第一组引线架移至所述第二组引线架的上方或者下方，以在所述第一组引线架与所述第二组引线架之间产生一高度差并使所述第一组引线架与所述第二组引线架彼此电性隔离；所述第一线圈部与所述第二线圈部相互对准而产生磁耦合。

【技术特征摘要】
1.一种翻转式磁耦合封装结构的制造方法，其特征在于，所述翻转式磁耦合封装结构的制造方法包括：提供一引线架结构，所述引线架结构具有一架体、一连接于所述架体的第一组引线架以及一连接于所述架体的第二组引线架，其中，所述第一组引线架包括一第一芯片承载部、至少一第一线圈部、多个第一引脚部以及多个第一浮动引脚，且所述第二组引线架包括一第二芯片承载部、至少一第二线圈部、多个第二引脚部以及多个第二浮动引脚；将至少一第一芯片以及至少一第二芯片分别设置在所述第一芯片承载部与所述第二芯片承载部上且分别电性连接于所述第一引脚部与所述第二引脚部；以及相对于所述架体翻转所述第一组引线架，并将所述第一组引线架移至所述第二组引线架的上方或者下方，以在所述第一组引线架与所述第二组引线架之间产生一高度差并使所述第一组引线架与所述第二组引线架彼此电性隔离；所述第一线圈部与所述第二线圈部相互对准而产生磁耦合。2.根据权利要求1所述的翻转式磁耦合封装结构的制造方法，其特征在于，在相对于所述架体翻转所述第一组引线架之前，还进一步包括：形成至少一弯折部在所述第一组引线架与所述第二组引线架两者之中的至少一个上。3.根据权利要求1所述的翻转式磁耦合封装结构的制造方法，其特征在于，在相对于所述架体翻转所述第一组引线架之后，还进一步包括：形成一绝缘封装体，以封装所述第一芯片与所述第二芯片并连接所述第一组引线架与所述第二组引线架，其中，所述第一浮动引脚的一部分裸露在所述绝缘封装体外且所述第二浮动引脚的一部分裸露在所述绝缘封装体外；以及移除裸露在所述绝缘封装体外的一部分所述第一浮动引脚以及裸露在所述绝缘封装体的一部分所述第二浮动引脚；其中，每一个所述第一引脚部的一部分裸露在所述绝缘封装体外，且每一个所述第二引脚部的一部分裸露在所述绝缘封装体外，所述第一引脚部的所述部分以及所述第二引脚部的所述部分用以分别提供一隔离电压至所述第一组引线架以及所述第二组引线架；其中，所述第一浮动引脚被裸露在外的部分与所述第二浮动引脚被裸露在外的部分是沿相反方向被移除；其中，所述绝缘封装体的一部分设置于所述第一组引线架与所述第二组引线架之间。4.根据权利要求3所述的翻转式磁耦合封装结构的制造方法，其特征在于，在形成所述绝缘封装体的步骤之前，还进一步包括：在所述第一组引线架与所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：王又法，
申请(专利权)人：光宝新加坡有限公司，
类型：发明
国别省市：新加坡,SG